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[发明专利]金属薄膜缺陷的检测方法-CN202111561816.8在审
发明人：孙洪福;罗锟;丁同国;梁肖 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种金属薄膜缺陷的检测方法，先在半导体衬底上形成具有铜析出物的金属薄膜，然后执行湿法清洗工艺以在所述金属薄膜的表面形成与所述铜析出物对应的空洞，在执行湿法清洗工艺的过程中，湿法清洗工艺的清洗液会与金属薄膜表面的铜析出物发生化学反应从而形成所述空洞，通过空洞可以简单、准确及快速的得到金属薄膜表面的铜析出物的缺陷分布。进一步的，通过扫描所述金属薄膜以获得所述金属薄膜表面预定区域内的空洞的数量，可将金属薄膜表面的铜析出物缺陷可量化，由此可以表征金属薄膜的铜析出物缺陷的含量，从而通过铜析出物的含量评估金属薄膜的质量。
金属薄膜缺陷检测方法

[发明专利]晶粒尺寸的测量方法-CN202111276187.4在审
发明人：孙洪福;丁同国;罗锟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶粒尺寸的测量方法，包括：提供多个参考薄膜，获取所有所述参考薄膜的反射率及晶粒尺寸；利用所有所述参考薄膜的反射率及对应的晶粒尺寸，建立所述参考薄膜的反射率与晶粒尺寸的映射关系；以及，提供待测薄膜，获取所述待测薄膜的反射率，并根据所述映射关系得到所述待测薄膜的晶粒尺寸；本发明通过所述参考薄膜的反射率及晶粒尺寸的映射关系，能够快速便捷得到待测薄膜的晶粒尺寸。
晶粒尺寸测量方法

[发明专利]电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法-CN202110088408.9在审
发明人：梁海林;丁同国;孙洪福 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01G11/46 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：获取一待测晶圆的缺陷图，根据缺陷图标定出待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个标准测量位置的坐标值。采用电阻仪测量待测晶圆的方块电阻。再获取待测晶圆在方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个实际测量位置的坐标值。比对各个标准测量位置与对应的实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。因此，本发明通过获取坐标的方式，实现探针位置偏差测量的可视化，且测量精度更高，便于精准调整所述电阻仪的位置，以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时，本发明利用机台已有设备即可实现，成本低，操作简单。
电阻探针位置校正方法方块测量方法

[发明专利]晶粒尺寸的测量方法-CN201911370500.3在审
发明人：孙洪福;罗锟;丁同国;姜国伟;王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在本发明提供的晶粒尺寸的测量方法中，通过对多个所述晶粒表面一测量路径内的多个测量点进行测量，以得到多个所述测量点的相对高度；根据所述测量路径的长度以及多个所述测量点的相对高度形成测量曲线；通过所述测量曲线得到相邻的两个所述晶粒的交接点；以及通过所述交接点确定所述晶粒的尺寸。由此，在测量所述晶粒的尺寸的过程中，避免对所述半导体衬底的切片，从而避免对所述半导体衬底的破坏。进一步的，由于避免了对所述半导体衬底的切片，从而缩短了测量所述晶粒的尺寸的周期，进而能够及时的得到所述晶粒的尺寸。
晶粒尺寸测量方法

[发明专利]形成导电层的方法-CN201910465396.X在审
发明人：刘冲;吴继科;曹秀亮;丁同国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成导电层的方法，形成导电层的步骤包括：首先在衬底上形成介电层，然后采用物理气相沉积工艺形成第一金属层，接着在所述第一金属层上形成第一氮化钛层，最后在所述第一氮化钛层上形成第二金属层，其中，所述第一金属层、第一氮化钛层及第二金属层构成导电层，通过物理气相沉积工艺形成的第一金属层的晶粒生长方向趋于一致，从而使得所述第一金属层上的所述第一氮化钛层及第二金属层中各层的晶粒生长方向均趋于一致且晶粒交界处缝隙减小，从而减小了所述导电层的表面粗糙度，避免了后续刻蚀所述导电层及部分厚度的所述介电层时所述介电层上形成凸起缺陷，提高了产品良率。
导电层第一金属层氮化钛层第二金属层介电层晶粒生长方向物理气相沉积减小表面粗糙度产品良率凸起缺陷晶粒交界处衬底刻蚀

[发明专利]金属薄膜的检测方法-CN201610853043.3有效
发明人：孙洪福;姜国伟;丁同国;梁海林 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种金属薄膜的检测方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属薄膜，所述半导体衬底的表面分中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；在所述边缘区域内的多个预设位置，检测光反射率值；根据所述多个预设位置的光反射率值与预设阈值范围的关系，判断所述金属薄膜是否出现异常。本发明方案可以实时辨识金属薄膜的异常情况，有效地避免在半导体衬底上形成的产品的良率降低。
金属薄膜检测方法

[发明专利]接触插塞的形成方法-CN201810247071.X在审
发明人： 丁同国;孙洪福;梁海林;姜国伟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触插塞的形成方法，在对形成有接触孔的基底执行清洗工艺之后，以及在向所述接触孔填充导电材料之前，增加了对所述基底执行的烘烤工艺。从而，使得接触孔中残留的清洗剂受热蒸发，实现了残留的清洗剂的去除，并使后续形成在接触孔中的接触插塞不会受到残留的清洗剂的影响。最终，保证了接触插塞的填充效果，保障了半导体器件与金属互连层的连接及电性能，提高了成品率。
接触插塞接触孔清洗剂残留基底填充导电材料半导体器件金属互连层清洗工艺受热成品率电性能烘烤去除填充蒸发保证

[发明专利]顶层金属薄膜结构以及铝制程工艺方法-CN201510490495.5有效
发明人：徐杰;李志国;黄冲;康军;丁同国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供了一种顶层金属薄膜结构以及铝制程工艺方法。所述顶层金属薄膜结构包括：从下至上依次连续层叠的第一材料层、第二材料层、第三材料层、第四材料层、第五材料层和第六材料层；其中，第一材料层和第五材料层的材料是Ti；第二材料层、第四材料层和第六材料层的材料是TiN；第三材料层为Al层。
材料层顶层金属薄膜第二材料层第一材料铝制

[发明专利]金属薄膜厚度测量方法-CN201510894224.6在审
发明人：梁海林;孙洪福;丁同国;张显良 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种金属薄膜厚度的测量方法，所述方法包括：提供多个在线生产的产品晶圆；在不同产品晶圆上形成不同厚度的金属薄膜；测量各个产品晶圆形成金属薄膜后的曲率半径值；计算各个产品晶圆的翘曲高度值；将多个产品晶圆上的金属薄膜厚度及其各自对应的翘曲高度值进行数据拟合，获得金属薄膜厚度与翘曲高度值的关系式；提供待测量产品晶圆，在待测量产品晶圆表面形成待测量金属薄膜；测量产品晶圆的曲率半径，获得待测量曲率半径值；通过待测量曲率半径值计算得到待测量翘曲高度值；将待测量翘曲高度代入金属薄膜厚度与翘曲高度值的关系式，获得待测量金属薄膜厚度值。所述方法可以避免对产品晶圆造成损伤，实现金属薄膜厚度的在线测量。
金属薄膜厚度测量方法

[发明专利]调整接触电阻的工艺方法-CN201510052266.5在审
发明人：黄飞;李志国;杨勇;姜国伟;丁同国;曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-01-31 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供的调整接触电阻的工艺方法，包括：提供半导体衬底；沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述半导体衬底；沉积第二金属，在开始沉积所述第二金属时延迟一预定时间通入一反应气体，使得所述第二金属与所述反应气体形成一顶层保护层。本发明的调整接触电阻的工艺方法中，通过增加顶层保护层的延展性，使得最后形成的合金层的边缘与中心的厚度更加均匀，从而，可以调整合金层的接触电阻值。
调整接触电阻工艺方法

[发明专利]判断磁铁性能的方法-CN201410097487.X有效
发明人： 丁同国;姜国伟;牟善勇;梁海林 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提出了一种判断磁铁性能的方法，由于磁铁性能体现在磁场强度上，若磁场强度有所下降，则会导致点火效率下降，当流入点火所需最低流量的氩气进行点火试验时，若能够点火成功，则说明磁铁所带来的磁场强度并未下降，即磁铁性能符合要求，若不能点火成功，则说明磁铁的磁场强度下降，磁铁的性能存在异常，从而快速判断出磁铁性能是否存在异常，无需更换RF进行尝试。
判断磁铁性能方法

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