[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310452243.8 申请日: 2023-04-21
公开(公告)号: CN116534789A 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 陆晓龙;徐达武;郭嘉 申请(专利权)人: 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01C19/00;G01P15/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 代理人: 翟海青
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

一种MEMS器件及其制备方法,方法包括:提供器件基底,所述器件基底包括MEMS结构区和包围所述MEMS结构区的键合区;在所述器件基底的第一表面上的所述键合区形成键合金属环结构;形成保护层,以至少覆盖所述键合金属环结构用于和盖帽基底接合的接合面;对所述器件基底进行至少一次清洗处理;至少部分地去除所述保护层,以露出所述接合面;提供盖帽基底,将所述盖帽基底和所述器件基底通过所述键合金属环结构进行键合。本发明的方法能够在键合金属环结构表面形成保护层,避免了在多次清洗过程中损伤键合金属环结构,从而提高了器件的可靠性和良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种MEMS器件及其制备方法。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)是指一种将机械构件、驱动部件、光学系统、电控系统集成为一个整体的微型系统。MEMS器件具有体积小、功耗低等优势,在智能手机、平板电脑、游戏机、汽车、无人机等多个领域具有广泛的应用场景。常用的MEMS芯片包括加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风等。类似于集成电路,MEMS器件也在朝着高性能、小型化和低成本并集成化的方向发展。

在如加速度计、陀螺仪等MEMS器件的形成工艺中,为了实现完整的运动检测,通常需要将多个MEMS器件集成到单个集成芯片上,需要用到键合工艺,以将盖帽基底和形成有MEMS器件所需的机械微结构的器件基底接合为一个整体,其中,例如铝锗键合的共晶键合是普遍采用的键合工艺。在共晶键合之前,需要对器件基底进行湿法清洗,以去除刻蚀残留等杂物,但清洗过程中,器件基底上已经形成了用于键合的键合环结构(例如铝键合环),在湿法清洗过程中经常会对键合环结构造成损伤,影响到后续器件基底和盖帽衬底之间的键合效果,进而影响MEMS器件的可靠性,导致产品良率降低。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题,本发明一方面提供一种MEMS器件的制备方法,包括:

提供器件基底,所述器件基底包括MEMS结构区和包围所述MEMS结构区的键合区;

在所述器件基底的第一表面上的所述键合区形成键合金属环结构;

形成保护层,以至少覆盖所述键合金属环结构用于和盖帽基底接合的接合面;

对所述器件基底进行至少一次清洗处理;

至少部分地去除所述保护层,以露出所述接合面;

提供盖帽基底,将所述盖帽基底和所述器件基底通过所述键合金属环结构进行键合。

示例性地,所述在所述器件基底的第一表面上的所述键合区形成键合金属环结构,包括:

在所述器件基底的第一表面形成蚀刻停止层;

刻蚀所述蚀刻停止层露出所述器件基底的第一表面,以形成位于所述键合区的开口;

在所述开口中形成所述键合金属环结构,其中,所述开口中的键合金属环结构的侧壁和所述开口的侧壁之间存在间隙。

示例性地,形成保护层,以至少覆盖所述键合金属环结构用于和盖帽基底接合的接合面,包括:

沉积保护材料层,所述保护材料层覆盖所述键合金属环结构和所述蚀刻停止层并填充所述间隙;

刻蚀所述保护材料层和所述蚀刻停止层,以去除所述蚀刻停止层并形成所述保护层。

示例性地,本申请的方法还包括:

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