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[发明专利]化学式为Ca_0.4Sr_0.6Bi₄Ti₄O₁₅的钙钛矿结构多晶纳米粉体快速制备方法-CN201110089170.8无效
发明人：张丰庆;范素华;田清波;董蓬超;陈杨;王营营 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿结构多晶纳米粉体的制备，具体为一种化学式为Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15的钙钛矿结构多晶纳米粉体快速制备方法。其目的在于提供一种工艺简单、成本低、制备过程便于操作和控制的快速制备Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15粉体的方法。本发明的目的是采用下述技术方案实现的：以乙酰丙酮、钛酸四丁酯、醋酸锶、硝酸铋、硝酸钙、乙二醇为原料，采用溶胶-凝胶法合成。本发明的有益效果是：直接快速制得具有钙钛矿结构的高纯、超细粉体，该粉体的颗粒尺寸介于1-10µm之间，颗粒形貌近似于球形，尺寸分布范围窄、成分均匀。
化学式 ca sub 0.4 sr 0.6 bi ti 15 钙钛矿结构多晶纳米快速制备

[发明专利]一种树状大分子稳定的硫化铋纳米颗粒的制备方法-CN201110186054.8无效
发明人：史向阳;方逸;彭琛 -专利权人：东华大学
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种树状大分子稳定的硫化铋纳米颗粒的制备方法，包括：(1)配制末端为羟基的第四代聚酰胺-胺树状大分子的稀醋酸溶液；配制铋盐的稀醋酸溶液；(2)将上述的树状大分子的稀醋酸溶液和铋盐的稀醋酸溶液混合，通入H2S气体，氮气保护下反应1-2h；反应结束后，透析，冷冻干燥，即得树状大分子稳定的硫化铋纳米颗粒。本发明的制备方法操作简单，反应条件温和；所制备的树状大分子稳定的硫化铋纳米颗粒，尺寸分布较窄，具有良好的分散性，没有发生团聚现象，可潜在地应用于CT成像诊断，并已被成功地应用于兔子的活体成像。
一种树状大分子稳定硫化纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种具有三维花状微观结构的溴氧化铋粒子及其制备方法和应用-CN201110122218.0无效
发明人：霍宇凝;苗苗;张佳;金轶;李和兴 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：一种具有三维花状微观结构的溴氧化铋粒子及其制备方法，属于可见光催化剂的技术领域。溴氧化铋为粉体，具有直径在1～5μm内的三维花状微观结构，比表面积为11.2～27.9m2/g。制备方法采用乙二醇和异丙醇的混合溶液作为溶剂，铋盐和十六烷基三甲基溴化铵分别作为铋源和溴源。将铋盐和十六烷基三甲基溴化铵按Bi/Br＝1∶1～1∶4的摩尔比溶解至乙二醇和异丙醇的混合溶液中，置于密闭反应釜中，放入120～160℃烘箱中反应6～24h。所得产物经洗涤，离心，干燥，在350～450℃马弗炉中焙烧4～6h，得到最终的粉体溴氧化铋。所得产物显示较高的光催化性能。该方法简便、周期短，原料易得，适合大量生产的要求。
一种具有三维微观结构氧化粒子及其制备方法应用

[发明专利]一种用氯氧化铋生产三氧化二铋的方法-CN201110064629.9有效
发明人：罗玉德 -专利权人：云南祥云飞龙有色金属股份有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种三氧化二铋的生产方法，特别是用氯氧化铋生产三氧化二铋的方法，属于化工技术领域。本方法是使氯氧化铋处于有Bi2O3晶种的NaOH溶液中，采取逐渐升温的方式，并使体系NaOH浓度维持在35～60g/L,使氯氧化铋彻底转化为Bi2O3晶体沉淀，过滤洗涤，得产品Bi2O3，转化后液反复循环至Cl-浓度大于100g/L，加入HCl中和至中性，蒸发结晶成NaCl，洗涤后液返回用作生产Bi2O3的母液。本发明的生产方法能耗低、成本低、效率高、没有环境污染、工艺易于操控。
一种氧化生产方法

[发明专利]一种用单晶硫化铋前驱粉体制备多晶织构热电材料的方法-CN201110089254.1无效
发明人：张波萍;葛振华;于昭新;韩成功;赵笑昆 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明属于能源材料技术领域，尤其涉及一种用单晶硫化铋前驱粉体制备多晶织构热电材料的方法，该方法具体包括以下步骤：以取向一致的单晶硫化铋（Bi2S3-x,X的取值为：0≤x≤0.5）粉体（包括纳米片、纳米管、纳米线）为前驱粉体，采用放电等离子烧结技术，加压快速烧结，使得单晶粉体趋于沿垂直于压力方向排列，并冻结形成高织构度的致密多晶块体热电材料，通过调整施加压力，烧结温度和保温时间控制块体材料的织构度、晶粒度及致密度。多晶材料由于织构而表现出强的各向异性，电传输性能得到较大提升。
一种用单晶硫化前驱体制多晶热电材料方法

[发明专利]以高频等离子体为热源制备纳米三氧化二铋的方法及装置-CN201110114239.8无效
发明人：张瑜;王翔;沈志平;高跃生;黎明 -专利权人：贵州正业工程技术投资有限公司
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以高频等离子体为热源制备纳米三氧化二铋的方法及装置，将粒度不超过0.1mm的金属铋或三氧化二铋粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在6000～10000℃的高温等离子体弧区内气化，气态三氧化二铋在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。本发明创新性的采用复式给料装置均匀给料，保证粒度分布均匀，采用高频等离子体为热源，将铋氧化物瞬间物理气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米三氧化二铋，所得成品的纯度高，平均粒径为20～60nm、比表面积为48～75㎡/g、不易团聚，可以连续生产。
高频等离子体热源制备纳米氧化方法装置

[发明专利]室温固相反应制备氯氧化铋的方法-CN201010586905.3有效
发明人：徐金宝;王磊;贾殿赠 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用室温固相反应制备氯氧化铋的方法，以含氧铋盐和氯化钠为原料，在室温下混合研磨或球磨，水洗去除可溶副产物，干燥，即获得氯氧化铋产物。该方法工艺简单、高效，成本低廉，易于放大，特别是整个制备方法中不使用酸碱及有机添加剂，不需要加热，节能并且绿色无污染。通过该方法获得的产物在涂料、无机颜料、高品质化妆品和珠光饰品等领域拥有广阔的市场前景。
室温相反制备氧化方法

[发明专利]一种火法氧化铋生产方法-CN201010548257.2有效
发明人：朱世会;朱世明;朱刘 -专利权人：清远先导稀有材料有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：一种火法氧化铋生产方法，将铋锭破碎、制粉并过筛后投入卧式旋转氧化炉内升温，通过阶梯加热方式实现对氧化炉的温控，该阶梯加热包括升温和恒温阶段的重复出现，同时通入氧气氧化铋粉，氧化阶段完毕，停止供氧并降温至室温后出炉，得到氧化铋。本发明与现有技术相比，采用旋转炉来达到“搅拌”的功效，采用阶梯升温和温控措施利于铋在各相态和不同的活跃程度下充分地与氧气接触和进行氧化反应，有效地保证了反应效率和成品率。
一种火法氧化生产方法

[发明专利]高纯氧化铋的制备方法-CN200910305240.1无效
发明人：胡建华 -专利权人：天津市化学试剂研究所
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明属于一种高纯氧化铋的制备方法，其步骤为：(1)、将金属铋用高纯水洗涤后放入不锈钢反应锅内，加入高纯水及高纯硝酸，进行加热反应，冷却后过滤，将滤液浓缩，冷却得到结晶；(2)、将步骤(1)中的结晶用高纯水溶解为饱和溶液，放入不锈钢反应锅中，在搅拌下进行水解，静置，使次硝酸铋完全沉淀，弃去上层清液，抽干沉淀物，再用高纯水洗涤、抽干、下干燥，将干燥的次硝酸铋研碎，放入瓷的蒸发皿中，移至马弗炉，进行灼烧，冷却后再研碎，再放入马弗炉进行灼烧，冷却，得到高纯氧化铋成品。本发明工艺步骤简单，生产效率较高、杂质含量低，纯度高的高纯氧化铋的制备方法。
高纯氧化制备方法

[发明专利]新型半导体化合物及其制备方法以及使用该半导体化合物的热电元件-CN200980110360.4有效
发明人：朴哲凞;孙世姬;权元锺;金兑训;洪承泰 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。
新型半导体化合物及其制备方法以及使用热电元件

[实用新型]铋气化炉上的电极调节接杆-CN201020149193.4无效
发明人：雷日华;王志雄;姜凯;吴祖祥 -专利权人：湖南金旺实业有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铋气化炉上的电极调节接杆，属于生产纳米氧化铋粉体设备上的部件。主要结构是：有一热扎无缝钢管杆体(1)，无缝钢管杆体(1)的下端焊接有带螺纹接头(2)的下封头(3)；螺纹接头(2)开有盲孔(4)；无缝钢管杆体(1)内中央有一根从上而下穿入的进水管(5)；进水管(5)的最下部收缩成喷嘴(6)，并插入下封头(3)的螺纹接头盲孔(4)中；无缝钢管杆体(1)的上端侧面接有与管腔连通的出水管(7)，顶端焊有固定进水管(5)的封堵(8)。本实用新型可以对电极碳棒进行水冷却，可使铋气化炉工作稳定，并减少了电极碳棒的消耗，节约生产成本。
气化电极调节

[实用新型]高纯纳米级氧化铋微粉的生产设备-CN201020149266.X无效
发明人：雷日华;王志雄;姜凯;吴祖祥 -专利权人：湖南金旺实业有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高纯纳米级氧化铋微粉的生产设备，属于纳米材料制备工艺技术领域。主要由铋汽化炉(1)，冷却管(2)，重力沉降室(3)，脉冲布袋收尘器(4)和负压引风机(9)依次通过导管连接而成；在铋汽化炉(1)的出气口与冷却管(2)连通的导管(5)中设风温调节门(6)，冷却管(2)连接重力沉降室(3)的底侧；在重力沉降室(3)的顶部与脉冲布袋收尘器(4)之间连接的导管(7)中设气动碟阀(8)。本实用新型结构简单，所生产的氧化铋微粉，杂质含量低，产品自动分级，粒度可控。
高纯纳米氧化铋微粉生产设备

[实用新型]铋气化炉中的水冷坩埚-CN201020149243.9无效
发明人：雷日华;王志雄;姜凯;吴祖祥 -专利权人：湖南金旺实业有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铋气化炉中的水冷坩埚，属于生产纳米氧化铋粉体设备上的关键部件。主要包括用锰钢材料做成的空心夹层锅圈(1)，圆形钢板支架(2)，和冷却水管(3)；空心夹层锅圈(1)，置于圆形钢板支架(2)上；空心夹层锅圈(1)，的下端与圆形钢板支架(2)之间用耐火材料(4)填衬捣打成熔体池，空心夹层锅圈(1)，的底部接有冷却水管(3)，冷却水管(3)穿过圆形钢板支架(2)上的耐火材料(4)从下电极柱(5)中心引出。本实用新型兼作为电极的一部分，结构简单，使用寿命长，产生氧化铋渣少，产品的直收率高。
气化中的水冷坩埚

[实用新型]生产纳米氧化铋粉体的气化炉-CN201020149244.3无效
发明人：雷日华;王志雄;姜凯;吴祖祥 -专利权人：湖南金旺实业有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种生产纳米氧化铋粉体的气化炉，属于冶炼设备。主要包括1、一种生产纳米氧化铋粉体的气化炉，包括圆形钢板支架(1)、汽化室(2)、电极(3)、水冷坩锅(4)及其冷却水管(5)；水冷坩锅(4)置于圆形钢板支架(1)上；水冷坩锅口处覆盖有一个碳环(6)；水冷坩锅(4)的下端有熔体池(8)；水冷坩锅的空心夹层接冷却水管(5)；所述的汽化室(2)中央上部有电极(3)和顶盖(9)，汽化室(2)侧面有不锈钢进液槽(13)汽化室(2)侧面有不锈钢进液槽(13)和窥镜(14)；顶盖上有氧化铋气体出口(11)。本实用新型结构简单，使用寿命长，产生氧化铋渣少，产品的直收率高。
生产纳米氧化铋粉体气化

[发明专利]用于加压煅烧石膏的方法和装置-CN200980106163.5有效
发明人：栾文琦;刘清侠 -专利权人：美国石膏公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：一种煅烧石膏的方法，通过将燃烧气体和空气加到加压的反应器中以生成石膏的流化床，并将石膏的流化床在加压的反应器中充分加热以形成煅烧的半水合物。
用于加压煅烧石膏方法装置