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- [实用新型]一种逆导通车用IGBT模块-CN202321225967.0有效
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欧东赢
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浙江翠展微电子有限公司
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2023-05-17
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2023-09-22
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H01L25/18
- 本实用新型提供了一种逆导通车用IGBT模块，包括位于中间的注塑外壳，注塑外壳的顶侧盖设盖板、底侧固贴水冷散热基板，注塑外壳内排列设置若干双面覆铜陶瓷板，注塑外壳通过超声波端子键合与双面覆铜陶瓷板连接，双面覆铜陶瓷板的顶面固定若干逆导通IGBT芯片和一个NTC电阻，逆导通IGBT芯片内部集成有FWD芯片、IGBT芯片和二极管，若干逆导通IGBT芯片并联构成并联电路，注塑外壳于若干双面覆铜陶瓷板的周侧竖立若干Pin针，注塑外壳侧边上凸设若干功率端子，双面覆铜陶瓷板与逆导通IGBT芯片/NTC电阻/Pin针/功率端子通过铝键合引线相互连接。本实用新型能够大幅降低芯片的结温波动，提升器件可靠性。
- 一种通车igbt模块
- [发明专利]半导体裸片堆叠以及相关联系统及方法-CN202180052891.3在审
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K·K·柯比
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美光科技公司
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2021-07-10
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2023-08-22
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H01L25/18
- 本发明公开半导体裸片堆叠以及相关联方法及系统。所述半导体裸片堆叠可包含具有存储器阵列的第一裸片及具有经配置以存取所述存储器阵列的CMOS电路系统的第二裸片。所述第一裸片可不具有用于存取所述存储器阵列的电路系统。此外，所述第一及第二裸片可经接合以用作单个存储器装置，且所述第一及第二裸片的前表面经连结以在其间形成电连接。所述第二裸片可包含未由所述第一裸片覆盖的部分，所述半导体裸片堆叠的接合垫定位于所述部分中。所述第一裸片可提供用于接合线连接到所述接合垫的空间，而不干扰附接于所述半导体裸片堆叠上方的另一裸片。多个半导体裸片堆叠可堆叠在彼此顶部上且彼此成一直线。
- 半导体堆叠以及相关联系方法
- [发明专利]IGBT模块及电器设备-CN202210121494.3在审
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项澹颐
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富士电机（中国）有限公司
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2022-02-09
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2023-08-22
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H01L25/18
- 本发明涉及模块封装技术领域，具体地涉及一种IGBT模块及包含上述IGBT模块的电器设备。本发明提供的IGBT模块包括一体式的外壳和封装于外壳内部的IGBT模块电路，IGBT模块电路包括：4个IGBT单元和2个钳位二极管，每个IGBT单元包括IGBT芯片和与IGBT芯片并联的续流二极管。本发明提供的IGBT模块将三电平型IGBT功率模块所需的电器元件设置在一个独立的封装中，IGBT模块内部元件排布结构紧凑，实现整体IGBT模块的小型化，也便于多个IGBT模块进行并联，以实现更大功率的输出。
- igbt模块电器设备
- [发明专利]一种级联型GaN功率器件封装结构-CN202310348421.2有效
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冯延晖;岳春晓;邱颖宁
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南京理工大学
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2023-04-04
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2023-08-22
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H01L25/18
- 本发明公开一种级联型GaN功率器件封装结构，所述AIN层设置空腔，HEMT芯片位于AIN层空腔内，正置于框架基岛的上表面，MOSFET芯片位于AlN层上表面，HEMT芯片的栅极与MOSFET芯片的漏极形成面积堆叠；所述框架引脚包括框架栅极引脚、框架源极引脚和框架漏极引脚，框架栅极引脚、框架源极引脚和框架漏极引脚平行排列且垂直位于框架基岛的同一侧边；HEMT芯片的漏极与框架漏极引脚电气互连，MOSFET芯片的源极与框架源极引脚电气互连，MOSFET芯片的栅极与框架栅极引脚电气互连。本发明在降低共源共栅级联氮化镓器件寄生电感的同时最大程度实现高效散热。
- 一种级联gan功率器件封装结构
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