[发明专利]一种大功率半导体开关器件的驱动集成电路及其应用电路

权利要求书

1.一种大功率半导体开关器件的驱动集成电路，包括比较单元和驱动单元，其特征在于：在所述比较单元和驱动单元之间还设有判断单元；

所述比较单元包括第一比较电路和第二比较电路；

所述第一比较电路用于外接采样电路输出的检测信号，对所述检测信号的电压和内设的基准电压进行比较，生成第一比较电平；所述采样电路用于检测大功率半导体开关器件Q4的第一负载端的电压；

所述第二比较电路用于外接驱动控制信号，对所述驱动控制信号的电压和内设的所述基准电压进行比较，生成第二比较电平；

所述驱动单元包括第一驱动放大器、第二驱动放大器、推挽电路、第一驱动输出口和第二驱动输出口，所述第一驱动放大器的输入端和所述判断单元的输出端电连接，所述第二驱动放大器的输入端和所述第二比较电路的输出端电连接，所述第一驱动放大器的输出端和所述推挽电路的第一输入端电连接，所述第二驱动放大器的输出端和所述推挽电路的第二输入端电连接；所述推挽电路的输出端用于外接所述大功率半导体开关器件Q4的控制端；

所述第一驱动输出口用于输出第一驱动信号，所述第二驱动输出口用于输出第二驱动信号，所述第一驱动输出口和第二驱动输出口均与所述大功率半导体开关器件Q4的控制端电连接；

所述判断单元用于当所述第一比较电平为高电平时，控制所述第一驱动信号为高阻态，以启动软启动模式；

和当所述第一比较电平为低电平时，控制所述第一驱动信号为强上拉信号，以关闭软启动模式。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体开关器件的驱动集成电路，其特征在于：所述判断单元包括与门电路，所述与门电路的第一输入端和所述第一比较电路的输出端电连接，所述与门电路的第二输入端和所述第二比较电路的输出端电连接，所述与门电路的输出端和所述第一驱动放大器的输入端电连接。

3.根据权利要求1所述的大功率半导体开关器件的驱动集成电路，其特征在于：所述推挽电路包括第一场效应管Q1、第二场效应管Q2和第三场效应管Q3，所述第一驱动放大器的输出端和所述第一场效应管Q1的栅极电连接，所述第二驱动放大器的输出端分别与所述第二场效应管Q2的栅极和所述第三场效应管Q3的栅极电连接；

所述驱动单元还包括电源正端口和电源负端口，所述第一场效应管Q1的漏极、第二场效应管Q2的漏极和电源正端口电连接，所述第三场效应管Q3的漏极和电源负端口电连接，所述第一场效应管Q1的源极和所述第一驱动输出口电连接，所述第二场效应管Q2的源极和第三场效应管Q3的漏极均与所述第二驱动输出口电连接；

所述电源正端口用于外接第一工作电源VCC；

所述电源负端口用于接地。

4.根据权利要求3所述的大功率半导体开关器件的驱动集成电路，其特征在于：所述第一场效应管Q1的沟道类型和第二场效应管Q2的沟道类型相同，所述第二场效应管Q2的沟道类型和第三场效应管Q3的沟道类型相反。

5.根据权利要求2所述的大功率半导体开关器件的驱动集成电路，其特征在于：所述比较单元还包括基准电压模块，所述基准电压模块用于输出预设的所述基准电压；

所述第一比较电路包括第一比较器U1和第一输入口，所述第一输入口用于外接所述采样电路输出的检测信号，所述第一比较器U1的负输入端和所述第一输入口电连接，所述第一比较器U1的正输入端和所述基准电压模块的输出端电连接，所述第一比较器U1的输出端和所述与门电路的第一输入端电连接。

6.根据权利要求3所述的大功率半导体开关器件的驱动集成电路，其特征在于：所述第二比较电路包括第二比较器U2和第二输入口，所述第二输入口用于外接驱动控制信号，所述第二比较器U2的正输入端和所述第二输入口电连接，所述第二比较器U2的负输入端和所述基准电压模块的输出端电连接，所述第二比较器U2的输出端和所述第二驱动放大器的输入端电连接。