[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

说明书

本公开实施例中提供异质结太阳能电池及其制备方法，在异质结太阳能电池中，异质结单元至少一侧的透明导电层设置为分区结构，包括间隔排布的第一分区和第二分区并通过第二分区与电极栅线设置为电连接，第一分区的方阻大于第二分区的方阻，相邻两个第一分区和第二分区之间电连接。使用本实施例的异质结太阳能电池，由于第一分区和第二分区的方阻不同，因此其导电性不同，高方阻的第一分区可用于将光生载流子通过电连接传导到低方阻的第二分区，低方阻的第二分区可用于将载流子通过电连接再传导到相应的电极栅线，该第二分区起到副栅的汇流作用，电极栅线起到主栅作用。该异质结太阳能电池能够实现通过不设置副栅来达到节省电极栅线浆料的目的。

技术领域

本公开涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

异质结(Heterojunction with intrinsic Thin layer，简称HJT)太阳能电池目前越来越受到业内关注，异质结电池结构通常是以硅基体为中心，在硅基体两侧的掺杂非晶硅与硅基体之间沉积一层本征非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能，使异质结太阳能电池的转换效率提高。

异质结太阳能电池结构适于薄片化生产，如何降低异质结太阳能电池的生产成本是业界研究的热点。

发明内容

鉴于以上相关技术的缺点，本公开的目的在于提供异质结太阳能电池及其制备方法，以解决相关技术中异质结太阳能电池生产成本高的技术问题。

本公开第一方面提供一种太阳能电池，其包括：

异质结单元；

位于异质结单元正面及背面的透明导电层；

位于透明导电层背离异质结单元一侧的电极栅线，电极栅线与透明导电层电连接；

其中，异质结单元至少一侧的透明导电层设置为分区结构，分区结构包括间隔排布的第一分区和第二分区并通过第二分区与电极栅线设置为电连接，第一分区的方阻大于第二分区的方阻，相邻两个第一分区和第二分区之间电连接。

可选地，分区结构包括沿第一直线方向间隔排布的多个第一分区和第二分区。

可选地，在异质结单元设置有分区结构的一侧设置有多条沿第二直线方向排布的电极栅线，电极栅线沿第一直线方向延伸；第一直线方向与第二直线方向垂直。

可选地，在异质结单元设置有分区结构的一侧，电极栅线还与第二分区之间设置为电连接。

可选地，第二分区与第一分区的材料不同，第二分区所使用材料的导电性好于第一分区。

可选地，第二分区的宽度和厚度中的至少一种尺寸大于第一分区。

可选地，相邻两个第一分区和第二分区之间的电连接为接触连接。

可选地，异质结单元包括：

硅基体；

第一掺杂非晶硅层、和设置于第一掺杂非晶硅层与硅基体的正面之间的第一本征非晶硅层，硅基体与第一掺杂非晶硅层的掺杂类型相同；

第二掺杂非晶硅层、和设置于硅基体的背面与第二掺杂非晶硅层之间的第二本征非晶硅层，硅基体与第二掺杂非晶硅层的掺杂类型相反。

本公开实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，其包括：

形成异质结单元；

在异质结单元的正面及背面均形成透明导电层，异质结单元至少一侧的透明导电层设置为分区结构，分区结构包括间隔排布的第一分区和第二分区，第一分区的方阻大于第二分区的方阻，相邻两个第一分区和第二分区之间电连接；