[发明专利]一种扇出型晶圆级封装方法及结构

说明书

本公开的实施例提供一种扇出型晶圆级封装方法及结构，其中方法包括：分别提供载板和芯片；在载板上形成重布线层；将芯片的第一表面键合于重布线层；对芯片的第二表面及侧面进行一次塑封，之后去除载板；对芯片的第二表面及侧面、重布线层的侧面进行二次塑封，得到塑封体；在塑封体的第一表面边缘形成遮挡环；在塑封体的第一表面和遮挡环上形成溅镀层；在溅镀层上电镀形成第一导电柱。本公开实施例的一种扇出型晶圆级封装方法及结构，通过在二次塑封后的塑封体底面边缘形成遮挡环，增加了电镀表面的平整性，从而改善边缘导电性，减小阻抗，有效降低了电镀烧片的风险。本公开工艺简单，易于操作，成本低廉，同时极大提高了产品品质。

技术领域

本公开的实施例属于半导体封装技术领域，具体涉及一种扇出型晶圆级封装方法及结构。

背景技术

在目前的半导体封装领域中，扇出型晶圆级封装(Fan-OutWafer LevelPackaging，FOWLP)分为芯片先置型埋入封装(chip-first)和芯片后置型埋入封装(chip-last)。其中chip-last相比chip-first具有可返工、散热性能好、良率高等优势。

目前的chip-last工艺在二次塑封后存在塑封层边缘部分高于重布线层的问题，导致溅镀层(sputter)厚度不均匀甚至断点，从而使边缘电阻值过高，容易造成电镀烧片，影响产品质量。

发明内容

本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出型晶圆级封装方法及结构。

本公开的一个方面提供一种扇出型晶圆级封装方法，包括：

分别提供载板和芯片；

在所述载板上形成重布线层；

将所述芯片的第一表面键合于所述重布线层；

对所述芯片的第二表面及侧面进行一次塑封，之后去除所述载板；

对所述芯片的第二表面及侧面、所述重布线层的侧面进行二次塑封，得到塑封体；

在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环；

在所述塑封体的第一表面和所述遮挡环上形成溅镀层；

在所述溅镀层上电镀形成第一导电柱。

可选的，所述在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环，包括：

在所述塑封体的第一表面涂布光阻层；

在所述光阻层上放置光罩，利用所述光罩为掩膜，对所述光阻层进行曝光和显影，形成所述遮挡环。

可选的，所述在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环，包括：

在所述塑封体第一表面的边缘涂布光阻环；

对所述光阻环进行固化，得到所述遮挡环。

可选的，所述遮挡环背离所述塑封体的第一表面的一侧呈弧形。

可选的，所述弧形的凸出方向背离所述塑封体的第一表面。

可选的，在将所述芯片的第一表面键合于所述重布线层之后，所述方法还包括：

在所述芯片和所述重布线层之间形成底填胶层。

可选的，所述在所述载板上形成重布线层，包括：在所述载板上形成金属种子层；在所述金属种子层上形成重布线层；以及，

在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环之前，所述方法还包括：去除所述金属种子层。

可选的，在所述溅镀层上形成第一导电柱之后，所述方法还包括：

减薄所述塑封体背离所述第一导电柱的一面至露出所述芯片；