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[发明专利]一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法及有机晶体薄膜与应用-CN202111518511.9在审
发明人：胡继文;李诗;唐秋实;王晓飞;桂雪峰;涂园园;黄振祝;林树东 -专利权人：国科广化精细化工孵化器（南雄）有限公司;国科广化韶关新材料研究院;国科广化（南雄）新材料研究院有限公司;中科院广州化学有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用微流控技术的有机晶体薄膜的外延生长方法及有机晶体薄膜与应用，该生长方法包括以下步骤：(1)晶体溶液的制备：在40～100℃下，将具有取向性的高分子材料溶于溶剂中，然后在‑20～10℃下冷藏，得到晶体溶液；(2)有机晶体薄膜的制备：晶体溶液在氮气的作用下，在微流控装置内部形成气流差，带动溶液在微纳米孔道中喷射到衬底表面，形成晶体初级薄膜，干燥后得到有机晶体薄膜。本发明操作简单方便，制备得到的有机晶体薄膜具有生长均匀、边缘规整的特点。
一种利用微流控技术有机晶体薄膜外延生长方法应用

[发明专利]一种生长有机半导体单晶的方法及装置-CN202111607419.X有效
发明人：陈小松;付瑶;孙首港;王颜鹏;李立强;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长有机半导体单晶的方法及装置，属于有机电子学技术领域。所述方法包括：将装有有机半导体薄膜的有机半导体薄膜空间限域装置加压后固定，然后进行加热，冷却后得到大尺寸有机半导体单晶；所述有机半导体薄膜空间限域装置用于限制有机半导体单晶的生长方向。本发明同时提供了该方法所用的装置。本发明通过一种可以施加不同大小的压力且能够被加热的装置，再通过温度与空间限制的作用控制有机半导体薄膜的二次再结晶，进而获得生长条件可控、生长时间快速以及尺寸较大的有机半导体单晶材料。
一种生长有机半导体方法装置

[发明专利]一种原子精确的金镉双金属纳米团簇及制备方法-CN202111309218.1在审
发明人：姚传好;向慧鑫 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-11-06 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子精确的金镉双金属纳米团簇及制备方法，属于无机合成化学及纳米材料制备技术领域。该方法以Au25(SR)18作为前驱体，然后将其溶于有机溶剂中，在加热条件下加入硫醇和镉盐，通过使Au25团簇表面的配体交换的同时引入镉离子，制备金镉双金属纳米团簇。本方法制备的Au4Cd4纳米团簇具有极高的镉金比例，拓宽和丰富了金镉合金纳米团簇的种类，与现有的AuCd合金团簇相比，Au4Cd4团簇的AuCd比例达到1：1，是目前发现的Cd：Au比例最大的AuCd合金团簇，同时也是原子数最小的AuCd合金团簇。这拓宽和丰富了金镉合金纳米团簇的种类，对于研究金镉合金纳米团簇的合成具有指导意义。
一种原子精确双金属纳米制备方法

[发明专利]一种有机半导体单晶阵列的制备方法-CN202110325258.9有效
发明人：汪宏;方震宇 -专利权人：中山大学·深圳
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体单晶阵列的制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底表面构筑图案化的成核模板，得到图案化样品，将有机半导体晶体颗粒均匀分散地涂抹在一干净基板上；S2：将所述图案化样品放置在所述基板的上方，其中，所述图案化样品构筑有成核模板的一面与所述基板涂抹有有机半导体晶体颗粒的一面相对且两者间隔若干距离；S3：对所述基板加热若干时间，从而在所述图案化样品上制备出有机半导体单晶阵列。本发明提供一种有机半导体单晶阵列的制备方法，解决了目前通过溶液辅助法制备得到的单晶阵列的分辨率比较低的问题。
一种有机半导体阵列制备方法

[发明专利]一种苯并吲哚碘非线性光学晶体及其制备方法和用途-CN202111191482.X在审
发明人：张馨元;张威风;胡章贵;吴以成;王继扬 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：一种苯并吲哚碘非线性光学晶体及其制备方法和用途。本发明提供的苯并吲哚碘非线性光学晶体，化学式为C24H24NOI，属于单斜晶系，空间群为Cc(No.9),晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝90.197(1)°，Z＝4,可以采用自发结晶挥发法、自发结晶降温法或籽晶法生长，生长速度快、成本低、易得到大尺寸高质量晶体；所得晶体非线性光学效应大，倍频效应强度为0.5～1.0倍的OH1，化学性质稳定，不潮解，可用于制作非线性光学器件，即包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该晶体后产生至少一束不同于入射电磁辐射的输出装置。
一种吲哚非线性光学晶体及其制备方法用途

[发明专利]具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用-CN201910161795.7有效
发明人：李金彪;付红兵;吴义室;姚建年 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于光电材料应用表征领域，具体涉及具有改善激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体及其制备方法与应用。本发明提供了一种由DPAVBi分子自组装所得的具有超高激子－光子耦合强度的有机半导体微纳晶体，其可以有效进行激子－光子强耦合，且耦合强度可以高达1.2eV；同时，所述微纳晶体可以实现受激发射。这为最终实现有机微纳晶体中的玻色－爱因斯坦冷凝与极化激元激光奠定了基础，且其可作为极化激元器件方面的有效材料。本发明还提供了所述微纳晶体的制备方法，通过简便的溶剂交换法即可制备得到。
具有改善激子光子耦合强度有机半导体晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种二异丙基丙胺四氟硼酸盐晶体材料及其制备方法和应用-CN202110186769.7有效
发明人：王文祥;孙悦;聂景 -专利权人：江苏建筑职业技术学院
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开一种二异丙基丙胺四氟硼酸盐晶体材料及其制备方法和应用，属于有机无机杂化材料领域。该晶体材料室温结晶于Pna21铁电空间群，在323.5K和404K附近有两次可逆相变，经示差量热扫描测定吸热量分别为40.375J/g和11.014J/g。另外，该晶体结构制备工艺简单，具有良好的热稳定性和亲水亲油性能，可以大规模生产，可作为低成本，结构明确的双亲性室温铁电材料。
一种丙基丙胺四氟硼酸盐晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种水合异氰尿酸锶化合物、水合异氰尿酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201910626169.0有效
发明人：夏明军;李如康;孟祥鹤 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种水合异氰尿酸锶化合物、其非线性光学晶体及其制备方法和用途，该化合物的化学式以Sr(HC3N3O3)·2.5H2O表示。其晶体结构属于正交晶系，空间群是Pnc2，单胞参数是α＝β＝γ＝90°。该晶体在紫外、可见及近红外波段具有较大的透过率。该晶体表现出极大的倍频效应，粉末倍频测试结果显示该类化合物的倍频效应约为10倍的KH2PO4，且能够实现相位匹配，并具有机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该晶体可用于制备非线性光学器件用于光电子科学及相关工业领域。
一种水合氰尿酸化合物非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法-CN202110243322.9有效
发明人：南瑞华;王恒;申红霞;王吉;扈琳;靳长清;坚增运;魏永星 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料，其化学式为CH3NH3(PbxTm1‑x)(BryI1‑y)3，其中，x＝0.91，y＝0.451‑1，该材料性能稳定，具有较好的电阻率和较低的漏电流，电阻率可达4.79×108Ω·cm，漏电流可达56nA；本发明还提供了该晶体材料的制备方法，配置含有溴元素和碘元素的前驱液并将其混合形成混合液，将稀土氧化物Tm2O3混合至该混合液中，过滤后将其置于加热水箱中加热使晶体生长，干燥后即得到晶体材料，制备工艺简单，过程易于控制，在晶体生长过程中通过三段升温控制方法使得晶体生长过程稳定，生长的晶体质量较高，性能好，成本低。
一种稀土掺杂辐射探测器用卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种硫杂杯[4]芳烃保护的炔银簇材料及其制备方法和应用-CN202111041710.5在审
发明人：季久玉;刘娜;薛春慧;周坤 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫杂杯[4]芳烃保护的炔银簇材料及其制备方法和应用，该炔银簇材料的化学式为：C133H165Ag18Cl3F6O14S8，属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为α＝90°，β＝119.703(3)°，γ＝90°，该炔银簇材料不仅具有良好的光电流响应，而且还具有荧光传感器性质，可广泛用于光电催化领域和荧光传感器领域。
一种硫杂杯芳烃保护炔银簇材料及其制备方法应用

[发明专利]一种Spiro-OMeTAD单斜晶体的制备方法-CN202110204809.6有效
发明人：王杰;贺卿;石东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种Spiro‑OMeTAD单斜晶体的制备方法，包括以下步骤：选取特殊的溶剂，采用反溶剂气相扩散辅助结晶法诱导Spiro‑OMeTAD结晶，在反溶剂逐渐挥发扩散的作用下，溶液逐渐饱和并伴随Spiro‑OMeTAD单斜晶体析出。通过本发明提供的方法制备出的Spiro‑OMeTAD单斜晶体，具有更高的空间对称性，通过导电性能测试发现其相比于三斜晶体具有更好的导电性能。
一种 spiro ometad 单斜晶体制备方法

[发明专利]一种于氯苯溶液中生长Spiro-OMeTAD单晶的方法-CN202110206646.5有效
发明人：贺卿;王杰;石东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种于氯苯溶液中生长Spiro‑OMeTAD单晶的方法，包括以下步骤：首先使用氯苯溶液溶解Spiro‑OMeTAD，其次使用特定波长的紫外光照射，最后再使用反溶剂气相扩散辅助结晶法诱导Spiro‑OMeTAD结晶，即可制得。通过本发明的方法可以制备出不含氯苯溶剂分子的Spiro‑OMeTAD单晶，其是通过改变溶质分子在溶剂中的存在状态进而改变结晶方式。该方法制备出的Spiro‑OMeTAD单晶未使用传统意义上的DMSO溶剂，所以不会溶解钙钛矿，因此克服了其在实际应用中的缺陷，使其作为空穴传输材料的光电子器件可以与钙钛矿太阳能电池的器件制备工艺相兼容。
一种氯苯溶液生长 spiro ometad 方法

[发明专利]一种多苯基鏻单晶光纤及其制备方法与应用-CN202011014955.4有效
发明人：任燕;高泽玉;张承乾 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种多苯基鏻类单晶光纤及其制备方法与应用。所述的多苯基鏻单晶光纤化学组成为四苯基卤化鏻或四苯基卤化鏻水合物晶体，所述的多苯基鏻单晶光纤的分子式为C24H20PX·nH2O，其中X为Cl、Br或I，n≥0，直径为1～50μm，长径比≥500：1。本发明首次采用下种生长的方式进行制备多苯基鏻单晶光纤。与现有技术相比，本发明的方法可以将光纤直径可以控制在1～50μm范围之内，制备的多苯基鏻单晶光纤拥有极大的长径比和比表面积，光纤直径可控，表面光滑，光纤质量高、体积小，导光性好，拉伸强度高，可应用于受激拉曼散射、非线性频率转换及光波导器件的制备。
一种苯基鏻单晶光纤及其制备方法应用

[发明专利]一种六棱LLM-105炸药大单晶及其制备方法-CN202010745795.4有效
发明人：周小清;李洪珍;张祺;徐容;郝世龙;陈东;齐广宇;杨宗伟 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种六棱LLM‑105炸药大单晶及其制备方法，包括以下步骤：将LLM‑105固体、添加剂按不同比例与一定量的良溶剂混合，制备得到LLM‑105混合溶液；将上述LLM‑105混合溶液与不良溶剂按一定的比例混合，在一定的温度下搅拌一段时间后，过滤，得到澄清溶液。然后将所述的澄清溶液静置，降温至室温，过滤，洗涤，干燥，得到1mm～5mm粒度范围的六棱LLM‑105炸药大单晶。本发明的制备方法工艺路线简单，可以得到六棱柱形貌的炸药大单晶。
一种 llm 105 炸药大单晶及其制备方法

[发明专利]一种具备光波导性质的0维锑化物单晶的制备方法-CN202011543230.4有效
发明人：解仁国;刘峰;汪大洋;杨文胜 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明的一种具备光波导性质的0维锑化物单晶的制备方法属于半导体材料制备技术领域，首先将氯化锑、十二烷基三甲基氯化铵溶解于二甲基甲酰胺溶液中，进行强超声分散、过滤得到前驱体溶液，在密封体系下，将非极性溶剂缓慢扩散至前驱体溶液中，24小时后析出棒状晶体，即为具备光波导性质的0维锑化物单晶。本发明具有操作简单、晶体形貌固定、荧光产率高等优点，制备的晶体具有优异的光波导性质和线偏振性质，并且在高能量激发下呈现双光性质。
一种具备波导性质维锑化物单晶制备方法