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[发明专利]一种IGBT模块插针机械手及插针设备-CN202311192589.5在审
发明人：方建强;朱本化 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种IGBT模块插针机械手及插针设备，其中，IGBT模块插针机械手包括多自由度机械臂、力检测装置、插针挡块和插针抓手。力检测装置安装在多自由度机械臂的位移输出末端；插针挡块安装在力检测装置上；插针抓手包括抓手和驱动装置，都安装在多自由度机械臂上，抓手处于插针挡块下方，抓手末端设置有朝向插针挡块的尾孔，驱动装置用于驱动抓手张开和闭合。在抓手夹持插针进行插针作业时，插针尾端从抓手的尾孔伸出并顶至插针挡块上给力检测装置施加作用力，力检测装置将插针挡块施加的作用力转为插针力，且输出插针力随时间的变化曲线。本申请的方案能够检测插针工艺中插针力变化趋势，并借此改善参数提高插针工艺精度，提升良品率。
一种 igbt 模块机械手设备

[发明专利]一种增强塑胶材料粘结性的处理方法及其应用-CN202110986469.7有效
发明人：徐高峰 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及H05K5技术领域，更具体地，本发明涉及一种增强塑胶材料粘结性的处理方法及其应用。增强塑胶材料粘结性的处理方法，包括：对塑胶材料进行等离子体处理1‑5s。通过本申请处理方法，对功率模块进行封壳后，减少了划胶胶量，封壳后四边没有溢胶，不会出现外壳脱开现象。
一种增强塑胶材料粘结处理方法及其应用

[发明专利]一种双面散热封装模块及制作方法-CN202310900767.9在审
发明人：张站旗;张向东;朱本化;刘建国;张向前;施嘉颖 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种双面散热封装模块及制作方法，该方法包括：提供下导热基板，将待封装芯片固定于下导热基板的上表面；于下导热基板的上表面形成键合支撑架，键合支撑架位于待封装芯片的侧边，键合支撑架呈梯形桥式结构，键合支撑架的端部与下导热基板键合连接，键合支撑架的中间部顶端在垂直方向高于待封装芯片的上表面；提供上导热基板，将键合支撑架的顶端与上导热基板的上表面焊接；形成包覆下导热基板、待封装芯片和上导热基板的塑封层。本发明采用键合支撑架作为支撑及导热通道，具有工艺简单、制作成本低的优点，且对芯片上表面没有特殊要求，适用于常规的功率芯片；另外，利用键合工艺作为基础生产良率高，进一步降低成本。
一种双面散热封装模块制作方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法-CN202310645564.X在审
发明人：王波;张庆雷;王天意 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，该沟槽栅IGBT器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括缓冲层及漂移区的半导体结构；于漂移区中形成多个第一、二沟槽，并形成栅介质层；形成覆盖栅介质层的导电材料层，且第一沟槽沿X方向的尺寸大于导电材料层与栅介质层厚度之和的2倍，以得到间隙；基于间隙刻蚀导电材料层，以得到第一、二栅导电层，并形成掺杂区及基区；形成填充间隙的隔离层，并形成发射区；形成层间介质层，并形成第一、二接触孔，第一接触孔贯穿发射区，至少一第二接触孔位于相邻两个第二栅导电层之间且底面显露出基区。本发明通过以第一、二栅导电层为掩膜同步形成基区与掺杂区，提升器件性能的同时简化了工艺。
一种沟槽 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种功率模块及其封装方法-CN202310610652.6有效
发明人：杨磊;方建强;张向东 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块及其封装方法，该功率模块封装方法包括以下步骤：提供至少一包括底层金属层、介电层、顶层金属层及钎焊层的基板，顶层金属层包括引线区、芯片放置区及隔离沟槽，芯片放置区设有芯片区；提供一器件层，形成第一连接层于芯片区上，将器件层放置于第一连接层上并进行连接；于隔离沟槽底部形成隔离层，将器件层中的各芯片及对应引线区进行电连接；提供一上表面放置有第二连接层的底板，将基板置于第二连接层上并进行连接；提供一外壳，将外壳固定于底板上；形成封装层，并安装盖板。本发明通过于隔离沟槽底部形成隔离层，抑制了钎焊层的电迁移，提升了功率模块的性能，在半导体集成电路制造领域具有广阔的应用空间。
一种功率模块及其封装方法

[发明专利]基于沟槽栅的逆导型IGBT-CN202310616682.8在审
发明人：王天意;张庆雷;王波 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种基于沟槽栅的逆导型IGBT，在IGBT关断时，器件承受负栅压二极管开始导通，重掺杂的P型掺杂区与P型掺杂的基区之间连通，相当于增大了二极管阳极的总掺杂浓度，提高了抗浪涌能力；另外，在IGBT导通时，器件承受正栅压，二极管区的沟道不会开启，重掺杂的P型掺杂区被隔断，不会影响二极管阳极的掺杂浓度，保持较低的空穴抽取速度以保证反向恢复过程具有更优软度；再者，二极管工作区的虚沟槽栅在二极管工作时作为二极管导通的控制栅，而在IGBT工作时作为IGBT的虚栅，有效提高了器件的表面利用率；最后，虚沟槽栅与沟槽栅受控于同一栅极，仅需一个栅极驱动器即可控制，有效降低器件的控制复杂度。
基于沟槽逆导型 igbt

[发明专利]一种快恢复二极管结构及其制备方法-CN202310166781.0在审
发明人：王天意;张庆雷;王波 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管结构及其制备方法，在中掺杂N型漂移区内形成贯穿的重掺杂P柱区，从而在N型漂移区内形成水平PN结，使得二极管在反向关断时N漂移区具有高电阻率，从而让二极管承受较高的反向偏压；二极管正向导通时，N型漂移区的掺杂浓度可以被快速恢复，从而降低二极管的电阻率以获得更低的正向压降，降低了器件的损耗；在沟槽栅之间形成轻掺杂N阱区和P型重掺杂区，二极管正向导通时，由于轻掺杂N阱区位于P型重掺杂区的下方，从而可以隔断P型重掺杂区，最终改善载流子的分布状态，二极管处于反偏时，轻掺杂N阱区与沟槽栅之间的电流通道被反型成P型，使P型重掺杂区与P型轻掺杂区连通，从而提高器件的抗反向浪涌能力。
一种恢复二极管结构及其制备方法

[发明专利]功率模块封装寄生电阻测试系统、方法及质量判断方法-CN202310135026.6在审
发明人：杨磊;黄建波 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种功率模块封装寄生电阻测试系统、方法及质量判断方法，包括：被测的功率模块包括至少一个功率芯片，各功率芯片的电流流入极、电流流出极及控制极分别与信号端子一一对应连接；各功率芯片的电流流入极及电流流出极分别通过功率互连与至少一个功率端子连接；各功率互连与对应功率端子上的等效寄生电阻构成相应的封装寄生电阻；直流电流源，为功率模块提供测试电流；驱动模块为功率芯片提供驱动信号；各信号采样模块，分别获取功率芯片及各封装寄生电阻两端的电压。本发明通过一次测试可得到功率模块内部各段的等效电阻，测试效率大大提高，同时可基于寄生电阻阻值测试数据分布判断功率模块内部功率互连质量，提升产品可靠性。
功率模块封装寄生电阻测试系统方法质量判断

[发明专利]一种功率芯片终结区的制备方法、终结区的结构及功率芯片-CN202210864613.4在审
发明人：杨绍明;张庆雷;王波 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率芯片终结区的制备方法及终结区结构及功率芯片，制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；终结区包括边角区与平行区，所述平行区设置有第一P型环结构，所述边角区设置有第二P型环结构，第一、第二P型环结构位于非所述场氧化层区域。其技术方案的有益效果在于，通过终结区的平行区和边角区的结构设置，其中，P+接地环决定边角的第一个电场强度,可藉由第一个P型环P+接地环来调整的电场强度,使其设计可以使用最小的曲率,避开弯角造成的电力线拥挤使电场强度增大,其可以有效减少场终结区宽度进而减少芯片总面积降低成本。
一种功率芯片终结制备方法结构

[发明专利]一种端子灵活布局的功率模块及其制造方法-CN202111293169.7在审
发明人：方建强;黄建波;张站旗 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种端子灵活布局的功率模块及其制造方法，包括塑料外框，其四角设置有螺钉安装孔，且所述螺钉安装孔的外缘周围设置有螺钉挡墙机构，铜底板，设置于所述塑料外框的底部，且所述铜底板在焊接前呈碗状弯曲，单组所述锡片的上端焊接有陶瓷覆铜基板，多组芯片焊接于所述陶瓷覆铜基板远离所述铜底板的表面，所述陶瓷覆铜基板的轮廓范围内的上端面设置有垂直于所述陶瓷覆铜基板的多组可灵活布局的电极端子，硅凝胶设置于所述外框的内部，且覆盖所述陶瓷覆铜基板与所述电极端子，所述外框的外部设置有可拆卸上盖板，且所述电极端子贯穿于所述可拆卸上盖板。该装置具有可实现对电极端子引出位置灵活布局，同时下方设置有铜底板结构可以加强散热的效果。
一种端子灵活布局功率模块及其制造方法

[发明专利]一种改进型SG IGBT的制备方法及应用-CN202210861671.1在审
发明人：王波;张庆雷 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及H01L29/00技术领域，具体涉及一种改进型SG IGBT的制备方法及应用。一种改进型SG IGBT的制备方法，包括以下步骤：S1.通过在晶圆底层上进行刻蚀形成沟槽；S2.通过在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxide，或进行氮化硅的沉积，形成SiN层；S3.在Gate Oxide上进行多晶硅的沉积形成Poly层；S4.在Poly层上进行蚀形成Poly层；S5.经过离子注入硼，进行表面沉积形成氧化层，通过对接触孔刻蚀，经过离子注入含硼化合物，在高温热过程退火处理后形成P+区，并通过金属淀积形成金属层。通过本发明提供的制备方法可以获得具有提升SG IGBT的击穿电压，并降低了开通损耗和栅极‑集电极电容的改进型SG IGBT的结构。
一种改进型 sg igbt 制备方法应用

[发明专利]一种新型塑封功率器件封装平台及其制造方法-CN202210082172.2在审
发明人：杨磊;方建强;黄建波;张站旗 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型塑封功率器件封装平台及其制造方法，包括塑封体与设置在塑封体内部的功率组件，功率组件包括陶瓷覆铜基板，陶瓷覆铜基板的表面固定连接有芯片，端子的一端固定连接在陶瓷覆铜基板的一端，且端子伸出塑封体，塑封体伸出端子的一侧为台阶状，且塑封体伸出端子的一面上开设有竖向沟槽。该装置实现功率单管封装内部绝缘，通过抬升端子相对散热面的高度，加大爬电距离和电气间隙，安装时无需进行繁琐的垫陶瓷片操作，节省装配成本，带电的端子部分到散热面沿塑封体表面的爬电距离以及电气间隙符合安全标准并不用在散热器上开槽，降低成本，增大陶瓷覆铜基板载片岛面积，可以容纳更大电流规格芯片，增大端子截面积，增强通流能力。
一种新型塑封功率器件封装平台及其制造方法

[发明专利]一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法-CN202111299798.0在审
发明人：杨绍明;杨磊;方建强 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法，方法包括：于N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；蚀刻形成的沟槽一部分到达N型漂移层中；于沟槽一内形成复晶硅栅极；形成P型基层；蚀刻形成沟槽二并于沟槽二内沉积形成P型复晶硅柱；形成N+发射极以及形成P+发射极；对栅极绝缘氧化层执行正面金属工艺，以形成发射极金属；在N型基板背面依次形成N型场截止层，P型离子注入层；于P型离子注入层背向述N型基板背面执行金属工艺。其技术方案的有益效果在于，其在电荷平衡制程条件下，超级结的双极晶体管的崩溃电压值是由P型复晶硅柱深度决定，有利不同额定电压之功率器件发展。
一种绝缘双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种功率芯片终结区的制备方法及功率芯片的制备方法-CN202210864614.9在审
发明人：杨绍明;张庆雷;王波 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种功率芯片终结区的制备及功率芯片的制备方法，终结区的制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；在未形成所述场氧化层位置依次形成P型环，所述P型环之间保持间隔设置。其技术方案的有益效果在于，P+接地环决定边角的第一个电场强度,可藉由第一个P型环P+接地环来调整的电场强度,可减少器件的对于满足崩溃电压增加场版结构带来的成本上升问题。
一种功率芯片终结制备方法

[发明专利]功率模块检测多工序一体机及使用方法-CN202111293179.0在审
发明人：王斌;张站旗;刘建国 -专利权人： 上海林众电子科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了功率模块检测多工序一体机及使用方法，包括盘，用于夹持功率模块的多组夹具，均匀分布在转盘的一侧，转盘的上端设置有传送机构，用于将不符合标准的功率模块运送处工作区域，传送机构为传送带，转盘的中部设置有机械臂，用于将不符合标准的功率模块放置到传送机构的上端。该装置具有由机器代替人工，可以减少人工成本的同时可以减少出错率，提供检测效率，同时在进行检测时产生的数据都会保存到上位机中，达到产品的数据可追溯的效果。
功率模块检测工序一体机使用方法

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