[发明专利]一种异质结电池结构的制备方法

权利要求书

1.一种异质结电池结构的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

(1)在硅底材的正面和背面均覆盖透明导电膜层；

(2)将正面和背面的透明导电膜层表面的部分区域分别通过贴附一块或多块阻挡块遮挡住；

(3)在正面和背面上分别形成减反射膜层；

(4)移除阻挡块，暴露出被所述阻挡块遮挡住的透明导电膜层区域；

(5)对暴露出的透明导电膜层区域进行电镀，形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的阻挡块为栅线型的阻挡块，其宽度为10-200μm，高度为10-200μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的阻挡块通过物理贴附或压附或吸附的贴附方式与透明导电膜层表面充分接触，通过机器施加外力的方式进行移除。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的硅底材自正面至背面包括依次连接的N型非晶硅层或第一微晶硅层、第一本征非晶硅层、N型单晶硅层或P型单晶硅层、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层或第二微晶硅层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述的N型非晶硅层或第一微晶硅层的厚度为10-30nm，所述的第一本征非晶硅层的厚度为2-10nm，所述的N型单晶硅层或P型单晶硅层的厚度为80-250μm，所述的第二本征非晶硅层的厚度为2-10nm，所述的P型非晶硅层或第二微晶硅层的厚度为10-30nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的透明导电膜层的材质选自掺锡的氧化铟，掺钨的氧化铟，掺铈的氧化铟，掺铝的氧化锌中的一种或者多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的透明导电膜层的厚度为10-100nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的减反射膜层的材质包括氧化硅和/或氮化硅；所述的减反射膜层的厚度为50-200nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：通过物理或者化学沉积法形成所述的减反射膜层。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属电极为铜电极，所述的铜电极的宽度为10-50μm，高度为5-30μm。