[实用新型]一种内置门极电阻可调的芯片

说明书

本实用新型公开了一种内置门极电阻可调的芯片，该芯片为裸片，其门极元胞区的过渡区被配置包括用于将元胞区中门极信号连接到主门极的信号连接线、与所述信号连接线电性连接的若干门极电阻区、以及分别与每个门极电阻区电性连接的次门极；所述次门极用于与所述主门极电连接以用于不同门极电阻区接入所述主门极，所述门极电阻区内配置有电阻，所述主门极和所述次门极被形成于芯片表面。本芯片配置主、次门极，每个次门极通过独立的门极电阻区和信号连接线分别与主门极电性连接，主门极和次门极分别被形成于芯片表面，通过调整外部绑线连接方式（无需更改芯片内部版图），即可达到调整内置门极电阻值的作用。

技术领域

本实用新型涉及一种内置门极电阻可调的芯片。

背景技术

现有内置门极电阻IGBT方案，一旦版图完成，内置门极电阻就无法更改，针对不同的应用需要不同的门极电阻时，需要改版，限制了其应用的灵活性。

实用新型内容

为解决现有技术所存在的技术问题，本实用新型在此提供了一种内置门极电阻可调的芯片，该芯片可以提供不同的门极电阻，提高芯片的应用灵活性。

为此，本实用新型提供的内置门极电阻可调的芯片为裸片，其门极元胞区的过渡区被配置包括用于将元胞区中门极信号连接到主门极的信号连接线、与所述信号连接线电性连接的若干门极电阻区、以及分别与每个门极电阻区电性连接的次门极；所述次门极用于与所述主门极电连接以用于不同门极电阻区接入所述主门极，所述门极电阻区内配置有电阻，所述主门极和所述次门极被形成于芯片表面。

在一些实施方式中，每个门极电阻区被配置并联或串联的至少两个电阻。

本实用新型技术方案，所达到的有益效果至少包括：

本芯片配置主、次门极，每个次门极通过独立的门极电阻区和信号连接线分别与主门极电性连接，主门极和次门极分别被形成于芯片表面，通过调整外部绑线连接方式（无需更改芯片内部版图），即可达到调整内置门极电阻值的作用。

本芯片配置多个次门极及对应的门极电阻区，实现了门极电阻灵活配置的同时，构成冗余结构，避免了因一个次门极、门极电阻区损坏而导致无法使用的情况，提高了芯片可用性。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为本实用新型提供的裸芯片的门极元胞区的过渡区的版图示意图；

图2为不同电阻区搭建示意图。

实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得实用新型将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种核心电力电子器件，应用广泛，在轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域发挥着巨大的作用。传统IGBT在应用时，外部驱动电路部分一般需要设置门极驱动电阻，这就造成IGBT驱动电路体积增大，且不可避免的引入额外的杂散电感。当前的解决方案是，将门极驱动电阻集成到IGBT芯片内部，现有的版图设计完成，内置门极电阻值也就固定，无法更改（若需不同内置门极电阻，需要更改版图），从而限制了其应用的灵活性（针对不同应用，可能需要设计不同的内置门极电阻）。