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[发明专利]一种双沟道半导体器件-CN202011178840.9有效
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种双沟道半导体器件，上方AlGaN材料薄层、GaN材料薄层和下方AlGaN材料薄层依次叠加构成三叠层材料结构的器件核心，在两处材料交界界面构成二维电子气上沟道和二维电子气下沟道。本发明双沟道半导体器件，在不增加器件管芯面积，不增加额外的制造工艺复杂度前提下，仅以AlGaN/GaN/AlGaN或GaN/AlGaN/GaN这样的三叠层结构为核心，就可以构造出新型的双沟道半导体器件。由于二维电子气上沟道的导通电流必然会受到紧邻的二维电子气下沟道电信号的影响，二维电子气上沟道就可以用来作为一种寄生的电流传感器，用于监控以上沟道导电为主的器件的工作状态。对于GaN功率器件来说，可以提供对器件的监控保护功能。
一种沟道半导体器件

[实用新型]一种在运GIS主设备防雨罩结构-CN202120820750.9有效
发明人：唐浩龙;张映桢;吴怡敏;刘正道;冯川;李龙才;冯千秀;邢毅;丁晓飞;严可为;邹家勇;樊艳;牟婷婷;王振华 -专利权人：中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H02B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种在运GIS主设备防雨罩结构，包括GIS主设备上的防雨罩，防雨罩包括主框架，主框架的顶部、前部、后部、左部和右部分别设有顶盖板、前遮板、后遮板、左遮板和右遮板，顶盖板呈左高右低倾斜布置，顶盖板的右侧设有排水沟槽，左遮板上设有小门，右遮板上设有孔洞，从而形成一个相对封闭、防雨效果更好、方便人员进出的防雨结构。本实用新型的有益效果：结构简单、易于安装，尤其适用于解决已投运且无法长时间停电修建防护室的户外GIS主设备的防雨防水问题。
一种 gis 主设备防雨罩结构

[实用新型]一种酸气和氨气吸收装置-CN202022494903.3有效
发明人：史志敬;丁瑾;严可为;张丽娇;尹松涛;王宏伟;魏栋立;朱健 -专利权人：华北制药集团先泰药业有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种酸气和氨气吸收装置，包括通过吸收液分别吸收酸气或氨气的酸气净化塔和氨气净化塔以及与酸气净化塔和氨气净化塔均相连的水吸收塔；所述水吸收塔、酸气净化塔和氨气净化塔的内部底端分别设置有吸收液储蓄池，且吸收液储蓄池的内部设置有将吸收液泵出的离心泵，所述离心泵的出口端通过第二管道与上端的喷淋头相连，所述水吸收塔、酸气净化塔和氨气净化塔内的吸收液分别为水、液碱、盐酸，本实用新型能够将生产中的废气及有害物质中和吸收完成后，排放至大气中。
一种氨气吸收装置

[实用新型]一种原料药生产车间气流干燥装置-CN202022205326.1有效
发明人：严正人;史志敬;丁瑾;齐栋森;严可为;吴浩 -专利权人：华北制药集团先泰药业有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： F26B17/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种原料药生产车间气流干燥装置，属于化工机械干燥装置技术领域，包括一级干燥系统、二级轻粉干燥系统和二级重粉干燥系统。本实用新型操作简单，原料药可充分悬浮在热空气中，物料传热面积大，物料的粉粒全部参与传热和传质，干燥效率高，干燥时间短，潮湿物料在气流输送管道中充分干燥，实现了潮湿粉体的连续干燥，既保证了干燥效果，又保证了产品的内在质量，干燥的原料药粉体不易产生外观发黄、杂质水平升高的现象，同时还减少了操作人员的劳动强度。
一种原料药生产车间气流干燥装置

[外观设计]变电站（仿藏式建筑风格-500kV）-CN202030694540.0有效
发明人：姚旺;余波;李沄璋;易建山;吴怡敏;冯仁德;洛桑达瓦;杨关;严可为;李越华;袁冰蟾;罗忠军;李海龙;罗刚;何勇;张朋朋;徐晴;曹豫岩;周至人;张宽;虞媛 -专利权人：中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： 25-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：变电站（仿藏式建筑风格‑500kV）。2.本外观设计产品的用途：用于作为变电站，为电能分配设备提供工作空间等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略仰视图。
变电站仿藏式建筑风格 500 kv

[外观设计]变电站（仿藏式建筑风格-220kV）-CN202030695425.5有效
发明人：姚旺;余波;李沄璋;易建山;吴怡敏;冯仁德;洛桑达瓦;杨关;严可为;李越华;袁冰蟾;罗忠军;李海龙;罗刚;何勇;张朋朋;徐晴;廖梦雯;高智威;秦小寓 -专利权人：中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： 25-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：变电站（仿藏式建筑风格‑220kV）。2.本外观设计产品的用途：用于作为变电站，为电能分配设备提供工作空间等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观设计产品的底面为使用时不容易看到或看不到的部位，省略仰视图。
变电站仿藏式建筑风格 220 kv

[发明专利]一种无金属化连线的半导体器件阵列-CN202011321039.5在审
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种无金属化连线的半导体器件阵列，包括半导体器件电路板、半导体基础器件本体和基础器件电极，所述半导体器件电路板表面设置有若干个半导体基础器件本体，所述半导体基础器件本体表面设置有若干个基础器件电极；所述半导体器件电路板包含百千万乃至上亿、或更多的半导体基础器件本体；该发明配置了高端设备的工厂专门生产基础器件的阵列，而由设备配置略低的工厂来完成电路的连线，对集成电路的功能进行定义，可以分别进行适合于特定工业制造环境的产能优化，对于基础器件阵列的后续加工，由于基础器件阵列及各器件的电极，都是规则地排列在格点位置，因此也相应地带来集成电路设计方法上的简化。
一种金属化连线半导体器件阵列

[发明专利]一种堆叠键合式IGBT器件-CN202011321046.5在审
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠键合式IGBT器件，包括MOS结构芯片、衬底晶圆片和台面钝化保护层；MOS结构芯片键合于衬底晶圆片的上方，台面钝化保护层位于衬底晶圆片的上表面和MOS结构芯片的两端及其上表面的两侧，MOS结构芯片的宽度小于所述衬底晶圆片的宽度。本发明采用堆叠‑键合技术制作的IGBT器件，因为不存在“薄片‑背面加工”的步骤，避免了难度很大且成本很高的薄片工艺、背加工工艺；能够显著压缩制造成本，同时针对台面结构进行了钝化和保护，连同器件原有的终端等保护结构在一起，充分提供了对于器件性能的保障。
一种堆叠合式 igbt 器件

[发明专利]一种GaN HEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法-CN202011178834.3在审
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN HEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法，属于栅极震荡优化技术领域，GaN HEMT器件源极管脚处将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割，漏源电流Ids的对栅极驱动电压Vgs的干扰回路被隔离，栅源电流Igs对栅极驱动电压Vgs的影响，此时栅极驱动电压栅极驱动电压Vgs震荡被抑制，在GaN HEMT器件测试电路中，主功率PCB布板时将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割实现，分割栅极驱动与漏源负载端共源对地回路，漏源负载端大电流Ids的变化不会影响栅源极电压，从而防止栅极关断时大量高频振荡。
一种 gan hemt 功率开关时间测试栅极震荡优化方法

[发明专利]一种IGBT器件背面保护环结构-CN202011178851.7在审
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件背面保护环结构，包括划片道和漂移区，所述划片道内侧设有终端保护结构，终端保护结构内部分别设有N型短路区和P型集电区，漂移区顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端，第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端中间分别设有P型掺杂集电区和N型掺杂逆导短路区。本IGBT器件背面保护环结构，在不增加器件制作成本的前提下，将原来制作于IGBT器件正面的保护性器件结构，即保护环或终端，转移到器件的背面去实现，非常有效和综合地利用了半导体芯片的正反两面，能够在同等面积情况下，达到具有更大的器件导通电流，电特性表现上增强，扩大了发射区面积的效果。
一种 igbt 器件背面保护环结构

[实用新型]干法制粒机压辊密封装置-CN201921858538.0有效
发明人：黄国明;郝小良;顾裕国;严可为;吴浩;荣云龙;齐栋森;张丽娇 -专利权人：华北制药集团先泰药业有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B01J2/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种干法制粒机压辊密封装置，属于粉体制粒设备领域，包括与喂料系统连接的上辊面封板、下辊面封板以及两侧的侧封板，上辊面封板和下辊面封板分别与上压辊和下压辊外圆周相贴合，所述两侧的侧封板内侧均设置有与分别与上压辊和下压辊外圆周相贴合的近似三角形的侧封内板，所述侧封内板的两个边为向内凹陷的圆弧，侧封内板的尖角向上压辊和下压辊之间的交界位置延伸。本实用新型确保干法制粒机在生产过程中不漏料细粉。
法制粒机压辊密封装置

[发明专利]一种采用热相变材料进行均流的半导体功率器件-CN201810728651.0有效
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用热相变材料进行均流的半导体功率器件，包括第一电极、第二电极、下表面电极和器件主体，其中器件主体包括多个器件单胞，所述器件单胞一端设有触发极和阴极，另一端设有阳极，所述多个器件单胞的触发极分别与第一电极连接，其中多个器件单胞的阴极分别与第二电极连接，其中多个器件单胞的阳极分别与下表面电极连接，所述一部分器件单胞的阴极与第二电极通过金属引线连接，另一部分器件单胞的阴极与第二电极通过第一引线连接，所述下表面电极分为两部分金属电极，其中两部分金属电极通过第二引线连接，所述第一引线和/或第二引线为热相变材料引线。
一种采用相变材料进行半导体功率器件

[实用新型]一种电子束器件-CN201920312780.1有效
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子束器件，包括：半导体衬底以及半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，阴极和阳极之间设有调制输入端和调制输出端。由于GaN/AlGaN复合层是由排列整齐的晶格原子构成的半导体材料，在阳极和阴极之间施加电压偏置时，GaN/AlGaN复合层的异质结界面处的电子束流穿行于这些晶格原子中，其漂移速度将会受到极大的限制，因此，该电子束流在一个时间周期内的运行距离就相应地减小了，这样，可以大大地缩小电子束器件的尺寸，实现电子束器件的微型化，解决了传统电子束器件尺寸过大的问题。
复合层电子束器件阴极阳极电子束流晶格原子半导体衬底表面半导体材料微型化漂移异质结界面调制输出排列整齐施加电压时间周期运行距离输入端衬底减小偏置调制半导体

[实用新型]一种水平开启式融冰断口隔离开关结构-CN201920510366.1有效
发明人：周特;冯千秀;许泳;余波;吴怡敏;李龙才;丁晓飞;邢毅;胡晓;蔡德江;邹家勇;朱大鹏;李珊珊;谈东林;余露月;龚琳珺;杨凌霜;陈嘉翌;梁弘毅;严可为;苏林;谢东方 -专利权人：中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01H31/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种水平开启式融冰断口隔离开关结构，包括第一水平开启式刀闸、第二水平开启式刀闸，所述的第一水平开启式刀闸、第二水平开启式刀闸通过水平开启式刀闸操作机构驱动，所述第一水平开启式刀闸的端部与第一动触头固定连接，所述第二水平开启式刀闸的端部与第二动触头固定连接；所述的第一水平开启式刀闸、第二水平开启式刀闸在水平开启式刀闸操作机构驱动下相对运动、并使第一动触头与第二动触头之间形成嵌入式导电连接。利用本实用新型进行输电线路融冰作业，不仅可避免人工拆线作业，进而避免融冰高空作业的安全风险，而且还能大大缩短融冰作业时的输电线路的停运时间，极大地提高了融冰作业效率。
水平开启式刀闸融冰刀闸操作机构隔离开关结构本实用新型融冰断口输电线路融冰高空作业导电连接输电线路作业效率拆线驱动嵌入式停运安全

[实用新型]嵌入式双断口融冰隔离开关-CN201920510371.2有效
发明人：冯千秀;高元;邹家勇;余波;许泳;肖洪伟;周德才;李龙才;朱大鹏;丁晓飞;邢毅;胡晓;蔡德江;樊艳;冯川;曾捷;李珊珊;严可为;杨凌霜;周特;陈嘉翌;牟婷婷;隋权 -专利权人：中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01H31/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种嵌入式双断口融冰隔离开关，包括垂直开启式刀闸、第一水平开启式刀闸、第二水平开启式刀闸，第一水平开启式刀闸、第二水平开启式刀闸通过水平开启式刀闸操作机构驱动，第一水平开启式刀闸的端部与第一动触头固定连接，第二水平开启式刀闸的端部与第二动触头固定连接；第一水平开启式刀闸、第二水平开启式刀闸在水平开启式刀闸操作机构驱动下相对运动、并使第一动触头与第二动触头之间形成嵌入式导电连接。采用本实用新型对输电线路进行融冰作业，可避免人工拆线作业，避免融冰高空作业的安全风险，还能大大缩短融冰作业时输电线路停运时间，极大地提高融冰作业效率，具有节约占地面积、减少投资成本等突出优点。
水平开启式刀闸融冰嵌入式刀闸操作机构本实用新型隔离开关输电线路双断口高空作业垂直开启式导电连接作业效率拆线驱动停运节约安全投资

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