专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法-CN202310423014.3在审
  • 杨晓华;邵旭萍;王得富;包正斌 - 南通大学
  • 2023-04-19 - 2023-09-08 - G21K1/00
  • 本发明公开一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法,包括以下步骤:步骤一:分子态的制备,将分子制备在IBr分子超精细能级X1Σ态(J=0,G=2.5,F=4)|4,–4态上;步骤二:磁阱的制备,利用一组反亥姆霍次线圈,通上大小相等,方向相反的电流,则在两个线圈中轴线的中点位置处,磁场等于零,而在中点位置两侧,沿着中轴线方向产生近似线性变化的磁场,此时,沿着中轴线方向上磁场分布类似一个磁阱;步骤三:阱深的调节,在两线圈侧面放置两个电极,通上直流电,通过调节电场强度改变阱深。本发明方法在分子蒸发冷却的过程中,利用电磁结合方式,通过调节电场强度,快速改变磁阱的深度,以达到蒸发冷却的目的,同时获得浓度较高的冷分子。
  • 一种用于蒸发冷却电场辅助调节深度方法

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