专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种大尺寸钙钛矿单晶的动力生长装置及方法-CN201910114512.3有效
  • 徐强;聂婧;欧阳晓平 - 南京航空航天大学
  • 2019-02-14 - 2020-11-20 - C30B29/54
  • 本发明涉及一种大尺寸钙钛矿单晶的动力生长装置及方法,该方法基于动力循环和逆温结晶来生长高晶体质量的钙钛矿单晶,属于晶体材料技术领域。该装置利用蠕动泵实现装置中钙钛矿溶液无接触循环流动,将原料供给腔体中的浓度较高的钙钛矿溶液连续的输运到晶体生长腔体中,同时晶体生长腔体中浓度较低的钙钛矿溶液重新进入原料供给腔体。通过调节蠕动泵的转速,控制溶液溶度交互速度,确保晶体可以稳定的生长。本发明可以实现钙钛矿晶体的连续生长,以获得大尺寸的钙钛矿单晶,有利于钙钛矿晶体在各领域中的应用。
  • 一种尺寸钙钛矿单晶动力生长装置方法
  • [发明专利]一种大面积分子晶体及其制备方法-CN201710452228.8有效
  • 江浪;石燕君;刘洁 - 中国科学院化学研究所
  • 2017-06-15 - 2020-09-25 - C30B29/54
  • 本发明公开了一种大面积分子晶体及其制备方法。所述大面积分子晶体的制备方法包括如下步骤:将有机半导体溶液置于疏水性基底上,并用亲水性基底覆盖所述疏水性基底,经生长即在所述亲水性基底上得到分子晶体;所述有机半导体溶液采用的溶剂为氯苯、三氯甲烷、二氯苯和二甲苯中至少一种;所述有机半导体溶液的质量体积浓度为0.01mg/mL~15mg/mL;所述有机半导体溶液的溶质为有机半导体分子。本发明提供的大面积分子晶体具有面积大、均匀度高及表面平整的特征,由这些大面积二维分子晶体制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压,为后续的P‑N异质结的制备打下了坚实的基础。
  • 一种大面积分子晶体及其制备方法
  • [发明专利]一种无铅钙钛矿晶体CH3-CN202010461450.6在审
  • 苏静;黄一强;刘斌;陈韩;沈国柱;刘玉柱 - 南京信息工程大学
  • 2020-05-27 - 2020-08-25 - C30B29/54
  • 本发明公开了一种无铅钙钛矿晶体CH3NH3SnBr3的制备方法,将甲胺溶液和氢溴酸溶液混合得到白色状CH3NH3Br粉末,然后制备SnBr2溶液,接着将CH3NH3Br粉末溶解在Br2溶液中得到无色透明CH3NH3SnBr3溶液,将步CH3NH3SnBr3溶液在90℃的温度下静置2h,然后降温至65℃,将降温后的CH3NH3SnBr3溶液上层饱和溶液转移到另一个预热的烧瓶中,然后降温至晶体析出,得到CH3NH3SnBr3晶体,生长结束后取出晶体并真空封装。本发明采用溶液降温法,制备方法简单,易于操作,具有合成工艺简单,生长周期短的优点;同时,将配置好的溶液降温后取出上层清液并转移,可以简单方便地获得饱和的生长母液,晶体的生长周期较短。
  • 一种无铅钙钛矿晶体chbasesub
  • [发明专利]一种自支撑Janus光子晶体材料及其制备方法和应用-CN201910091183.5有效
  • 王京霞;刘俊超;江雷 - 中国科学院理化技术研究所
  • 2019-01-30 - 2020-08-14 - C30B29/54
  • 本发明提供了一种偶氮聚合物为材质的自支撑Janus光子晶体材料,该晶体材料包括有薄膜层以及覆盖在薄膜层表面的光子晶体层,所述光子晶体层具有反蛋白石多孔结构,且该光子晶体材料为光化学和光热结合的双驱动模式,使其具有更大的卷曲角度。光子晶体材料的卷曲造成其结构色和光子禁带的变化,使结构色进而可以指示光子晶体材料卷曲进程。本发明提供的光子晶体材料有效的将光能转变为了机械能:光驱动的卷曲作用,在20s内可以使轴承转动670°;光驱动下,在倾角为10°的坡面上以0.571mm/s的速率爬坡。此外,本发明提供的自支撑Janus光子晶体材料制备方法简单、成本低廉、适合大规模制备。
  • 一种支撑janus光子晶体材料及其制备方法应用

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