[发明专利]一种扇出型晶圆级封装方法及结构在审
| 申请号： | 202310657917.8 | 申请日： | 2023-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN116581040A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李尚轩;石佩佩;庄佳铭 | 申请（专利权）人： | 南通通富科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/498;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 226010 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扇出型晶圆级 封装 方法 结构 | ||
1.一种扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，包括：
分别提供载板和芯片；
在所述载板上形成重布线层；
将所述芯片的第一表面键合于所述重布线层；
对所述芯片的第二表面及侧面进行一次塑封，之后去除所述载板；
对所述芯片的第二表面及侧面、所述重布线层的侧面进行二次塑封，得到塑封体；
在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环；
在所述塑封体的第一表面和所述遮挡环上形成溅镀层；
在所述溅镀层上电镀形成第一导电柱。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环，包括：
在所述塑封体的第一表面涂布光阻层；
在所述光阻层上放置光罩，利用所述光罩为掩膜，对所述光阻层进行曝光和显影，形成所述遮挡环。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环，包括：
在所述塑封体第一表面的边缘涂布光阻环；
对所述光阻环进行固化，得到所述遮挡环。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述遮挡环背离所述塑封体的第一表面的一侧呈弧形。
5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，在进行二次塑封之前，所述方法还包括：
对一次塑封形成的第一塑封层的边缘进行修剪，使得所述第一塑封层的侧面平整。
6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，在将所述芯片的第一表面键合于所述重布线层之后，所述方法还包括：
在所述芯片和所述重布线层之间形成底填胶层。
7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，
所述在所述载板上形成重布线层，包括：在所述载板上形成金属种子层；在所述金属种子层上形成重布线层；以及，
在所述塑封体的第一表面边缘形成遮挡环之前，所述方法还包括：去除所述金属种子层。
8.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，在所述溅镀层上形成第一导电柱之后，所述方法还包括：
减薄所述塑封体背离所述第一导电柱的一面至露出所述芯片；
在所述塑封体背离所述第一导电柱的一面形成背金属层。
9.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述将所述芯片的第一表面键合于所述重布线层，包括：
在所述芯片的第一表面形成第二导电柱；
将所述芯片通过所述第二导电柱与所述重布线层键合。
10.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述结构采用权利要求1至9任一项所述的方法制成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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