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[发明专利]一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法-CN202211496675.0在审
发明人：黄丽;胡忠武;张文;高选乔;殷涛;郭林江;郑晗煜;任广鹏;刘燕 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法，包括以下步骤：步骤一、将钼原料和铌原料混合，然后通过电子束悬浮区域熔炼，得到退火前单晶钼铌合金；步骤二、将步骤一中得到的退火前单晶钼铌合金进行真空退火，得到力学性能提升的单晶钼铌合金。本发明通过在钼单晶中添加合金元素铌，有效提升纯钼单晶的强度和高温稳定性，并将通过电子束悬浮区域熔炼制备得到的钼铌单晶进行真空退火，有效降低钼铌单晶体系的内应力，改善钼铌合金单晶内部的微观缺，从而促进位错滑移，以此提升钼铌单晶的力学性能，尤其是塑性变形能力。
一种提升钼铌单晶室温力学性能方法

[发明专利]一种提纯六硼化镧的方法-CN202110774066.6有效
发明人：杨新宇;邓陈辉;张久兴;王可;王衍 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明提供一种提纯六硼化镧的方法，包括以下步骤：(1)在感应等离子球化设备对六硼化镧原料粉末进行第一次纯化；(2)将从步骤(1)得到的粉末置于放电等离子炉中，利用脉冲电流在粉末颗粒间均匀放电，对六硼化镧粉末进行第二次纯化得到六硼化镧料棒；(3)将步骤(2)中得到的六硼化镧料棒置于光学区熔炉中，对材料进行局部熔化，区熔结束后切掉两端，进行一次或多次区熔，从而获得高纯六硼化镧阴极材料。经过本发明的方法提纯后获得的六硼化镧阴极材料的热发射性能有了显著提高，从而使得该阴极材料在未来大功率、长寿命的真空器件中的应用成为可能。
一种提纯六硼化镧方法

[实用新型]一种多功能电子束区域熔炼炉-CN202020041381.9有效
发明人：孙照富;宁堃 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本实用新型属于超纯材料制备技术领域，尤其涉及一种多功能电子束区域熔炼炉，包括上送料夹料机构1、炉体2、电子枪3、真空系统4、机架5、电子枪移动机构6、下送料夹料机构7、观察视窗8、操控箱9、高压电源、自动控制系统和水冷系统；所述上送料夹料机构1深入到炉体2内的端部为上夹料头，所述上夹料头上夹持待熔化的料棒。本实用新型可满足枪体与送料夹料机构同步协调运动的功能，可实现熔炼材料的多样化，结构紧凑，可满足直径50mm尺寸的料棒熔炼，布局合理，维修维护方便。
一种多功能电子束区域熔炼炉

[发明专利]一种多功能电子束区域熔炼炉-CN202010025190.8在审
发明人：孙照富;宁堃 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明属于超纯材料制备技术领域，尤其涉及一种多功能电子束区域熔炼炉，包括上送料夹料机构1、炉体2、电子枪3、真空系统4、机架5、电子枪移动机构6、下送料夹料机构7、观察视窗8、操控箱9、高压电源、自动控制系统和水冷系统；所述上送料夹料机构1深入到炉体2内的端部为上夹料头，所述上夹料头上夹持待熔化的料棒。本发明可满足枪体与送料夹料机构同步协调运动的功能，可实现熔炼材料的多样化，结构紧凑，可满足直径50mm尺寸的料棒熔炼，布局合理，维修维护方便。
一种多功能电子束区域熔炼炉

[发明专利]一种激光辅助加热生长大尺寸晶体的方法及专用设备-CN201810501253.5在审
发明人：线全刚;张重远;金浩 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种激光辅助加热生长大尺寸晶体的方法及专用设备，所述设备包括激光心部加热装置、氙灯表面加热装置、底座和真空腔体等，在制备晶体时，采用氙灯与激光协同加热的方式引晶生长。本发明通过对专用设备的结构和功能设计，在悬浮熔区的中央部位引入精度高且可控性强的激光加热热源，形成表面氙灯加热和心部激光加热的复合加热方式，并结合过对工艺过程的控制，解决了大尺寸试棒晶体的生长难题，使其可生长直径达30mm的晶体，以利于实现工程化应用。
氙灯加热生长激光加热专用设备心部激光表面加热装置复合加热方式大尺寸晶体工程化应用工艺过程功能设计激光辅助加热装置真空腔体晶体的可控性热源熔区试棒引晶底座制备悬浮协同引入

[发明专利]激光辅助加热生长大尺寸钛合金晶体的方法及专用设备-CN201810501859.9在审
发明人：线全刚;金浩;张重远;刘荣华 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种激光辅助加热生长大尺寸钛合金晶体的方法及专用设备，所述设备包括激光心部加热装置、氙灯表面加热装置、底座和真空腔体等，在制备晶体时，采用氙灯与激光协同加热的方式引晶生长。本发明通过对专用设备的结构和功能设计，在悬浮熔区的中央部位引入精度高且可控性强的激光加热热源，形成表面氙灯加热和心部激光加热的复合加热方式，并结合过对工艺过程的控制，解决了大尺寸钛合金试棒晶体的生长难题，使其可生长直径达30mm的晶体，以利于实现工程化应用。
氙灯加热生长激光加热专用设备晶体的钛合金心部激光表面加热装置复合加热方式工程化应用工艺过程功能设计激光辅助加热装置真空腔体可控性热源熔区试棒引晶底座制备悬浮协同引入

[发明专利]一种制备铱单晶的方法-CN201710260495.5有效
发明人：王斌强;李双明;钟宏;胡锐;杨劼人;刘毅;罗锡明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：一种制备铱单晶的方法，针对铱密度大，熔区长度控制较难的问题，利用电子束悬浮区域熔炼技术制备铱单晶。制备中通过合理控制电流参数，熔区借助表面张力保持在原始料棒和已凝固料棒之间，并在电子枪沿其长度方向缓慢移动时定向凝固，从而沿着整个料棒的长度方向生长成为单晶。通过合理控制电子枪行走速率，即定向凝固速率，得到铱单晶。本发明的制备过程具有可重复性，在相同的条件下多次制备均能够获得成功。
一种制备铱单晶方法

[实用新型]一种激光辅助加热生长晶体的装置-CN201820772839.0有效
发明人：线全刚;金浩;张重远 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光辅助加热生长晶体的装置，包括激光心部加热装置、氙灯表面加热装置、底座和真空腔体，其中：激光心部加热装置：激光聚焦镜头安装于镜头支架上，并通过光纤与激光器相连，上支撑杆固定于镜头支架下，上支撑杆与激光聚焦镜头之间设有透镜；送料棒悬挂于上支撑杆下端；籽晶棒位于送料棒的下方，并固定在下支撑杆上，送料棒与籽晶棒之间形成悬浮熔区；氙灯表面加热装置：氙灯固定装置位于镜头支架和底座之间，氙灯设置在椭球反光镜凹面一侧；真空腔体：上真空腔体、石英管和下真空腔体之间形成一个真空腔体。本实用新型通过结构和功能设计解决了大尺寸试棒晶体的生长难题，使其可生长直径达30mm的晶体，以利于实现工程化应用。
氙灯镜头支架上支撑杆真空腔体晶体的送料棒生长表面加热装置激光聚焦镜头本实用新型激光辅助加热装置籽晶棒心部底座加热激光透镜工程化应用上真空腔体椭球反光镜下真空腔体功能设计固定装置激光器石英管支撑杆凹面熔区试棒下端悬浮光纤悬挂

[发明专利]一种激光加热区熔生长大薄片或异形翘曲单晶的装置及其生长方法-CN201610068252.7有效
发明人：昝涵今;昝育德 -专利权人：昝涵今
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光加热区熔生长大薄片或异形单晶的装置及其生长方法，该装置包括可加热材料的激光器组，激光器（包括电源），传输激光的光纤，光纤输出端固定架和激光束移动装置；采用上述装置来生长大单晶薄片或异形碳化硅单晶的工艺为准备样品、调试激光、生长晶体三个步骤。本发明采用激光加热区熔法制备单晶，可获得大尺寸薄片或异形单晶（包括碳化硅单晶、硅单晶等），为晶体生长领域提供了一个良好的思路，满足市场对于大尺寸碳化硅等材料的单晶需求。
一种激光加热生长薄片异形翘曲单晶装置及其方法

[发明专利]一种晶体的生长装置及生长方法-CN201510383437.2有效
发明人：狄聚青;朱刘;胡丹 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体的生长装置，包括聚光屏；设置在聚光屏内的红外光源和透明的坩埚，所述红外光源设置在所述坩埚的周围；用于支撑所述坩埚的支撑杆；所述支撑杆和坩埚通过坩埚托相连接。本发明提供的生长装置采用透明的坩埚作为晶体生长的场所，本发明提供的晶体的生长装置不仅可以生长常规光学浮区法所能生长的晶体之外，还能够生长表面张力较低的晶体、容易氧化的晶体和有易挥发组分的晶体，实验结果表明，本发明提供的生长装置得到的晶体结晶性能良好，无气泡等缺陷，单晶重复率较高，不同批次间单晶质量差异小。成晶率在90～100％之间。本发明还提供了一种晶体的生长方法。
一种晶体生长装置方法

[发明专利]区熔炉加热装置的电极-CN201210362302.4有效
发明人：袁静;李岩;张继宏;徐振斌 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明提供一种区熔炉加热装置的电极，涉及电加热技术领域，解决了现有加热装置中电极的输出效率低，且电极间易产生拉弧放电现象，导致区熔炉的安全性降低的问题。本发明中，由于电极绝缘套能使柱状本体与第一电极下头、电极筒及第一电极法兰电绝缘，并在第一和第二电极下头之间设置了第一电极绝缘片、在第一和第二电极法兰之间设置了第二电极绝缘片，使得第一电极和第二电极能通过固体绝缘材料相互电绝缘，绝缘性能好，避免了拉弧放电现象，且由于电极筒置于绝缘套内，使其与区熔炉绝缘，提高了区熔炉的安全性，同时最大限度减少了高频电源输出损耗，提高了高频电源输出功率。本发明主要用在对硅材料进行提纯和单晶生长的区熔炉中。
熔炉加热装置电极

[发明专利]一种快速生长掺杂Bi₄Ge₃O₁₂(BGO)晶体的技术方法-CN201210459702.7无效
发明人：俞平胜 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法，属于人工晶体材料领域。所用的生长方法为光浮区法，首先要制作原料棒，生长时籽晶与料棒之间形成一熔区，使熔区自下而上移动，完成单晶生长。因Al、Mg、Ca等掺杂的Bi4Ge3O12(BGO)熔体粘度小，熔区容易坍塌，故需要以较快的速度生长，同时还需要送棒，并且要在惰性气氛下生长。上述掺杂晶体生长技术与工艺的主要特征为：其生长气氛可以是氩气、氮气等；其保护气流量为0.4～0.6L/min；其生长速度范围为10.00～13.00mm/h；其送棒速度范围为1.00～2.50mm/h。
一种快速生长掺杂 bi sub ge 12 bgo 晶体技术方法

[实用新型]新型区熔提纯炉-CN201220326834.8有效
发明人：陈畑畑;梁进智 -专利权人：北京奥依特科技有限责任公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了新型区熔提纯炉，包括柜体、区熔腔体、行车装置、电气控制装置以及真空机组，区熔腔体、行车装置以及电气控制装置均安装在柜体中，柜体为双层框架式结构，行车装置和区熔腔体安装在柜体的上部，电气控制装置安装在柜体的下部，真空机组固定在柜体外侧，区熔腔体中设置多根石英管，石英管间形成单独的区熔空间。本实用新型的有益效果是：通过PLC控制，从把样片放入区熔腔体到取出样片，整个过程均为自动化，不但实现了真空系统自动化，还实现了工艺过程自动化，提高了作业效率，石英管之间的间隔可以调整，合成初始融化时，各个区熔空间可独自操作，实现了多状态下熔炼的目的，并且具有结构简单、使用方便的特点。
新型提纯

[发明专利]利用连续横向固化的结晶设备-CN201110342540.4有效
发明人：朴喆镐 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：一种利用连续横向固化(SLS)的结晶设备，在基板上执行结晶，所述结晶设备包括：激光产生装置，用于发射激光束；第一望远镜透镜模块和第二望远镜透镜模块，位于所述激光产生装置的一侧处，用于最小化所述激光产生装置所发射的激光束的发散角；以及主光学系统，位于所述第二望远镜透镜模块的一侧处，用于均匀化并放大透过所述第二望远镜透镜模块的激光束。所述主光学系统相对于所述激光产生装置可旋转。
利用连续横向固化结晶设备

[发明专利]一种快速生长Nb₂O₅晶体的方法-CN201010515975.X无效
发明人：王越;范修军;徐宏;蒋毅坚 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C30B13/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速生长Nb2O5晶体的方法，属于Nb2O5晶体生长领域。将Nb2O5粉制成素坯棒；将素坯棒一根籽晶杆上作为籽晶，一根悬挂于料棒杆上作为料棒，使两料棒末端接触，并且接触处在水平方向与卤素灯成一条直线，两料棒在竖直方向上成一条直线；在空气氛围中，单晶炉的卤素灯在0.2-0.5h时间内达到1600-1750W/h的功率输出，加热，使两料棒接触处融化，形成熔区；保持这种功率输出，籽晶杆和原料杆以15-20rpm逆方向旋转，原料杆和籽晶杆分别以8-15mm/h的速率向下、上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明产品无杂质、仪器简单、成本低、生长速度快，而且无需特殊气氛。
一种快速生长 nb sub 晶体方法

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