[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供器件基底，所述器件基底包括MEMS结构区和包围所述MEMS结构区的键合区；

在所述器件基底的第一表面上的所述键合区形成键合金属环结构；

形成保护层，以至少覆盖所述键合金属环结构用于和盖帽基底接合的接合面；

对所述器件基底进行至少一次清洗处理；

至少部分地去除所述保护层，以露出所述接合面；

提供盖帽基底，将所述盖帽基底和所述器件基底通过所述键合金属环结构进行键合。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述器件基底的第一表面上的所述键合区形成键合金属环结构，包括：

在所述器件基底的第一表面形成蚀刻停止层；

刻蚀所述蚀刻停止层露出所述器件基底的第一表面，以形成位于所述键合区的开口；

在所述开口中形成所述键合金属环结构，其中，所述开口中的键合金属环结构的侧壁和所述开口的侧壁之间存在间隙。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成保护层，以至少覆盖所述键合金属环结构用于和盖帽基底接合的接合面，包括：

沉积保护材料层，所述保护材料层覆盖所述键合金属环结构和所述蚀刻停止层并填充所述间隙；

刻蚀所述保护材料层和所述蚀刻停止层，以去除所述蚀刻停止层并形成所述保护层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，本申请的方法还包括：

在所述清洗之后，去除所述保护层之前，自所述器件基底的第一表面刻蚀所述器件基底，以在所述MEMS结构区形成梳齿结构；或者，

在去除所述保护层之后，所述将所述盖帽基底和所述器件基底通过所述键合金属环结构进行键合之前，自所述器件基底的第一表面刻蚀所述器件基底，以在所述MEMS结构区形成梳齿结构。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述器件基底包括基底层、位于所述基底层上的牺牲层和位于所述牺牲层上的结构层，所述结构层用于形成所述梳齿结构，在形成所述梳齿结构之后，本申请的方法还包括：

在去除所述保护层的同时去除所述牺牲层。

6.如权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述至少一次清洗处理包括第一清洗处理，所述第一清洗处理所使用的清洗剂包括羟胺及其衍生物；和/或

所述至少一次清洗处理包括第二清洗处理，所述第二清洗处理所使用的清洗剂包括羟基多巴胺类有机溶剂。

7.如权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述键合金属环结构的材料包括以下至少一种：铝、锗、铜、锡、镍、金。

8.如权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述盖帽基底朝向所述器件基底的一侧形成有空腔，所述空腔的外侧所述盖帽基底用于和所述器件基底相键合的一面形成有接合层，将所述盖帽基底和所述器件基底通过所述键合金属环结构进行键合，包括：

将所述盖帽基底的接合层和所述器件基底的所述键合金属环结构相键合，所述空腔对应所述MEMS结构区。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述梳齿结构包括MEMS陀螺仪和MEMS加速度计中的至少一种MEMS器件所需的机械微结构。

10.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件采用权利要求1-9中任一项所述的方法制备获得。