[实用新型]一种半导体硅片酸腐蚀机清洗槽循环清洗装置

说明书

本实用新型涉及一种半导体硅片酸腐蚀机清洗槽循环清洗装置，设有清洗槽、腐蚀槽、供水管、排水管；其特征是：所述清洗槽由外槽体和内槽体构成，内槽体底部设有一组超声波发生器，上沿设有锯齿状溢流口；外槽体内侧壁上部，设有QDR喷淋管和供水管；清洗槽设有进水管和溢流水的排水口，内槽体底部还设有与下方的快排暂存槽连通的快排水管；在快排水管上设有pH值测量仪和水电阻率检测仪；所述供水管、排水口、快排水管上均设有自控开关，并设有与该自控开关、pH值测量仪和水电阻率检测仪进行信号和控制电联接的PLC控制器和工作模块。本实用新型适用于硅片清洗，具有结构简洁合理，制作容易，生产和使用成本低，便于维护，清洗效果好的优点。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体硅片酸腐蚀机中的清洗技术领域，一种清洗装置，具体是一种半导体硅片酸腐蚀机清洗槽循环清洗装置，该装置中的清洗槽循环使用，一槽多用，可达到多槽清洗效果，是一种改进型的清洗装置。

背景技术

传统的半导体硅片酸腐蚀清洗工艺过程中，必须设有溢流超声槽、腐蚀槽、QDR槽、溢流槽四个清洗工艺槽，设备体积较大，设备制造复杂，制造成本非常高，使用者后期维护成本也较高，且费时费力。因此，非常需要提出一种改进型的清洗装置。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述技术问题，提出一种半导体硅片酸腐蚀机清洗槽循环清洗装置。该装置减少清洗槽的数量，采用一槽多用，循环使用清洗的结构，达到多槽的清洗效果。具有结构简洁合理，制作容易，生产和使用成本低，便于维护，清洗效果好的优点。

本实用新型采用以下技术方案：

一种半导体硅片酸腐蚀机清洗槽循环清洗装置，设有清洗槽、腐蚀槽、供水管、排水管，所述腐蚀槽中设有腐蚀笼，腐蚀槽下方设有与腐蚀槽连通的混酸槽；其特征是：所述清洗槽由外槽体和内槽体构成，内槽体为石英材质，内槽体小于外槽体，设置在外槽体内的槽底上，内槽体底部设有一组超声波发生器，内、外槽体的槽壁之间设有间距，内槽体的四周槽口上沿设有锯齿状溢流口；外槽体为耐腐蚀PVDF材质，沿外槽体的左、右两内侧壁上部，分别设有平行排列的QDR喷淋管，该喷淋管上间隔设有喷头，该QDR喷淋管位置高于所述内槽体上沿的溢流口，QDR喷淋管与设置在清洗槽的外槽体外侧的供水管连通；还设有向清洗槽内注水的进水管和排出溢流出水的排水口，内槽体底部还设有与清洗槽下方设置的快排暂存槽连通的快排水管；在所述快排水管的管体上设有测试快排水管出水的pH值的pH值测量仪和测试排出水的电阻率值的水电阻率检测仪；另外，在所述供水管、排水口、快排水管上均设有自控开关，并设有与该自控开关、pH值测量仪和水电阻率检测仪进行信号和控制电联接的PLC控制器，在该PLC控制器内设有信号接收模块、信号比较模块和控制信号发送模块。

本实用新型进一步完善和实施的优化方案是：

所述PLC控制器的型号为西门子6ES7 214-1AG40-0XB0。

所述pH值测量仪的型号为MIK-PH8.0。

所述水电阻率检测仪的型号为LH-CR300。

本实用新型的运行过程：

1)预清洗：硅片首先放置在充满水的清洗槽内，通过超声波进行腐蚀前预清洗工作，预清洗工艺流程主要为先进行溢流+超声波清洗，去除表面杂质后转运至腐蚀槽内进行腐蚀工作；

2)在腐蚀工序进行时，清洗槽保持注满水的工作状态，由于硅片酸腐蚀工艺的特殊性，在腐蚀工艺完成后，为了避免硅片表面发生氧化反应，硅片通过转运结构在1.5秒内快速转运至清洗槽中进行浸泡与超声波漂洗；

3)经过漂洗后清洗槽内开启快速排水，喷淋管开启进水，同时开启喷淋作业，快速排出的水暂存至快排箱内，在清洗槽与快排箱之间的管路上设置pH值测量仪，在排水达到设定的PH值时，关闭快排水管；