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[发明专利]一种耐热性的生物质基聚氨酯热熔胶的制备方法及其应用-CN202211131650.0有效
发明人：孙东亚;谢安;严育杰;李月婵 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C09J175/06 文献下载
摘要：本发明涉及热熔胶技术领域，且公开了一种耐热性的生物质基聚氨酯热熔胶的制备方法及其应用，以DOPO‑PHBA中间体和偏苯三酸酐酰氯反应，制备了新型的双(酸酐苯酯基)DOPO化合物；然后与氨基化木质素发生酰亚胺化反应，得到改性木质素，从而在木质素的侧链引入了高热稳定性的DOPO结构和酰亚胺环结构，以聚酯多元醇、改性木质素、二苯甲烷二异氰酸酯作为聚合单体，聚合得到生物质基聚氨酯，然后与萜烯树脂、乙烯‑乙酸乙烯共聚树脂等助剂复配得到耐热性的生物质基聚氨酯热熔胶，提高了聚氨酯热熔胶的热分解温度和高温残碳量，增强了热熔胶的耐热性能。
一种耐热性生物聚氨酯热熔胶制备方法及其应用

[发明专利]一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构-CN202310226995.2在审
发明人：谢安;吴雨峰;李月婵;孙东亚;黄海;曹春燕;严育杰;王义 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于芯片散热的金刚石‑多金属修饰层散热结构，包括芯片、散热基板，所述散热基板靠近芯片的一侧面上设置有第一金属修饰层，所述芯片靠近散热基板的一侧面上设置有第二金属修饰层，所述第一金属修饰层包括第一钛层、第一金层，所述第二金属修饰层包括第二钛层、第二金层，所述第一金层、第二金层相互靠近的一侧面之间相互结合。相比于单晶硅，金刚石具有更强的导热能力，是单晶硅材料的的13‑16倍，是单质铜的5‑6倍，此外，金刚石具有与单晶硅相匹配的热膨胀系数，作为散热基板材料，其能有效地消除热应力失配等失效现象。
一种用于芯片散热金刚石金属修饰结构

[实用新型]一种用于汽车天幕的多层玻璃-CN202320003810.7有效
发明人：庄佳乐;孙东亚;谢安;严育杰 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B60J7/00 文献下载
摘要：本实用新型属于汽车玻璃技术领域，具体的说是一种用于汽车天幕的多层玻璃，包括骨架和玻璃总成，所述骨架的顶部对称开设有两个滑槽，所述滑槽的上方安装有清理组件，所述清理组件包括两个清理架和开槽，所述清理架与滑槽滑动连接，所述清理架包括连接层和弯折层，且连接层和弯折层固定连接，所述开槽开设在连接层的表面；本实用新型通过气流施加给导风片和弯折层的阻力，使清理架滑动通过擦拭层对玻璃总成进行清理，且清理架滑动至凸块处时，使擦拭层短暂悬空，进而通过气流吹去其与玻璃总成相交缝隙处的灰尘。
一种用于汽车天幕多层玻璃

[发明专利]一种短保压快固化聚氨酯热熔胶及其制备方法-CN202211009203.8在审
发明人：谢安;李月婵;孙东亚;严育杰;曹春燕 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C09J175/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种短保压快固化聚氨酯热熔胶，其包含以下各质量百分比组分：30‑60％改性聚酯多元醇、10‑40％聚醚多元醇、10‑30％增粘树脂、5‑15％扩链剂、0.02‑0.1％催化剂、10‑30％异氰酸酯、0.1‑0.6％抗氧化剂。本发明制备的聚氨酯热熔胶在加热状态下粘度小，出胶流畅，便于更好地进行加工；同时，具有较短的开放时间，在该开放时间内能保持对被粘接基材界面良好的浸润性，具有高度初始强度，能够实现短保压快固化；此外，固化后抗震、耐压、耐冲击性好，可以满足手机、平板电脑等电子产品更加轻薄化及窄边的粘合要求。
一种短保压快固化聚氨酯热熔胶及其制备方法

[发明专利]一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机及其制备方法-CN201911259957.7有效
发明人：陈惠鹏;刘亚倩;陈耿旭;郭太良;汪秀梅;严育杰;饶智超 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H02N1/04 文献下载
摘要：本发明提出一种自供电触觉传感摩擦纳米发电机其制备方法，包括下基板、下电极、摩擦介质层、上电极和上基板，下电极设于下基板上；摩擦介质层设于下电极上；上电极设于上基板上，摩擦介质层为双网络薄膜；纳米发电机初始状态下的摩擦介质层与上电极分离，当纳米发电机受到预压力而进入工作状态时，双网络薄膜与上基板摩擦使两者表面积累电荷并在上电极和下电极间形成平衡电位；当因受到触摸使纳米发电机所受压力变化时，上电极与下电极的间距变化使电位的平衡状态无法维持，从而形成上电极与下电极之间的信号电流和开路电压；本发明能制备同时实现化学改性和物理改性的摩擦电薄膜，从而得到更高的表面摩擦电荷密度以获得更高效的摩擦纳米发电机。
一种供电触觉传感摩擦纳米发电机及其制备方法

[发明专利]用于电致变色器件薄膜电极的制备方法、薄膜电极及用途-CN202210321154.5在审
发明人：孙东亚;谢安;李月婵;严育杰;陶鑫杰 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电致变色器件薄膜电极的制备方法、薄膜电极及用途，主要通过溶胶‑凝胶法制备纯氧化镍，通过组分掺杂、工艺参数调控以及不同制备方法对氧化镍基进行改性测试，并通过晶格替代和密度泛函的理论方法对最佳掺杂比例进行预估，最终获得了电致变色效率高、响应速度快和循环稳定性好的氧化镍基阳极着色薄膜，并可通过设计多层全固态结构，组装具有多应用场景的电致变色器件。
用于变色器件薄膜电极制备方法用途

[发明专利]一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法-CN201911245752.3在审
发明人：陈惠鹏;严育杰;郭太良;陈耿旭;陈奇珍;巫晓敏;柯钰丹 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-12-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法，所述垂直结构的有机电化学晶体管为顶栅垂直结构，从下往上依次为基底、漏电极、有源层、网状源电极，电解质层和栅电极。其制备方法包括以下步骤：1）在具有图案化漏电极的基底上通过旋涂工艺沉积聚合物导电薄膜并退火，制得有源层；2）在有源层上通过旋涂工艺沉积网状源电极薄膜并退火；3）在网状源电极上通过旋涂或刮涂工艺沉积聚合物离子凝胶电解质并退火，制得电解质层；4）在电解质层上通过热蒸镀的方法制备栅电极，得到垂直结构的有机电化学晶体管。该方法制备的有机电化学晶体管可以缩小器件尺寸，提高器件性能，扩展其应用范围。
一种垂直结构有机电化学晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法-CN201911284770.2在审
发明人：陈惠鹏;汪秀梅;陈耿旭;郭太良;严育杰;李恩龙;刘亚倩 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法，其结构由下至上依次包括可拉伸复合共面栅衬底、褶皱形的有机半导体层以及离子凝胶绝缘层。所述可拉伸复合共面栅衬底是由聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜与设置于其上的图案化的共面电极构成。本发明可以有效的推动柔性可拉伸电子在生物可植入、人机交互界面和可穿戴等方面的发展。
一种基于有机薄膜晶体管拉伸突触及其制备方法

[发明专利]一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法-CN201811558217.9在审
发明人：陈惠鹏;严育杰;郭太良;巫晓敏;陈奇珍;刘亚倩 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及了一种全固态有机电化学光晶体管及其制备方法。该有机电化学光晶体管采用底栅平面结构，器件从下往上依次是基底、固态电解质层、有源层、源漏电极和吸光层；其中固态电解质层采用聚合物离子凝胶电解质，并利用旋涂或刮涂工艺在基底上形成固态电解质层，从而实现全固态有机电化学光晶体管。本发明提供的全固态有机电化学光晶体管在低电压操作下实现了出色的光响应R和探测率D，同时全固态光晶体管的特性可有望进一步集成至先进电子及电路系统中，扩宽高性能电化学晶体管应用领域。该全固态有机电化学晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。
有机电化学光晶体管全固态固态电解质层基底制备大规模集成电路聚合物离子凝胶电化学晶体管低电压操作电解质电路系统光传感器平面结构先进电子源漏电极光响应晶体管探测率吸光层底栅刮涂扩宽旋涂源层

[发明专利]一种金属氧化物光晶体管及其制备方法-CN201811228346.1在审
发明人：陈惠鹏;郭太良;曹曙光;汪秀梅;陈奇珍;严育杰 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及了一种金属氧化物光晶体管及其制备方法。该金属氧化物光晶体管采用底栅垂直结构，器件从下往上依次是带有一定厚度二氧化硅氧化层的高掺杂硅片、网状源极和源极接触电极、金属氧化物半导体薄膜以及漏电极。垂直结构金属氧化物光晶体管中的半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印或磁控溅射技术制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物光晶体管可实现直接图案化、器件均一性好，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的光响应R和外量子效率EQE。该垂直结构的金属氧化物光晶体管有望广泛用于光传感器、人工突触及大规模集成电路等领域。
金属氧化物光晶体管垂直结构制备源极接触电极金属氧化物半导体薄膜大规模集成电路二氧化硅氧化层磁控溅射技术器件均一性外量子效率半导体层传统工艺光传感器喷墨打印高掺杂光响应漏电极图案化网状源硅片底栅漏极

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