[实用新型]一种MEMS器件的封装结构有效
| 申请号: | 202320481094.3 | 申请日: | 2023-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN219449319U | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
| 发明(设计)人: | 曹亭坤;徐涛 | 申请(专利权)人: | 合肥领航微系统集成有限公司 |
| 主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81B7/00;H05K9/00;H05K1/02 |
| 代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 宣美军 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市高新区孔雀台路*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mems 器件 封装 结构 | ||
本实用新型提供一种MEMS器件的封装结构,所述封装结构包括:MEMS芯片,具有一前腔和一后腔;封装外壳,设置于所述MEMS芯片的外部,用于安装所述MEMS芯片;以及电磁屏蔽结构,设置于所述封装外壳上,且允许所述电磁屏蔽结构屏蔽所述MEMS芯片的前腔的信号。本实用新型提供一种MEMS器件的封装结构,该封装结构可将MEMS芯片的前腔杂散信号屏蔽,增大发射声压级和接收灵敏度,提高MEMS器件的性能,且可防腐、防尘、防水。
技术领域
本实用新型涉及MEMS器件技术领域,尤其涉及一种MEMS器件的封装结构。
背景技术
微机电系统(Micro-Electronic-Mechanical-System,MEMS)封装技术是MEMS研究领域中的一个重要研究方向,一方面封装可使MEMS器件避免受到灰尘、潮气等对可动结构的影响,另一方面通过真空或气密封装还可改变MEMS器件内部阻尼情况,提高产品的性能。目前的MEMS芯片封装技术未将MEMS芯片进行电磁屏蔽处理,导致MEMS芯片的杂散信号影响MEMS器件的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种MEMS器件的封装结构,该封装结构可屏蔽MEMS芯片前腔的杂散信号,从而可以提高MEMS芯片的性能。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型通过以下技术方案实现:
本实用新型提供一种MEMS器件的封装结构,所述封装结构包括:
MEMS芯片,具有一前腔和一后腔;
封装外壳,设置于所述MEMS芯片的外部,用于安装所述MEMS芯片;以及
电磁屏蔽结构,设置于所述封装外壳上,且允许所述电磁屏蔽结构屏蔽所述MEMS芯片的前腔的信号。
在本实用新型的一个实施例中,所述封装外壳包括:
具有一声孔的第一PCB板,用于安装所述MEMS芯片;
连接架,设置于所述第一PCB板上,且所述连接架位于所述MEMS芯片的外部;以及
第二PCB板,设置于所述连接架上远离所述第一PCB板的一端。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一PCB板包括:
第一板体;
第一金属层,设置于所述第一板体上靠近所述MEMS芯片的一侧;以及
第一绝缘层,设置于所述第一金属层上,且所述第一绝缘层上设置有第一沟槽,允许所述第一金属层裸露。
在本实用新型的一个实施例中,所述第二PCB板包括:
第二板体,设置于所述连接架上远离所述第一板体的一端;
第二金属层,设置于所述第二板体上靠近所述MEMS芯片的一侧;以及
第二绝缘层,设置于所述第二金属层上,且所述第二绝缘层上设置有第二沟槽,允许所述第二金属层裸露。
在本实用新型的一个实施例中,所述封装结构还包括防水防尘结构,所述防水防尘结构设置于所述第一PCB板上,用于遮挡所述声孔。
在本实用新型的一个实施例中,所述电磁屏蔽结构包括:
第三金属层,设置于所述连接架上;
第四金属层,设置于所述连接架上与所述第一金属层连接的区域,且所述第四金属层与所述第三金属层电性导通;以及
第五金属层,设置于所述连接架上与所述第二金属层连接的区域,且所述第五金属层与所述第三金属层电性导通。
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