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[发明专利]电热丝、电热丝的制造方法以及真空处理装置-CN202010211775.9有效
发明人：山田龙藏;青代信;浅利伸;斋藤一也;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供能够实现长寿命化的电热丝及其制造方法以及使用了电热丝的真空处理装置。本发明的一个方式所涉及的电热丝具有芯材和覆盖层。所述芯材在表面形成有钽的碳化物。所述覆盖层在表面形成有钽的硼化物和硼中的至少一者，覆盖所述芯材的表面。
电热丝制造方法以及真空处理装置

[发明专利]成膜装置、成膜装置的维护方法-CN201180030323.X有效
发明人：林卓郎;曽我部浩二;松本浩一;桥本征典;中村久三;萩原宗源;内田宽人;森胜彦;清水康男;坂元盛昭 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
装置维护方法

[发明专利]切断阀-CN201080038814.4有效
发明人： 中村久三;柴山浩司;和田慎一;迫田圣也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： F16K3/10 文献下载
摘要：本切断阀包括：阀体(10、10a、10b)，具有中空部(11)、隔着所述中空部(11)而设置的第一开口部(12a)及第二开口部(12b)、形成于所述第一开口部(12a)的周围的内表面以及通过所述中空部(11)、所述第一开口部(12a)及所述第二开口部(12b)的流动通道(H)；支撑体(30)，配置在所述中空部(11)内；阀片(40)，具有固定设置于所述支撑体(30)上的固定阀部(50)、以包围所述固定阀部(50)外周的方式配设并沿所述流动通道(H)延伸的方向滑动的活动阀部(60)、第一周围区域(40a)和第二周围区域(40b)；第一施力部(70)，配置在所述第一周围区域(40a)，使所述活动阀部(60)向所述第一开口部(12a)移动，使所述活动阀部(60)与所述内表面抵接，并将所述活动阀部(60)按压到所述内表面上，以关闭所述流动通道(H)；以及第二施力部(80)，配置在所述第二周围区域(40b)，通过使所述活动阀部(60)向所述第二开口部(12b)移动，使所述活动阀部(60)从所述内表面分离而开放所述流动通道(H)。
切断

[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池的制造装置-CN200980159767.6无效
发明人：山室和弘;佐藤诚一;矢作充;汤山纯平;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种太阳能电池的制造方法，形成包含多个分区单元(21、21s)、彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间被电连接的光电转换体(12)，确定所述光电转换体(12)之中具有结构缺陷(R、A1、A2、A3)的所述分区单元(21s)，根据在彼此相邻的所述分区单元(21、21s)之间测量多个位置的电阻值而获得的电阻值的分布，圈出在所述分区单元(21s)内存在所述结构缺陷的区域(Z)，通过图像拍摄部(24)在该被圈出的存在所述结构缺陷的所述区域(Z)内进行拍摄，根据得到的图像准确地确定所述结构缺陷的位置，从而限定在所述分区单元(21s)内存在所述结构缺陷的部位，对存在所述结构缺陷的部位照射激光光线，去除所述结构缺陷。
太阳能电池制造方法以及装置

[发明专利]光电转换装置的制造方法、光电转换装置、光电转换装置的制造系统和光电转换装置制造系统的使用方法-CN201080005941.4无效
发明人：内田宽人;藤长徹志;若井雅文;小林忠正;植喜信;中村久三;浅利伸;齐藤一也;松本浩一;清水康男;森胜彦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
光电转换装置制造方法系统使用方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN200980140737.0无效
发明人：高桥明久;石桥晓;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：一种位于光入射侧的输出功率的上部电极包含以铟(In)、锌(Zn)和锡(Sn)中的任意一种作为基本构成元素的透明导电膜的太阳能电池的制造方法，该方法具备使用湿式蚀刻法在形成所述透明导电膜的透明基板的表面形成纹理的工序A，在所述工序A中，在形成所述纹理时，在所述透明基板上形成金属薄膜，将该金属薄膜作为掩模进行各向异性蚀刻。
太阳能电池制造方法

[发明专利]静电卡盘及真空处理装置-CN200980133591.7有效
发明人：佐藤正幸;冈正;中村久三 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘，其在通过使静电卡盘保持具有透光性的处理基板，对处理基板实施伴随光照射的处理时，即使由于光电效应而使吸引力降低，也能够切实地保持处理基板。静电卡盘(6)具有由电介质构成的卡盘平板(61)和设置于卡盘平板(61)的第1电极(631)和第2电极(632)，并通过对第1和第2两电极(631)、(632)间施加电压，将处理基板(S)吸附于卡盘平板(61)的表面。在卡盘平板(61)的表面的一部分，设置了由对处理基板(S)具有粘接力的粘接片等构成的基板保持部(64)。
静电卡盘真空处理装置

[发明专利]光电转换装置的制法、光电转换装置及其制造系统-CN200980133228.5无效
发明人：内田宽人;藤长徹志;植喜信;齐藤一也;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该光电转换装置的制造方法中，在减压气氛内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及由结晶质的硅系薄膜形成的、构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，将构成所述第二光电转换单元(4)的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
光电转换装置制法及其制造系统

[发明专利]光电转换装置的制法、光电转换装置及其制造系统-CN200980132750.1无效
发明人：朝比奈伸一;内田宽人;浅利伸;桥本征典;藤长徹志;小林忠正;若井雅文;今北健一;植喜信;齐藤一也;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。
光电转换装置制法及其制造系统

[发明专利]冷冻干燥装置-CN200980126568.5在审
发明人：伊藤薰树;中村久三;加藤丈夫;伊藤胜彦;木下贵夫 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种冷冻干燥装置，使用该装置既不会使粒径产生差异，还有助于提高其处理能力。本发明的一种实施方式中的冷冻干燥装置(100)具有形成真空室的冷冻室(10)和喷射器(25)。其中，喷射器(25)具有管状部件(29)和喷嘴(9)。管状部件(29)设置在所述真空室内，喷嘴(9)具有多个对着管状部件(29)的内部的喷射孔(92)。由喷射器(25)的喷嘴(9)向真空室内喷射供至管状部件(29)中的原料液F。由于各喷射孔(92)分别形成对着管状部件(29)的内部的状态，所以原料液F能在相同的喷射压力作用下从各喷射孔(92)中喷出。这样，既不会使粒径产生差异，还有助于提高该装置的处理能力。
冷冻干燥装置

[发明专利]冷冻干燥装置和冷冻干燥方法-CN200980126567.0有效
发明人：伊藤薰树;中村久三;加藤丈夫;伊藤胜彦;木下贵夫 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种冷冻干燥装置和冷冻干燥方法，不仅无需在所述冷冻干燥装置中设置挡板等部件，还能够提高该装置的原料回收率。冷冻干燥装置(100)具有用来贮存原料液F的容器(4)、作为真空室的冷冻室(10)、对冷冻室(10)内的空气进行减压处理的真空泵(1)和将贮存在容器(4)内的原料液F喷至冷冻室(10)内的喷射机构(25)。由于冷阱(20)设置在冷冻室(10)内，所以能防止出现现有技术中的以下现象，即，原料会和水蒸气一起被排到真空室外的现象。由此可提高原料回收率。另外，无需在真空室的排气口附近设置用来防止出现上述现象的挡板等。
冷冻干燥装置方法

[发明专利]冷冻干燥装置和冷冻干燥方法-CN200980126514.9有效
发明人：伊藤薰树;中村久三;加藤丈夫;伊藤胜彦;花本隆史 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种冷冻干燥装置和冷冻干燥方法，使用该装置或方法可提高冻结粒子的干燥处理效率。冷冻干燥装置(100)具有可以喷射原料液F的冷冻室(10)。在喷射原料液F的过程中，在开始喷射后或从马上进行喷射前到开始喷射后，使振动发生器(31)工作而在水平方向上使搁板(16)产生振动。从而使堆积在搁板(16)上的冻结粒子均匀地在该搁板(16)上分散，用以使冻结粒子的堆积厚度变薄或使之成为单层。由此可提高每个粒子的冻结效率和干燥效率。
冷冻干燥装置方法

[发明专利]溅射装置及溅射方法-CN200980123959.1无效
发明人：森本直树;近藤智保;镰田恒吉;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种建设装置，该装置结构简单，成本低廉，在该溅射装置中，可以对具有大高径比的微孔上以良好的覆盖特性成膜。该溅射装置具有设置在真空室2内的一靶3和衬底W，该靶与该衬底相对设置；在所述靶的溅射面3a前方产生隧道状磁场的磁铁组件4、将溅射气体导入于所述真空室内的气体导入装置7，以及对所述靶施加负的电位的溅射电源5。还具备有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置11u，11d，该磁场的磁力线M垂直的通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。
溅射装置方法

[发明专利]阴极单元及具有该阴极单元的溅射装置-CN200980123899.3无效
发明人：森本直树;近藤智保;森大介;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种阴极单元及具有该阴极单元的溅射装置，该阴极装置可在整个基板面上针对高纵横比的各个微孔被覆性良好地成膜，该阴极单元具有结构简单和制造成本低的特点。该阴极单元包括一托架(3)，托架的一侧表面上形成有至少一个凹部(4)；具有底部为筒状的靶部件(5)，该靶部件从其底部一侧装入与其分别对应的凹部中；以及，磁场发生装置(7)，其组装为在该靶部件的内部空间中产生磁场。
阴极单元具有溅射装置

[发明专利]光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法-CN201010298454.3有效
发明人：谷典明;中村久三;清田淳也;铃木寿弘;三村寿文 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14)，在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时，利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行，然后，利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24)，利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。
光掩模坯光掩模以及制造方法

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