[其他]一种除去沉积在化学气相沉积反应器反应室内的不须要的碳产物的方法无效
| 申请号: | 88101465 | 申请日: | 1988-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN88101465A | 公开(公告)日: | 1988-10-05 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/56 |
| 代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 杨丽琴 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 除去 沉积 化学 反应器 反应 室内 须要 产物 方法 | ||
1、一种通过化学气相沉积反应器在基片上完成沉积碳膜后,除去该反应器反应室内壁上的碳沉积的侵蚀方法,所述方法的步骤是:
抽空所述的反应室;
向所述的反应室通入作为侵蚀气体的氧气或氧化合物气体,和
向所述的反应室通入电磁能,以产生从所述的侵蚀气体中衍生出的等离子气。
2、按权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的电磁能是微波。
3、按权利要求2所述的方法,其特征在于,将所述的微波施加于侵蚀气体,同时,所述的侵蚀气体处于一个磁场内。
4、按权利要求3所述的方法,其特征在于,所述的侵蚀气体的压力为0.1至10乇。
5、按权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的电磁能是一种射频电能。
6、按权利要求4所述的方法,其特征在于,所述的反应室内部受光辐射时,可完成所述的侵蚀。
7、按权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的光辐射是紫外光辐射。
8、按权利要求3所述的方法,其特征在于,所述的反应室的内部被加热到500-1000℃。
9、按权利要求1所述的方法,其特征在于,侵蚀可在两次碳沉积间完成。
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