[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供SOI衬底，所述SOI衬底包括若干器件区和包围每个器件区的切割道区，所述SOI衬底上还包括第一介质层；

在所述第一介质层表面形成第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构，部分第一波导结构位于所述切割道区，任意相邻器件区的光路通过所述切割道区的第一波导结构连通。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件区的SOI衬底中还包括光栅结构和硅波导结构，所述第一介质层覆盖所述光栅结构和硅波导结构。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二介质层表面形成第三介质层以及位于所述第三介质层中的第二波导结构，部分第二波导结构位于所述切割道区，所述光栅结构、硅波导结构、第一波导结构和第二波导结构在所述SOI衬底表面的垂直投影互相连接构成分别连通所述器件区相对边的两条光路。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光栅结构、硅波导结构、第一波导结构和第二波导结构在所述SOI衬底表面的垂直投影的连接顺序为：第一波导结构-第二波导结构-第一波导结构-硅波导结构-光栅结构-硅波导结构-第一波导结构-第二波导结构-第一波导结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一波导结构和第二波导结构的光传输方式为倏逝耦合，所述第一波导结构和硅波导结构的光传输方式为倏逝耦合。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层表面形成第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构的方法包括：

在所述第一介质层表面形成第一波导结构材料层；

刻蚀所述第一波导结构材料层形成所述第一波导结构；

在所述第一介质层表面和第一波导结构表面形成所述第二介质层。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二介质层表面形成第三介质层以及位于所述第三介质层中的第二波导结构的方法包括：

在所述第二介质层表面形成第二波导结构材料层；

刻蚀所述第二波导结构材料层形成所述第二波导结构；

在所述第二介质层表面和第二波导结构表面形成所述第三介质层。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一波导结构和第二波导结构的材料包括氮化硅、硅、碳氮化硅。

9.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第三介质层表面形成至少一层第四介质层以及位于每层第四介质层中的至少一层第三波导结构，所述第三波导结构与所述第二波导结构在所述SOI衬底表面的垂直投影重合。

10.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述SOI衬底包括底硅层、位于所述底硅层表面的绝缘层以及位于所述绝缘层表面的顶硅层，所述光栅结构和硅波导结构位于所述顶硅层中，所述第一介质层覆盖所述顶硅层。

11.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层和第三介质层中还形成有金属互连结构。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

SOI衬底，所述SOI衬底包括若干器件区和包围每个器件区的切割道区，所述SOI衬底上还包括第一介质层；

位于所述第一介质层表面的第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构，部分第一波导结构位于所述切割道区，任意相邻器件区的光路通过所述切割道区的第一波导结构连通。