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[发明专利]PRAME结合性分子-CN202180083394.X在审
发明人：珠玖洋;赤堀泰;平塚宽之 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供PRAME结合性分子，该课题通过如下的PRAME结合性分子解决，该PRAME结合性分子包括：含有包含序列编号1所示的氨基酸序列的重链CDR1、包含序列编号2所示的氨基酸序列的重链CDR2、和包含序列编号3所示的氨基酸序列的重链CDR3的重链可变区；和/或含有包含序列编号9所示的氨基酸序列的轻链CDR1、包含序列编号10所示的氨基酸序列的轻链CDR2、和包含序列编号11所示的氨基酸序列的轻链CDR3的轻链可变区。
prame 结合分子

[发明专利]识别来自MAGE-A4的肽的抗原结合性蛋白-CN201880037404.4有效
发明人：珠玖洋;赤堀泰;加藤裕也;宫原庆裕 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C12N15/13 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题在于：提供一种能够用于使用癌症特异性细胞内抗原的CAR输注疗法的CAR‑T细胞。解决技术问题的技术方案为：通过如下的癌症治疗用CAR‑T细胞来解决，该癌症治疗用CAR‑T细胞具有识别来自MAGE‑A4的肽和HLA‑A2复合体的抗体，上述抗体具有序列号36的VH的氨基酸序列和序列号38的VL的氨基酸序列。此时，上述抗体优选具有序列号32的氨基酸序列。
识别来自 mage a4 抗原结合蛋白

[发明专利]模拟炉内气氛的方法和热处理金属材料的方法-CN202211580721.5在审
发明人：森雅史;中村豪志;江口健司;柴原陆;矢野贤一 -专利权人：大同特殊钢株式会社;国立大学法人三重大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种模拟炉内气氛的方法，包括模拟当在热处理炉中于炉内气氛下进行金属材料的热处理时包含CO和CO2中的至少一者的炉内气氛的组成随时间的变化，其中使用包括炉内气氛的组成变化的数学模型进行模拟，并且所述炉内气氛的组成变化考虑以下因素：流入热处理炉的气体的流率、从热处理炉流出的气体的流率、以及选自由炉内气氛中的气相化学反应和金属材料表面上的气相/固相化学反应组成的组中的至少一种化学反应的反应速率。
模拟气氛方法热处理金属材料

[发明专利]模具构造、压力加工装置及压力加工方法-CN202180060658.X在审
发明人：北角真一;池浦良淳 -专利权人：株式会社一志精工电机;国立大学法人三重大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B21D37/12 文献下载
摘要：一种模具构造、压力加工装置及压力加工方法，其能降低起因于压力机主体的不稳定的定位精度的影响，不需要由熟练者进行的压力加工装置的调整，生产性优异，并且相对于压力机主体的安装和拆卸容易。模具构造(1)具备固定在固定台(2)上的下模(3)；设置在下模(3)的上方的上模(4)；设置在上模(4)和下模(3)之间的第一弹性体(11)及止动器(10)；和与上模(4)的可动台(5)侧连结的压力调整装置(6)，在压力加工的非加压时，第一弹性体(11)使上模(4)和下模(3)离开，在压力加工的加压时，止动器(10)一边规定上模式的下死点位置，一边从压力调整装置(6)的压力板(7)经第二弹性体(8)向上模(40)施加来自可动台(5)的压力，将被加工材料(30)夹入在上模(4)和下模(3)之间进行加压。
模具构造压力加工装置方法

[发明专利]参比电极-CN201880052535.X有效
发明人：桥本忠范;石原笃;西尾友志;室贺树兴;伊东裕一 -专利权人： 国立大学法人三重大学;株式会社堀场先进技术
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：为了提供内部溶液8不会流出到样品溶液中的参比电极1，参比电极的特征在于，具备与样品溶液接触的不敏感部11，所述不敏感部11具有电子导电性，所述不敏感部11的与所述样品溶液接触的面由不敏感玻璃或不使液体透过的不敏感陶瓷形成。
参比电极

[发明专利]T细胞受体-CN201980009889.0有效
发明人：珠玖洋;宫原庆裕;藤井启介;城达郎;岸裕幸 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C07K14/725 文献下载
摘要：本发明提供一种用于预防或治疗与HTLV‑1相关的疾病例如ATL的技术、用于该技术的材料、以及用于筛选该材料的方法等。本发明提供了一种TCR筛选方法，其包括从来自HTVL‑1患者的细胞中分选识别源自HTLV‑1的抗原的细胞，并对所述识别源自HTLV‑1的抗原的细胞进行TCR谱系分析，按照每种TCR类型的细胞数目的降序对TCR类型进行排名，然后选择排名较高的TCR。本发明提供了用于HTLV‑1相关疾病的预防或治疗剂，其包括可通过所述TCR筛选方法获得的TCR和表达所述TCR的细胞，所述TCR包含特定的CDR。
细胞受体

[发明专利]癌症检测装置、癌症检测方法和用于癌症检测的染色剂-CN201780036233.9有效
发明人：沟口明;田中光司;片山直之;野阪哲哉;田中匡介;王淑杰;垣内爱加;崔煌植;木村一志 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： A61B1/00 文献下载
摘要：提供一种癌症检测装置(1)，其具有：用于将染色剂(45)涂布于活细胞群的涂布单元(40)，所述染色剂可以选择性地使活细胞中的癌症相关基因产物染成有彩色；用于已经对其涂布了所述染色剂(45)的活细胞群成像的成像单元(10)；以及用于基于通过上述成像所获得的图像中的所述活细胞群中癌相关基因的染色表达图样的状态来确定所述活细胞群的癌变的恶性水平的测定单元(52)。
癌症检测装置方法用于染色剂

[发明专利]氯中和剂、使用其的投入型氯中和剂、氯中和装置以及氯中和方法-CN201780058451.2有效
发明人：福崎智司;新井田康朗;横沟昌子 -专利权人： 国立大学法人三重大学;可乐丽可乐富丽世股份有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：提供使用和制造简便的氯中和剂、使用其的投入型氯中和剂、氯中和装置、及氯中和方法。中和氯系成分的氯中和剂包括选自乙烯醇系聚合物和聚酰胺树脂的至少一种，并且所述乙烯醇系聚合物在重复结构单元中至少包含乙烯醇。
中和剂使用投入中和装置以及方法

[发明专利]氮化物半导体基板、半导体元件及氮化物半导体基板的制造方法-CN202180016240.9在审
发明人：三宅秀人;王丁;上杉谦次郎 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：氮化物半导体基板(11、21)具备基板(2)和设在基板(2)的上方的含AlN膜(100、200)，含AlN膜(100、200)的膜厚为10000nm以下，含AlN膜(100、200)的贯通位错密度为2×108cm‑2以下。
氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件-CN201711244180.8有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;三宅秀人 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社;国立大学法人三重大学
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明提供即便是在衬底上形成有凹凸图案的情况下、也能够容易地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：准备工序，作为衬底，准备在表面形成有凹凸图案的图案衬底；第一层形成工序，在图案衬底的凹凸图案上，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层，并且以第一层的表面不发生平坦化的厚度形成第一层；退火工序，对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，以与经历退火工序后的第一层重叠的方式，以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，并且以第二层的表面平坦化的厚度形成第二层。
氮化物半导体模板制造方法半导体器件

[发明专利]氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置-CN202210629148.6在审
发明人：三宅秀人 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括：准备工序(S10)，准备蓝宝石衬底(2)；以及缓冲层形成工序(S16)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层(3)，缓冲层形成工序(S16)，包括：III族氮化物半导体形成工序(S16a)，在蓝宝石衬底(2)上形成AlN缓冲层的前驱体(3a)；以及退火工序(S16b)，在由用于抑制从形成后的AlN缓冲层的前驱体(3a)的主面中其成分离解的罩部件(蓝宝石衬底(102)等)覆盖AlN缓冲层的前驱体(3a)的主面的气密状态下，对形成有AlN缓冲层的前驱体(3a)的蓝宝石衬底(2)进行退火。
氮化物半导体衬底制造方法及其加热装置

[发明专利]双特异性抗体-CN202180009615.9在审
发明人：珠玖洋;赤堀泰;田中健人;谷津彩香;市川淳也;大塚敏明;上妻志保;桥本隆二;中山麻纪子;篠崎直也;中村健介;渡边一郎;古薗信二 -专利权人： 国立大学法人三重大学;第一三共株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C12N15/13 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够用作抗肿瘤剂的新型抗体，以及含有包括该抗体等的分子作为有效成分的抗肿瘤剂。抗体或其结合片段，含有以下重链和轻链：由SEQ ID NO:54所示的氨基酸序列组成的重链CDRH1；由SEQ ID NO:55所示的氨基酸序列组成的重链CDRH2；由SEQ ID NO:56所示的氨基酸序列组成的重链CDRH3；由SEQ ID NO:57所示的氨基酸序列组成的轻链CDRL1，或者由SEQ ID NO:57所示的氨基酸序列中第7位氨基酸为W和/或第8位氨基酸为K的氨基酸序列组成的轻链CDRL1；由SEQ ID NO:58所示的氨基酸序列组成的轻链CDRL2；以及，由SEQ ID NO:59所示的氨基酸序列组成的轻链CDRL3，或者由SEQ ID NO:57所示的氨基酸序列中第2位氨基酸为A或S的氨基酸序列组成的轻链CDRL3。
特异性抗体

[发明专利]氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件-CN201711209088.8有效
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;三宅秀人 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社;国立大学法人三重大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件。本发明的课题在于提供一种能够高效地得到高品质的氮化物半导体模板的技术。本发明的解决手段为经由下述工序来制造氮化物半导体模板：第一层形成工序，在衬底上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第一层；退火工序，在非活性气体气氛中对第一层进行退火处理；和第二层形成工序，在退火工序后的第一层上以外延生长方式形成由包含铝的氮化物半导体形成的第二层，从而由第一层和第二层构成氮化物半导体层。
氮化物半导体模板制造方法半导体器件

[发明专利]氮化物半导体衬底的制造方法-CN201680001953.7有效
发明人：三宅秀人 -专利权人： 国立大学法人三重大学
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种氮化物半导体衬底(1)的制造方法，包括包括如下步骤：将在蓝宝石衬底的表面形成有由AlN的晶粒组成的AlN缓冲层的前驱体而成的半导体衬底，以与所述前驱体的间隙为0.5mm以下的方式与罩部件相对地容纳在退火炉内，以抑制由所述半导体衬底的加热引起的AlN成分的离解；以及使所述退火炉内成为惰性气体的气氛，使所述半导体衬底的温度为1600℃以上1750℃以下进行20分钟以上的退火，退火后的(10－12)面的X射线摇摆曲线的半峰全宽为1000arcsec以下。
氮化物半导体衬底制造方法

[发明专利]源自西瓜的新化合物和使用该新化合物的组合物-CN202080043738.X在审
发明人：桥诘利治;伊藤智広;纐纈守;二宮真之 -专利权人：株式会社萩原农场生产研究所;国立大学法人三重大学;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C07H15/203 文献下载
摘要：本发明提供一种西瓜幼果中所含的具有抗氧化作用的新化合物。西瓜幼果中所含的式(1)或式(2)表示的新化合物具有抗氧化作用，还具有抗皮肤老化作用。由于这些化合物是来自原本可食用的植物的提取物，因此对人类的安全性非常高。因此，以这些化合物作为有效成分的抗氧化用药物组合物、抗氧化用加工食品组合物、抗皮肤老化用组合物作为安全性高的组合物具有高利用价值。
源自西瓜化合物使用组合

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