“H01J23/09”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种同轴双电介质叉指排列高功率微波器件-CN201810608551.4有效
发明人：张运俭;丁恩燕 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种同轴双电介质叉指排列高功率微波器件，包括外筒，所述外筒内设置有阴极、在外筒轴线方向上设置的同轴内导体，所述阴极与同轴内导体同轴，其特征在于所述外筒和同轴内导体之间填充有同轴电介质，所述同轴电介质为周期性交错填充且介电系数不同的两种电介质，所述同轴电介质具有一环形结构形成同轴电介质腔，所述同轴电介质通过同轴电介质腔分为内、两部分外同轴电介质，内同轴电介质和外同轴电介质的两种电介质呈叉指排列，阴极发射的环形强流电子束通过磁场引导，在同轴电介质腔内进行传输本发明采用上述结构的器件，使得微波在传输的介质中发生全反射，从而增强电子束的群聚，提高束波转换效率。
一种同轴电介质排列功率微波器件

[发明专利]一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件-CN201810607035.X有效
发明人：张运俭;马弘舸;丁恩燕;杨周炳;陆巍;秦风;何静 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件，包括阳极外筒、设置在阳极外筒内且与阳极外筒共轴的同轴内导体，所述阳极外筒与同轴内导体形成一封闭谐振腔，所述阳极外筒的一端设置有引导强流电子束进入谐振腔内的环形孔，谐振腔内的电子束进行轴向传输时，在径向电场力和束流自身形成的磁场箍缩力共同作用下电子束直径出现周期性振荡变化，产生自激振荡高功率微波辐射，器件产生高功率微波的过程不需要外加引导磁场对电子束进行调控。本发明利用强流环形电子束在特定结构参数同轴谐振腔内的传播特性，实现了在无引导磁场情况下，强流环形电子束的径向自激振荡并产生高功率微波辐射，该高功率微波器件不需要外加引导磁场。
一种磁场电子束辐射功率微波器件

[实用新型]一种电子束器件-CN201920312780.1有效
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子束器件，包括：半导体衬底以及半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，阴极和阳极之间设有调制输入端和调制输出端。由于GaN/AlGaN复合层是由排列整齐的晶格原子构成的半导体材料，在阳极和阴极之间施加电压偏置时，GaN/AlGaN复合层的异质结界面处的电子束流穿行于这些晶格原子中，其漂移速度将会受到极大的限制，因此，该电子束流在一个时间周期内的运行距离就相应地减小了，这样，可以大大地缩小电子束器件的尺寸，实现电子束器件的微型化，解决了传统电子束器件尺寸过大的问题。
复合层电子束器件阴极阳极电子束流晶格原子半导体衬底表面半导体材料微型化漂移异质结界面调制输出排列整齐施加电压时间周期运行距离输入端衬底减小偏置调制半导体

[发明专利]一种电子束器件及其制作方法-CN201910186955.3在审
发明人：罗景涛;严可为 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子束器件及其制作方法，包括：半导体衬底以及半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，阴极和阳极之间设有调制输入端和调制输出端。由于GaN/AlGaN复合层是由排列整齐的晶格原子构成的半导体材料，在阳极和阴极之间施加电压偏置时，GaN/AlGaN复合层的异质结界面处产生的电子束流穿行于这些晶格原子中，其漂移速度将会受到极大的限制，因此，该电子束流在一个时间周期内的运行距离就相应地减小了，这样，可以大大地缩小电子束器件的尺寸，实现电子束器件的微型化，解决了传统电子束器件尺寸过大的问题。
电子束器件复合层阴极阳极电子束流晶格原子半导体衬底表面半导体材料漂移微型化异质结界面调制输出排列整齐施加电压时间周期运行距离输入端衬底减小偏置调制制作半导体

[发明专利]螺旋形磁控管及磁控溅射设备-CN201410032274.9有效
发明人：杨玉杰;李强;邱国庆;白志民;王厚工;丁培军;吕峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种螺旋形磁控管及磁控溅射设备，螺旋形磁控管包括极性相反的分别由多条螺旋线组成的内磁极和外磁极；内磁极螺旋线的螺旋中心围绕在内磁极内部；外磁极的螺旋中心与内磁极的螺旋中心相同，外磁极螺旋线与内磁极螺旋线从螺旋中心向外周螺旋离散；外磁极逐层包围内磁极；离螺旋中心最远的内磁极螺旋线与相邻的内磁极螺旋线在末端合并，合并末端沿离所述螺旋中心最远的内磁极螺旋线的轨迹延伸；离螺旋中心最远的外磁极螺旋线包围所述合并末端，离螺旋中心最远的外磁极螺旋线的末端与相邻外磁极螺旋线之间圆弧连接；相邻内磁极螺旋线圆滑封闭连接，相邻外磁极螺旋线圆滑封闭连接；内磁极、外磁极螺旋线依方程分布，实现溅射沉积均匀。
螺旋形磁控管磁控溅射设备

[实用新型]一种无引导磁场相对论返波管振荡器-CN201320696904.3有效
发明人：马乔生;卢朝政;鲜海鹏 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波电子学领域，尤其是涉及一种无引导磁场相对论返波管振荡器。本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有技术存在的现有技术返波管需要一个很强的轴向引导磁场的问题，提供一种无引导磁场相对论返波管振荡器，采用在通过内置阳极箔来引导阴极产生的电子束的方式。这就克服现有RBWO需要一个很强的轴向引导磁场的问题，该阳极箔同时起到反射返波的作用。一种无引导磁场相对论返波管振荡器，包括阴极端、壳体、漂移段、慢波结构、内导体等。本实用新型应用于返波管振荡器设计领域。
一种引导磁场相对论返波管振荡器

[发明专利]带有电子束路径校正磁场的多束电子管-CN99808226.0无效
发明人：阿梅尔·伯纳;乔治·法永 -专利权人：汤姆森管电子技术公司
申请日： 1999-07-02 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： H01J23/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种多束电子管,它带有穿过一个管体(10)的几束几乎平行的电子束(1－7),这些电子束(1－7)中的至少一些电子束(2－7)限定一个束间空间(22),限定束间空间(22)的每一束电子束(2－7)受到一个由所有其它电子束感应的干扰方位角磁场(Bθ)的影响。该电子管包括一个装置(M),它使得反向电流(I′)在束间空间(22)内的至少一个导电元件(23)中流动,其方向与电子束(1－7)电流(I)的方向相反,该反向电流(I′)在限定束间空间(22)的电子束(2－7)中产生一个对抗干扰磁场(Bθ)的校正磁场。本发明可以应用于多束速调管或行波管。
带有电子束路径校正磁场电子管

1
共 7 条