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[发明专利]半导体装置-CN202211530909.9在审
发明人：酒井纯也;羽鸟宪司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：目的在于提供能够对振荡现象进行抑制的技术。半导体装置具有导体部、彼此分离的多个半导体芯片。多个半导体芯片各自包含多个半导体开关元件。导体部将多个半导体芯片并联连接。多个半导体芯片各自所包含的多个半导体开关元件的材料包含宽带隙半导体。多个半导体开关元件中的至少任意1者的沟道长度小于或等于1.5μm。
半导体装置

[发明专利]用于对称开关和温度感测的功率模块布局-CN202211510356.0在审
发明人： T·赖特尔;M·宁多夫;W·雅各比 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于对称开关和温度感测的功率模块布局。一种功率半导体模块布置结构包括功率电子衬底，该功率电子衬底包括第一DC电压焊盘、第二DC电压焊盘、第一负载焊盘和第二负载焊盘、安装于第一负载焊盘上的第一和第二晶体管管芯、安装于第一DC电压焊盘上的第三和第四晶体管管芯，第一和第二晶体管管芯共同形成第一开关，第三和第四晶体管管芯共同形成第二开关，第一和第二DC电压焊盘布置成使得流经第一和第三晶体管管芯的第一换向环路的DC供电阻抗匹配流经第二和第四晶体管管芯的第二换向环路的DC供电阻抗，并且通往第三晶体管管芯的第一负载连接部的阻抗大于通往第四晶体管管芯的第二负载连接部的阻抗。
用于对称开关温度功率模块布局

[发明专利]半导体封装件-CN202210652004.2在审
发明人：李文熙;李承恩;金容勳 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基板；第一电子组件，设置在所述第一基板上；第二基板，设置在所述第一基板上并且设置有腔，所述腔设置在所述第二基板的一个表面中；第一连接构件，使所述第一基板与所述第二基板彼此连接；散热结构，设置在所述第二基板上，并且与所述第一连接构件间隔开；第二连接构件，设置在所述第二基板上；以及过孔，设置在所述第二基板上，与所述散热结构间隔开，并且连接到所述第一连接构件。所述第二基板包括其中设置所述腔的第一区域和连接到所述第一基板的第二区域，并且所述散热结构设置在所述第二基板的所述第一区域和所述第二区域中的每个中。
半导体封装

[发明专利]采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法-CN202010655248.7有效
发明人：杨伊杰;蒋卫娟;缑娟;孙炎权 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明属于功率器件封装结构的技术领域，具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法，采用多芯片堆叠结构的功率分立器件包括散热基板；至少两个芯片，其分别粘接在所述散热基板上，或者所述至少两个芯片以堆叠的方式粘接在所述散热基板上；其中，所述至少两个芯片与所述散热基板之间，或者所述至少两个芯片之间，均设有导电银浆层；其中，所述导电银浆层的点胶图案为星状或者十字状。采用多芯片堆叠结构的功率分立器件的制备方法可以制备上述采用多芯片堆叠结构的功率分立器件。本发明提供的采用多芯片堆叠结构的功率分立器件及其制备方法，既能保证功率器件的散热要求，又实现大功率器件封装结构小型化的目的。
采用芯片堆叠结构功率分立器件及其制备方法

[发明专利]半导体管芯封装及生产这种封装的方法-CN201710735129.0有效
发明人： E·贝内 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及包括嵌入在用已知的FO‑WLP或eWLB技术可获得的重构晶片中的第一管芯的一种封装。除了第一管芯以外，穿基板通孔插入件被嵌入在晶片中，TSV插入件是分开的元件，可能是具有将插入件的前侧和背侧上的各触点互连的金属填充通孔的硅管芯。第二管芯被安装在基板的背侧，其中第二管芯上的触点与基板的背侧上的TSV插入件的触点电连接。在基板的前侧上安装了横向连接设备，其将基板的前侧上的TSV插入件的各触点与第一管芯的前侧上的各触点互连。因此，横向连接设备和TSV插入件有效地将第一和第二管芯上的各触点互连。优选地，如从FO‑WLP技术中已知的，横向连接设备被安装在基板的前侧上的再分布层上。
半导体管芯封装生产这种方法

[发明专利]大功率智能IGBT模块及其加工工艺-CN202310115833.1在审
发明人：张佰龙;曲赫然;许冬梅;何咏欣;徐宁;宋吉昌 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种大功率智能IGBT模块及其加工工艺，模块包括外壳、底板、驱动板、芯片、绝缘衬底、粘接胶、功率端子和信号端子，所述外壳具有容置腔，所述底板固定于外壳底部，驱动板位于底板上方，于底板和驱动板之间填充有绝缘涂覆胶；所述芯片位于驱动板侧旁，并位于底板上方，并于底板上设置有绝缘衬底，芯片位于绝缘衬底上方；所述驱动板和芯片之间连接有键合线，所述功率端子连接于外壳上，所述信号端子连接于驱动板上，所述粘接胶位于底板和外壳之间；并于容置腔中灌注有环氧树脂。加工工艺包括清洗、烧结、粘接、键合、灌胶和检测步骤。有效解决了灌封模块厚度问题以及散热问题，使得模块更加轻薄，具备小型化、散热能力强的特点。
大功率智能 igbt 模块及其加工工艺

[发明专利]具有加强件的电子封装组装件-CN202310340650.X在审
发明人： D.马利克;D.A.劳拉恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开了一种电子封装技术。第一有源管芯可以安装到封装基板并且可电耦合到封装基板。第二有源管芯可以设置在第一有源管芯的顶侧上，该第二有源管芯可电耦合到第一有源管芯和封装基板中的一个或两个。至少一个开放空间可以是在第一有源管芯的顶侧上可用的。加强件的至少一部分可以基本上填充第一有源管芯的顶侧上可用的至少一个开放空间。
具有加强电子封装组装

[发明专利]一种晶上系统封装结构-CN202310068281.3在审
发明人：张宏伟 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶上系统封装结构，包括：晶上系统，其包括光电共封芯片和计算芯片，其中光电共封芯片位于计算芯片的外侧，多个光电共封芯片包围多个计算芯片，且光电共封芯片与外界相连。在晶上系统最外层设置光电共封芯片，光电共封芯片包括共封光芯片和电交换芯片，通过光芯片与外界进行高速数据传输，并通过电交换芯片，为晶上系统内部集成的计算芯片提供高速数据交换通道，提高了晶上系统与外界的数据传输效率，满足晶上系统的超高数据吞吐量需求，同时降低超算整体功耗。
一种系统封装结构

[发明专利]半导体装置-CN202080104565.8在审
发明人：白滨亮弥;饭塚新;冈本是英 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：目的在于提供一种能够将贴合起来的第1半导体装置以及第2半导体装置之间的间隙减小的技术。第1半导体装置的第1电极与第2半导体装置的第2电极之间、以及第1半导体装置的第2电极与第2半导体装置的第1电极之间的至少任意一者被电连接，对于第1半导体装置以及第2半导体装置的每一者，从第1连接部分至第2连接部分为止的部分的厚度以及保持部件的厚度分别小于或等于第1主体部分的厚度或第2主体部分的厚度。
半导体装置

[发明专利]具有显示功能的功率模块及其制造方法-CN202310113745.8在审
发明人：冯宇翔 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种具有显示功能的功率模块及制造方法，所述功率模块包括：功率模块组件，所述功率模块组件包括铝基板、布设于所述铝基板表面的电路布线层、以及贴装于所述电路布线层表面的功率模块引脚、IC芯片、IGBT芯片、单总线温度传感器芯片；数码管显示器组件，所述数码管显示器组件包括数码管显示器本体和数码管显示器引脚；外壳，所述外壳用于固定所述功率模块组件和所述数码管显示器组件。本发明提供的具有显示功能的功率模块有利研发过程中的调试，同时也能够减小产品体积、降低产品成本。
具有显示功能功率模块及其制造方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法-CN202180003343.1在审
发明人：刘威;朱宏斌;华子群;江宁;华文宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多条位线。存储器单元中的每一个存储器单元包括在第一方向上延伸的垂直晶体管和耦合到垂直晶体管的存储单元。位线中的相应一条位线和相应存储单元在第一方向上耦合到存储器单元中的每一个存储器单元的相对端部。垂直晶体管中的在第二方向上的两个相邻垂直晶体管彼此镜像对称。存储器单元阵列经过键合界面耦合到外围电路。
具有垂直晶体管存储器器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202180051986.3在审
发明人：金田达志 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：半导体装置具有：多个晶体管，相互并联电连接，分别具有第一电极；二极管，并联电连接到所述多个晶体管，具有阳极电极；第一导电图案；第二导电图案，电连接到所述第一导电图案；多个第一连接部件，分别将所述多个晶体管的所述第一电极和所述第一导电图案直接连接；以及第二连接部件，将所述阳极电极和所述第二导电图案连接，所述第一电极是源极电极或发射极电极，所述多个晶体管相互相邻地配置。
半导体装置

[发明专利]半导体封装装置及其制造方法-CN202111295039.7在审
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置及其制造方法，该半导体封装装置包括：第一线路层，具有第一表面；第二线路层，设置于所述第一表面，并设置有第一倾斜部；第一电子元件，主动面设置于所述第一倾斜部，非主动面设置有第一反射层；第二电子元件，相邻所述第一电子元件设置于所述第一表面；第三电子元件，设置于所述第二线路层上，并对应所述第一反射层；所述第二电子元件输出的光线能够经所述第一反射层反射至所述第三电子元件。
半导体封装装置及其制造方法

[发明专利]一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法-CN202210067325.6有效
发明人：朱其壮;倪飞龙;蒋海洋;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法，将集成无源器件的第二晶圆上滤波器的电极位置相对应的位置制作通孔，将第二晶圆切分成芯片后，通过贴片的方式键合到滤波器晶圆的围堰上，滤波器的围堰暴露电极及功能区域，从而实现不同尺寸无源器件芯片与滤波器晶圆的晶圆级封装，不仅提高了封装效率，晶圆的利用率，而且还能够提高良品率，降低封装损耗。
一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法

[发明专利]一种射频封装结构-CN202310070872.4在审
发明人：李啸麟;朱丹;顾建忠 -专利权人：芯朴科技（上海）有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种射频封装结构，包括集成高中低三个频段放大电路的放大芯片、CMOS控制芯片和开关芯片，本发明移除了高频通路切换开关，能够改善高频功放的功耗问题。
一种射频封装结构