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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接触构件、接触器以及接触方法-CN200480044629.0有效
发明人： 丸山茂幸;西野彻 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：在接触器中，能够以微细间距配置接触构件，并且能够以小的接触压力来实现可靠的接触。接触构件将电子部件与外部的电路电连接。接触构件采用具有导电性的材料而形成为大致球形的形状。接触构件的中央部分的分子密度比表面附近的分子密度低。具有导电性的材料可以至少含有导电微粒、导电纤维、导电填充料中的一种。
接触构件接触器以及方法

[发明专利]半导体设备测试装置及半导体设备测试方法-CN200610008548.6有效
发明人： 丸山茂幸;有坂义一;田代一宏;片山孝幸;小泽彻;木村雄伸 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种半导体设备测试装置，用于测试在一个半导体衬底上制成的多个半导体器件，包括：上面设置有多个测试单元的基板，每个单元包括与半导体器件的电极端子相对应的探针、和与所述探针连接的导电层。
半导体设备测试装置方法

[发明专利]具有利用激光方法成型的接触电极的接触器-CN200610126774.4有效
发明人： 丸山茂幸;福田恵介;渡边直行;熊田原巧;松下直久;今门正幸;玉木京平;野澤宏 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-07 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时，照射激光束。
具有利用激光方法成型接触电极接触器

[发明专利]温度控制方法和温度控制装置-CN200610059744.6有效
发明人： 丸山茂幸;三泽洋;小桥直人 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种温度控制方法和温度控制装置，其中受控部件配置成与热传导部件的第一主表面相接触。热传导部件具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。第一主表面的外形与受控部件的外形相对应。第二主表面的面积大于第一主表面的面积。驱动加热单元和冷却单元至少其中之一，以将受控部件调整到预设的温度。加热单元和冷却单元设置在热传导部件的第二主表面上，以使加热单元和冷却单元并排设置。
温度控制方法装置

[发明专利]半导体装置-CN200510120001.0有效
发明人：深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1997-07-10 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。
半导体装置

[发明专利]半导体器件的测试装置以及测试方法-CN200510103957.X有效
发明人：田代一宏;伊东靖幸;丸山茂幸;有坂义一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种测试装置，其能够通过从半导体器件的背面将半导体器件按压到接触器上，对多个半导体器件中的任一个进行测试。测试电路板具有接触器，该接触器设有与待测试的半导体器件的外部连接端子对应的接触片。支撑板能够将半导体器件以对齐的状态安装在该支撑板上。工作台支撑该支撑板。按压头按压所述支撑板上安装的待测试的半导体器件，以使待测试的半导体器件的外部连接端子与接触器的接触片相接触。该工作台可移动到使安装在该支撑板上的至少一个待测试的半导体器件面对该接触器的位置。
半导体器件测试装置以及方法

[发明专利]用于电子部件的接触器及接触方法-CN200610008689.8有效
发明人：小桥直人;丸山茂幸;有坂义一;室谷浩之;小野克彦 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01R33/74 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电子部件的接触器及接触方法，该接触器能够与诸如IC等电子部件中的多个电极端子进行适当且均匀的接触。多个接触部件中的每个接触部件在其一端具有第一接触部分，而在其另一端具有第二接触部分，第一接触部分具有容纳电子部件的一个电极端子的凹部。基座容纳和支撑多个接触部件。第一接触部分能够沿水平方向移动。
用于电子部件接触器接触方法

[发明专利]半导体装置-CN200510118900.7有效
发明人：深泽则雄;川原登志实;森冈宗知;大泽满洋;松木浩久;小野寺正德;河西纯一;丸山茂幸;竹中正司;新间康弘;佐久间正夫;铃木义美 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1997-07-10 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；以及形成在半导体器件的表面上、密封住除了突出电极的顶端部分的上述突出电极的树脂层；上述突出电极具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的导电膜。
半导体装置

[发明专利]半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法-CN200510053055.X无效
发明人：藤井滋;有坂义一;居鹤仁;田代一宏;丸山茂幸 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：一种半导体衬底，消除了划线宽度所造成的局限，以增大半导体衬底上形成的半导体元件的数量。通过形成多个单位曝光和印刷区域，形成多个半导体元件区域，每个单位曝光和印刷区域包含半导体元件区域。第一划线在单位曝光和印刷区域内之所形成的半导体元件区域之间延伸。第二划线在单位曝光和印刷区域之间延伸。第一划线的宽度不同于第二划线的宽度。
半导体衬底半导体器件制造方法测试

[发明专利]LSI插件及LSI元件的试验方法和半导体器件的制造方法-CN03825273.2有效
发明人： 丸山茂幸;西野彻;田代一宏 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-05-20 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种LSI插件，包括LSI元件和配线基板。LSI元件的多个端子包括第1导电层、和重叠形成在第1导电层上的第2导电层，配线基板的多个端子包括接合在第2导电层的第3导电层和外部连接端子。第1、第2和第3导电层由第2导电层与第3导电层的金属间结合力比第1导电层与第2导电层的金属间结合力强的材料形成。LSI元件的试验使用配线基板的外部连接端子进行。第2导电层和第3导电层通过加压的凝集作用产生金属间结合，在试验中可靠地电接触。试验后将LSI元件的端子从配线基板的端子上剥离，这时将第2导电层转移到第3导电层上，在LSI元件上残留第1导电层。将LSI元件安装在另一个配线基板上。
lsi 插件元件试验方法半导体器件制造

[发明专利]测试具有许多半导体器件的晶片的探针卡及其制作方法-CN200410039657.5有效
发明人： 丸山茂幸;小泉大辅;渡边直行;金野吉人;吉田英治;誉田敏幸;川原登志实;永重健一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2000-07-05 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：用于测试具有许多半导体芯片的晶片的探针卡，包括配置在与芯片之一上的电极相对的位置上的接触电极；基板；在基板上配置的内部端子；具有与接触电极连接的第一部分和采用至少焊接线和焊料球其中之一与内部端连接的第二部分的第一布线；在基板的周边上配置并经由第二布线与内部端连接的外部端；和具有将基板上的外部端连接到印刷板上的外部连接端的第三布线的印刷板。本发明还包括制作该探针卡的方法。在本发明中，接触的不平整度可被补偿。
测试具有许多半导体器件晶片探针及其制作方法

[发明专利]电子部件装设方法和电子部件装设工具-CN03125575.2有效
发明人：小泉大辅;丸山茂幸;田代一宏;渡边直行 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：制备了适合于半导体装置的外部形状的一种电子部件装设工具。该电子部件装设工具具有使半导体装置的位置与IC插座对准的功能。电子部件装设工具安装在形成于IC插座上的标准表面上，而实质上与半导体装置的外部形状无关。然后，通过使用电子部件装设工具将半导体装置与IC插座对准并装设到该IC插座上，并且从IC插座上取下电子部件装设工具。制备了适合于另一半导体装置的外部形状的另一电子部件装设工具，并且执行与上述相同的过程，以便将该半导体装置与相同类型的IC插座对准并装设到该IC插座上。
电子部件装设方法工具

[发明专利]具有利用激光方法成型的接触电极的接触器-CN03120223.3有效
发明人： 丸山茂幸;福田惠介;渡边直行;熊田原巧;松下直久;今门正幸;玉木京平;野澤宏 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-07 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通过对由导电材料构成的接触电极照射激光束，成型具有具有预定形状的接触电极。在将接触端相对侧的、每个接触电极的端部接合到接触板上后，可以照射激光束，以使接触电极变形，从而使接触端位于预定位置。在加热或冷却激光束照射部分对面的接触电极部分时，照射激光束。
具有利用激光方法成型接触电极接触器

[发明专利]处理装置和使用该处理装置的试验设备-CN02157016.7无效
发明人：藤代惠治;佐藤康範;丸山茂幸;小桥直人 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-12-18 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种处理装置包括一个主组件，一个用于固定一物体的座、一个用于保持座以便使座可相对于主组件位移的保持器和一个用于有选择地使座处于锁定状态或解锁状态的锁定组件，在锁定状态中，座相对于主组件的位移受到限制，而在解锁状态中，座相对于主组件的位移不受限制。
处理装置使用试验设备

[发明专利]接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法-CN02152681.8无效
发明人： 丸山茂幸;渡辺直行;田代一宏;小桥直人;井川治;藤沢哲也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法，其中，接触器具有接触器基片和在接触器基片上形成的多个接触电极。通过在金属引线的接合到接触器基片的一端和另一端之间弯曲金属引线而形成每一个接触电极。由切割面形成斜面。在接触电极的顶部形成因拉伸断裂而形成的断裂面。
接触器制造方法以及使用测试

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