[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其制备方法以及用电设备在审

专利信息
申请号: 202310965029.2 申请日: 2023-08-02
公开(公告)号: CN116669449A 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 张帆;苏硕剑;刘泽政;林翔玲;李晗芳;郭永胜;陈国栋 申请(专利权)人: 宁德时代新能源科技股份有限公司
主分类号: H10K30/88 分类号: H10K30/88;H10K30/40;H10K30/50;H10K71/00
代理公司: 北京励诚知识产权代理有限公司 11647 代理人: 张闪闪
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 以及 用电 设备
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括:

衬底;

空穴传输层,所述空穴传输层设在所述衬底的一侧;

阻隔层,所述阻隔层设在所述空穴传输层远离所述衬底的一侧,所述阻隔层的材料包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯亚胺、聚乙二醇、聚乙二醇二丙烯酸酯、[2-(9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[2-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[2-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[4-(9H-咔唑-9-基)丁基]膦酸、[4-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)丁基]膦酸、[4-(3,6-二甲基-9H-咔唑-9-基)丁基]膦酸、2-(3,4-二羟基苯基)乙胺、丙烷磺酸吡啶盐、4-(二苯基氨基)丁酸、1,3,5-三(4-羧基苯基)苯、对甲苯磺酰肼、对氰基苯甲酸或苝中的至少一种;

钙钛矿层,所述钙钛矿层设在所述阻隔层远离所述空穴传输层的一侧;

电极层,所述电极层设在所述钙钛矿层远离所述阻隔层的一侧。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述阻隔层的材料还包括:聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物或聚吡咯及其衍生物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,满足以下条件的至少之一:

(1)所述阻隔层的材料包括聚噻吩及其衍生物,所述聚噻吩及其衍生物包括聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、聚3-己基噻吩、聚(3-辛基噻吩-2,5-二基)、聚并二噻吩吡咯并吡咯二酮-噻吩或聚噻吩-吡咯并吡咯二酮中的至少一种;

(2)所述阻隔层的材料包括聚苯胺及其衍生物,所述聚苯胺及其衍生物包括聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]或聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]中的至少一种;

(3)所述阻隔层的材料包括聚吡咯及其衍生物,所述聚吡咯及其衍生物包括巯基-聚吡咯。

4.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述阻隔层的材料中包括-C=O、-NH2、=NH、-S=O、-C≡N、-P=O、-SH、-Cl、-Br、-I或-F中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述阻隔层的厚度为1nm-1000nm。

6.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述阻隔层的厚度为1nm-100nm。

7.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述阻隔层的厚度为1nm-50nm。

8.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述阻隔层的厚度为1nm-30nm。

9.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层的材料包括镍氧化物。

10.根据权利要求9所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述镍氧化物中包括掺杂阳离子。

11.根据权利要求10所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述掺杂阳离子包括Li+、Cs+、Ag+、Mg2+、Ca2+、Zn2+、Sr2+、Ba2+、Fe2+、Fe3+、Co2+、Co3+、Cu+或Cu2+中的至少一种。

12.根据权利要求10或11所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述镍氧化物中,所述掺杂阳离子与镍离子的摩尔比的比值为0.01-0.2。

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