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[发明专利]一种防潮效果好的电子元器件销售用展示存储柜-CN202211624064.X在审
发明人：王禹卓;严利人;刘志弘 -专利权人：湖州炎弘电子有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： A47F3/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件销售领域，具体涉及一种防潮效果好的电子元器件销售用展示存储柜，包括展示柜和放置区，所述放置区设置于展示柜的顶部，所述展示柜的底部设置有柜体，所述展示柜的右侧固定安装有进风管，所述展示柜的左侧固定安装有出风管，所述柜体的底部固定安装有固定板，所述柜体的内部设置有传动装置，本发明通过设置有滑杆和滑槽，使滑杆在滑槽内部进行滑动，带动整个清洁装置做往复运动，同时设置有转动杆一和安装柱，使滑杆在滑槽内部进行滑动时，滑杆会抵住转动杆一的一端使其产生转动，转动杆一的另一端在转动下碰到凸块，使凸块产生运动带动转动杆二进行转动，使整个清洁装置产生轻微的转动，使整个清洁装置的清洁效果更好。
一种防潮效果电子元器件销售展示存储

[发明专利]采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件-CN202111225386.2在审
发明人：关世瑛;洪旭峰;严利人;刘志弘;宋凯霖;王锰 -专利权人：上海芯石半导体股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件，与传统的离子注入形成阱区的工艺相比，掺杂杂质分布的均匀性大大提升，因而进一步带来器件特性上的提高，突出表现在更好的开启电压均匀性，更好的导电通道电阻值的稳定性、可重复性，更低的沟道区噪声，等等，故此本发明方案的采用，就成为了SiC MOS器件生产制造中产品良率，片内片间的均匀性、可重复性等，本发明的有益效果为，采用外延的方式得到器件的基本结构，即阱区，因为阱区掺杂杂质的分布的均匀性得到了提升和保证，对于器件的正向和反向特性就都带来了益处；突出表现为SiC MOS器件具备更好的开启电压均匀性，更好的导电沟道的稳定性、可重复性，更低的噪声，更好的漏电和击穿特性。
采用外延工艺方案 sic mosfet 器件

[发明专利]一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法-CN202011132090.1有效
发明人： 严利人;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法。该IGBT器件包括正面结构和背面结构，正面结构和背面结构实现在两片硅片上，两片硅片采用键合的方式构成完整一体的IGBT器件，两片硅片的键合接触面处均设有专门的接触面结构,接触面结构由金属接触层和终端结构组成，金属接触层位于中间位置，终端结构设于金属接触层四周对所述金属接触层进行保护。本发明提供了一种采用键合方式制作的IGBT器件及其制作方法，在将要键合的两片硅片上，分别制作终端结构和金属接触层，其中终端结构可以抑制漏电流和提高器件耐压，而两层金属层接触相接触，能够构成较好的键合，主要的空穴‑电子复合可以发生在此处，能够克服前述器件性能不佳的问题。
一种硅片合式 igbt 器件及其制作方法

[实用新型]一种采用多管并联式桥臂的功率器件全桥-CN202022708659.6有效
发明人： 严利人;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用多管并联式桥臂的功率器件全桥,包括多个桥臂，所述每个桥臂包括并联的小功率器件，所述小功率器件均为独立驱动控制，其中，在要求输出较大电力的阶段，小功率器件同时导通或者关断，其效果等效于一个大功率的单个器件进行工作；在要求输出中、小电力的阶段，小功率器件，仅其中的一个或者数个进行工作。本实用新型可以有效解决不同阶段对器件功能需求差异化的问题，增强在开关速度和开关消耗功率等关键电特性上的优势，并提高功率器件的使用寿命。
一种采用并联式桥臂功率器件

[发明专利]一种采用多管并联式桥臂的功率器件全桥-CN202011310673.9在审
发明人： 严利人;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用多管并联式桥臂的功率器件全桥,包括多个桥臂，所述每个桥臂包括并联的小功率器件，所述小功率器件均为独立驱动控制，其中，在要求输出较大电力的阶段，小功率器件同时导通或者关断，其效果等效于一个大功率的单个器件进行工作；在要求输出中、小电力的阶段，小功率器件，仅其中的一个或者数个进行工作。本发明可以有效解决不同阶段对器件功能需求差异化的问题，增强在开关速度和开关消耗功率等关键电特性上的优势，并提高功率器件的使用寿命。
一种采用并联式桥臂功率器件

[发明专利]SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法及SiC功率MOSFET器件-CN201611071766.4有效
发明人：周卫;严利人;刘道广;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。本发明实施例提供的技术方案，低温工艺和外延生长的硅薄膜层减少了C原子的外扩和O原子扩散进SiC中的几率，减小了SiOxCy的过渡区宽度，使得缺陷密度减小，从而减少了对载流子的散射，提高了反型沟道的迁移率，使SiC功率MOSFET器件整体性能得到提高。
sic 功率 mosfet 器件氧化制备方法

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法-CN201310632268.2有效
发明人：周伟;张伟;严利人;刘志弘;付军;周卫;王全 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;清华大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。
一种锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]激光退火方法及系统-CN201410043683.9有效
发明人：周伟;张伟;严利人;刘志弘;韩冰;王全 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;清华大学
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光退火方法，用于以激光对晶圆进行退火工艺，其包括如下步骤将晶圆置于工件台上，以激光束经由一激光匀化整形器投射于晶圆表面形成线形激光束斑；其中，工件台具有垂直及水平方向运动导轨；使线形激光束斑与晶圆表面第一切割道方向形成一夹角，以使线形激光束斑的两个端部分别位于晶圆表面的切割道内；使线形激光束斑相对于晶圆沿第一切割道方向或沿第二切割道方向运动，匀速扫描晶圆表面以对晶圆进行退火工艺。其仅通过简单的机械结构实现，利于实现对晶圆的均匀退火。
激光退火方法系统

[发明专利]快恢复二极管制造工艺方法-CN201410424810.X有效
发明人： 严利人;张伟;刘道广;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种快恢复二极管制造工艺方法，主要为了提供一种可进一步降低器件反向恢复时间，提高相关电路的工作速度。本发明综合应用离子注入和激光退火的深度控制能力，利用少子复合中心的扩散引入及缺陷损伤区对于少子复合中心的吸杂作用，来实现减少少子寿命的最佳的效果，工艺路线合理，工艺过程控制易于掌控，所制备的快恢复二极管具有反向恢复时间进一步缩短的更佳的性能。
恢复二极管制造工艺方法

[发明专利]在衬底片分区上进行异质外延的方法-CN201710017838.5在审
发明人：刘道广;周伟松;严利人 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在衬底片分区上进行异质外延的方法，包括以下步骤(1)在大尺寸晶圆片上，通过设置切割槽，对晶圆片表面进行分区，所述切割槽的宽度0.1～500μm，深度0.1～100μm；(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
衬底分区进行外延方法

[发明专利]一种可在远端执行签字书写功能的签字笔-CN201610111174.4在审
发明人： 严利人;刘志弘;任涛 -专利权人：湖州炎弘电子有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G06F21/30 文献下载
摘要：本发明提出一种可在远端执行签字书写功能的签字笔，由三部分组成，分别是书写发送端、书写接收端和通信通道，其中：书写发送端的签字笔A，书写时，笔尖对于下方纸张的压力，书写的笔划转折等动作特征，由所附带的传感器感知，并转化成为电子信号；电子信号实时地取得后，转化为数字量，进行加密处理等，然后通过通信通道向远端传送；通信通道借助现有的计算机网络或者手机通讯网络实现，使得电子信号向远端书写接收端传送；书写接收端的签字笔B。利用本发明所提出的远端签字笔技术方案，当相关责任人不在场时，也能够比较正式和严肃地完成与重要文件签署相关的办事程序，能够大量节省人员往返的时间和精力，减少社会高效运转中的成本支出。
一种远端执行签字书写功能签字笔

[发明专利]吸盘式机械手-CN201510933537.8在审
发明人： 严利人;张伟;刘志弘;周伟;王全 -专利权人：清华大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： B25J15/06 文献下载
摘要：本发明公开一种吸盘式机械手，主要针对现有技术下吸盘式机械手定位不精准，容易导致工件损坏的问题；提出了一种包括拾取装置和拾取臂；所述拾取装置包括真空吸盘、与所述真空吸盘连通的真空管和下端与所述真空吸盘上表面连接的滑动轴，其中，所述真空吸盘下表面设置有柔性衬垫，所述滑动轴的上端设置有上限位块，所述滑动轴的下端设置有下限位块；所述拾取臂一端设置有套筒，所述滑动轴设置在所述套筒内，所述上限位块与所述下限位块之间的距离大于所述套筒的长度，所述套筒设置在所述上限为块与所述下限位块之间；当所述滑动轴与所述套筒受力方向相反时，所述滑动轴在所述套筒内滑动的技术方案。本发明能够降低设备成本，避免工件的损坏。
吸盘机械手

[发明专利]非封闭氩气保护工件台-CN201510920250.1在审
发明人：张伟;严利人;刘志弘;刘荣华;周伟;王全 -专利权人：清华大学;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种非封闭氩气保护工件台，主要针对现有技术下对需要保护的半导体晶圆片的激光加工时需要增加真空腔体及其抽真空机组使得激光退火系统变得庞大和复杂的问题，提出了一种非封闭氩气保护工件台，包括底板和分别与所述底板各边连接的若干侧板，所述各侧板连接成周向封闭的蓄气筒体，所述侧板底部设置有氩气管道，所述氩气管道的另一端连接有氩气供气装置的技术方案。本发明非封闭氩气保护工件台装置简单，改装方便。能够对半导体晶圆片形成良好的气体保护层。本发明非封闭氩气保护工件台转换方便，在既有的基础上能够进行低成本改造，降低了设备投资。本发明中激光发生设备与工件台互不干扰。
封闭保护工件

[发明专利]自带操作系统及界面的打印机设备-CN201510604145.7在审
发明人： 严利人;刘志弘;任涛 -专利权人：湖州炎弘电子有限公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： B41J3/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种自带操作系统及界面的打印机设备，其特征在于，包括打印机本体和能够运行操作系统的智能装置，所述的智能装置通过操作系统对打印机本体进行控制。本发明在打印机本体上集成一台智能装置，在智能装置上运行操作系统和打印作业相关的软件，这样打印机设备自身即可独立工作，更好地实现其主要的功能，而在以往，打印机本体是不能够独立工作的，必须要在打印机本体外部单独配置一台独立运行的微机，二者一起才能够实现正常的打印的功能。本发明与传统相比，完成相同的任务，无需依赖打印机本体之外的资源，并且更加省时快捷，呈现更为舒适的用户体验。
操作系统界面打印机设备

[发明专利]带辅助放电机构的新型自动化电焊机-CN201510274430.7有效
发明人： 严利人;刘志弘;任涛 -专利权人：湖州炎弘电子有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： B23K9/10 文献下载
摘要：本发明隶涉及一种带辅助放电机构的新型自动化电焊机，包括焊机主机、焊枪、储能装置、储能装置控制器和控制开关，所述控制开关包括充电开关，对焊枪放电开关和对地放电开关。所述焊机主机内设置有焊机逆变电源，该焊机逆变电源通过充电开关与储能装置电连接，可在闲时对储能装置进行充电；所述焊机主机通过二极管连接到焊枪，焊机主机、二极管与焊枪之间为串联连接，连同焊接工件一起，构成主放电回路；所述储能装置通过放电开关连接焊枪，构成辅助放电回路。由于辅助放电回路的存在，可帮助自动化电焊机顺利地从开路不工作状态过渡到短路、焊接工件的状态，极大降低此短暂过程中，原焊机整机控制器的控制难度，实现更好焊接效果。
辅助放电机构新型自动化电焊机

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