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[发明专利]一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法-CN202011229632.7有效
发明人：黄仕华;康桥;丁月珂;李林华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法，包括单晶硅片，单晶硅片的正反面均交替沉积有n层HfOx和HfNy，n＝5‑20；每一层HfOx或HfNy的厚度为3nm，其中最接近单晶硅片的为第1层，即HfOx1和HfNy1，最远离单晶硅片的为第n层，即HfOxn和HfNyn；其中：2.0x1x2…x9xn1.0，1.33y1y2…y9yn0.67。本发明采用反应磁控溅射方法沉积组分渐变的HfOx/HfNy多层薄膜，对单晶硅实现全表面钝化和选择性接触，可以克服上述提到的隧穿氧化层钝化接触技术的缺陷，并具有不使用危险气体(硅烷、磷烷或硼烷)、沉积速度快、成本低等优点。
一种单晶硅钝化接触结构及其制备方法

[发明专利]一种低成本去除冶金硅中杂质硼的方法-CN201910614564.7有效
发明人：黄仕华;周理想;陈达;丁月珂;芮哲 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法，采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层，其次通过热处理方式，调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝，以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处，使得冶金硅内部的杂质硼扩散到二氧化硅/硅界面附近，然后去除二氧化硅，最后采用化学湿法酸处理，达到去除杂质的目的。本发明提出的新方法的总杂质去除率大于96％，杂质硼去除率大于93％，具有总杂质和硼杂质去除效率高、工艺流程短、生产成本低、污染小等特点，很容易在产业化上进行推广应用。
一种低成本去除冶金杂质方法

[发明专利]抗紫外和近红外辐射的增透玻璃的制备方法-CN201910892826.6在审
发明人：黄仕华;丁月珂;李兴达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗紫外和近红外辐射的增透玻璃的制备方法，首先利用铝诱导玻璃粗化的方法在玻璃表面制备绒面结构，增加玻璃对可见光的透射；其次在绒面上生长锡掺杂的氧化锌纳米薄膜，吸收近红外辐射；最后生长钇掺杂的二氧化钛薄膜，吸收紫外辐射。铝诱导玻璃粗化、吸收近红外和紫外辐射薄膜的制备方法全部采用磁控溅射，具有工艺简单、成本低廉等特点，镀膜玻璃对波长小于380nm的紫外光的吸收超过96％，对波长大于760nm的近红外光的反射率大于65％，对波长为400～760nm的可见光的透射率大于92％，在建筑玻璃材料、汽车玻璃材料和照明灯具玻璃材料等方面具有广泛的应用前景。
波长近红外辐射可见光紫外辐射吸收铝诱导玻璃粗化制备氧化锌纳米薄膜二氧化钛薄膜紫外光玻璃表面玻璃材料磁控溅射镀膜玻璃建筑玻璃近红外光汽车玻璃增透玻璃照明灯具制备绒面生长反射率透射率锡掺杂钇掺杂透射薄膜应用

[发明专利]具有光学双转换特性的抗反射自清洁光伏玻璃的制备方法-CN201910893516.6在审
发明人：黄仕华;丁月珂;李兴达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有光学双转换特性的抗反射自清洁光伏玻璃的制备方法，采用高分子聚合物诱导成孔，在玻璃表面形成稀土掺杂的孔状三维交联网络结构，孔的尺寸为亚微米量级；其次，在多孔结构中填充几纳米至十几纳米大小的氧化硅纳米颗粒；最后，利用硅烷偶联剂处理，降低玻璃的表面能。本发明利用铕、铒、钐、钕、镱、镧等稀土离子的上/下转换发光的特点，可以把波长1100～1600nm的红外光和260～450nm的紫外光转化为可见光或近红外光，增加稀土掺杂玻璃的光学透过率，从而增加电池对光能的转换效率。
红外光硅烷偶联剂处理高分子聚合物稀土掺杂玻璃光学透过率亚微米量级氧化硅纳米可见光紫外光玻璃表面多孔结构光伏玻璃近红外光三维交联网络结构稀土掺杂稀土离子转换特性转换效率表面能抗反射自清洁波长光能成孔孔状填充制备发光诱导电池玻璃转换转化

[发明专利]一种氧化亚铜-氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910269032.4在审
发明人：黄仕华;丁月珂;池丹;张嘉华;张美影 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化亚铜‑氧化锌异质结太阳能电池及其制备方法，以康宁玻璃为衬底，利用磁控溅射法生长金属钛，随后在钛薄膜上溅射银电极；利用反应磁控溅射法生长氮掺杂Cu₂O薄膜；采用等离体子化学气相沉积法在氮掺杂Cu₂O薄膜表面生长微晶氧化硅薄膜；利用磁控溅射法生长铝掺杂ZnO薄膜；采用磁控溅射法生长，利用掩膜板在ZnO薄膜上溅射一层Ag电极。本发明利用微晶氧化硅中的非晶氧化硅钝化Cu₂O表面的CuO深能级缺陷，掺杂的硅纳米晶输运光生载流子，同时在生长过程中引入的氢在随后退火温度下扩散到Cu₂O之中，减少其缺陷密度，从而提高Cu₂O太阳能电池的效率。
磁控溅射法异质结太阳能电池生长氧化亚铜氮掺杂氧化锌溅射微晶制备反应磁控溅射法退火化学气相沉积非晶氧化硅光生载流子深能级缺陷氧化硅薄膜太阳能电池表面生长硅纳米晶生长过程电极掺杂的金属钛铝掺杂掩膜板氧化硅银电极钛薄膜衬底钝化输运玻璃扩散引入

[发明专利]一种新型全钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201910269192.9在审
发明人：黄仕华;周理想;池丹;丁月珂;芮哲 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型全钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括晶体硅层，两侧各有一层超薄氧化硅钝化层，在其正面还有混合相硅氧化物/纳米晶硅层，反面还有本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅层，其两侧外还均有ITO层和Ag电极。本发明利用mp‑SiO_x/nc‑Si替代TOPCon电池的SiO_x/poly‑Si钝化接触结构中的poly‑Si层作为电池正面钝化接触，采用本征氢化非晶硅(a‑Si:H(i))与掺杂的a‑Si:H叠层作为背面钝化接触，设计并制备了全钝化接触晶体硅太阳能电池，从而提高了钝化接触的晶体硅太阳能电池正面的电学和光学性能。
钝化晶体硅太阳能电池制备本征氢化非晶硅超薄氧化硅背面钝化电池正面光学性能硅氧化物接触结构晶体硅层纳米晶硅掺杂的钝化层混合相电极电学叠层电池替代

[发明专利]无掺杂晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910269012.7在审
发明人：黄仕华;王佳;池丹;丁月珂;芮哲 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂晶体硅异质结太阳能电池以及其制备方法，衬底为n型c‑Si，空穴选择材料为WO₃，电子选择材料为CsF；其特征在于：在c‑Si层两侧各生长有一层本征a‑Si:H薄膜层。本发明在硅片的两侧都实现了本征氢化非晶硅(a‑Si:H)薄膜的钝化，通过钝化夹层界面处理表面复合，提高电池的整体性能。
异质结太阳能电池选择材料晶体硅钝化制备掺杂本征氢化非晶硅空穴表面复合界面处理薄膜层硅片夹层本征衬底薄膜电池生长

[发明专利]一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201811612890.6在审
发明人：黄仕华;张嘉华;芮哲;丁月珂 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构为：Ag/ITO/ZnTe/i‑a‑Si/n‑c‑Si/i‑a‑Si/CdSe/Ag；制备时，对单晶硅片进行表面清洗以去除其表面污染杂质；在硅片前后表面生长一层本征非晶硅；在硅片正面的非晶硅薄膜上面，生长ZnTe薄膜和ITO导电薄膜；在硅片背面的非晶硅薄膜上面，生长CdSe薄膜；生长前后Ag电极。本发明提出利用碲化锌(ZnTe)和硒化镉(CdSe)分别替代传统非晶硅/晶体硅结构中的p型非晶硅(p‑a‑Si)和n型非晶硅(n‑a‑Si)，ZnTe/a‑Si/c‑Si/a‑Si/CdSe结构的异质结太阳能电池的效率期望得到较大的提升。
异质结太阳能电池晶体硅制备非晶硅薄膜硅片生长薄膜本征非晶硅表面清洗表面生长表面污染单晶硅片电池结构硅片正面电极非晶硅硒化镉碲化锌去除期望替代

[发明专利]氟和钼共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法-CN201811611268.3在审
发明人：黄仕华;丁月珂;陆肖励;陈达 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟和钼共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法，首先清洗玻璃基片，然后把玻璃基片放入溅射腔，通入氩气作为溅射工作气体，调节基片与靶材间距，利用氩等离子体对基片和靶材进行预溅射，获得原子级清洁表面；然后薄膜生长，控制基片温度、氩气流量、工作气压、射频溅射功率以及溅射时间，薄膜厚度由石英晶体振荡器监控。本发明结合氧化锌的氟掺杂和钼掺杂优点，利用易于工业化生产、成本低廉的磁控溅射技术，制备了高性能的氟和钼共掺杂氧化锌透明导电薄膜材料，实现了薄膜同时拥有高电导率、高载流子迁移率、在可见光和近红外光区域的高透过率等特点。
氧化锌透明导电薄膜共掺杂制备玻璃基片靶材溅射薄膜石英晶体振荡器磁控溅射技术近红外光区域射频溅射功率载流子迁移率氩等离子体可见光薄膜生长高电导率高透过率工作气体工作气压清洁表面氩气流量氩气氟掺杂溅射腔氧化锌预溅射原子级钼掺杂放入清洗监控

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