[发明专利]一种硅片载片框及硅片镀膜系统有效
申请号: | 202310362227.X | 申请日: | 2023-04-07 |
公开(公告)号: | CN116110835B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 丰平;赵杰 | 申请(专利权)人: | 江苏龙恒新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L31/18;H01L21/223 |
代理公司: | 南京启冠智兴知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32659 | 代理人: | 刘明浩 |
地址: | 223802 江苏省宿*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 载片框 镀膜 系统 | ||
本发明公开了一种硅片载片框及硅片镀膜系统,属于硅片镀膜领域。一种硅片载片框,包括石墨舟和支撑板,还包括:第一支撑杆和第二支撑杆,用于设置在炉体中;第一滑套和第二滑套,分别滑动连接在所述的第一支撑杆和第二支撑杆上,其中所述第一滑套和第二滑套固定连接在所述的支撑板底侧,所述第一滑套和第二滑套上分别固定连接有第一滑块和第二滑块;本发明支撑板能够滑动,可以将支撑板滑动到炉体的开口处,然后将石墨舟放在支撑板上,已实现便于放置石墨舟,支撑板和石墨舟能够往复的运动,实现汽相与硅片更有效地接触,进一步提高沉积镀膜效果。
技术领域
本发明涉及硅片镀膜技术领域,尤其涉及一种硅片载片框及硅片镀膜系统。
背景技术
太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件,硅太阳能电池实际生产中均采用P型硅片,因此需要形成N型层才能得到PN结,这通常是通过在高温条件下利用磷源扩散来实现的。这种扩散工艺包括两个过程:首先是硅片表面含磷薄膜层的沉积,然后是在含磷薄膜中的磷在高温条件下往P型硅里的扩散。
在高温条件下进行扩散的时,常用的是真空高温扩散炉,在真空高温扩散炉里,在对炉体进行持续抽真空,保持一定的真空度条件下,向炉体内充入汽相的POCL3或PBr3首先在表面形成P2O5;然后,其中的磷在高温作用下往硅片里扩散沉积镀膜。
现有的硅片进行沉积镀膜时,多是采用石墨舟放置硅片,然后直接放入炉体中,一方面,炉体具有较高的温度,当需要将石墨舟放入炉体深处时,不便于取出,另外一方面,现有的石墨舟直接放入炉体中位置始终保持不动的,充入汽相的POCL3与石墨舟中的硅片接触均匀性有待进一步提升,沉积效率有待进一步提升。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中不便于取放石墨舟和石墨舟位置不变,可能会存在硅片不同部位汽相的POCL3的量多或少,可能存在分布不均匀的情况,POCL3与石墨舟中的硅片接触的均匀性不佳的问题,而提出的一种硅片载片框及硅片镀膜系统。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种硅片载片框,包括石墨舟和支撑板,还包括:
第一支撑杆和第二支撑杆,用于设置在炉体中;
第一滑套和第二滑套,分别滑动连接在所述的第一支撑杆和第二支撑杆上,
其中
所述第一滑套和第二滑套固定连接在所述的支撑板底侧,所述第一滑套和第二滑套上分别固定连接有第一滑块和第二滑块;
所述第一支撑杆中开设有第一中空腔,所述第一中空腔中滑动连接有带有第一密封板的第一推动杆,所述第一推动杆与所述的第一滑块固定相连,所述第一密封板、第一推动杆和第一滑块上开设有连通的第一通气孔;
所述第二支撑杆中开设有第二中空腔,所述第二中空腔中滑动连接有带有第二密封板的第二推动杆,所述第二推动杆与所述的第二滑块固定相连,所述第二密封板、第二推动杆和第二滑块上开设有相互连通的第二通气孔;
U型中空卡杆,固定连接在支撑板上,所述石墨舟卡在所述的U型中空卡杆上,
其中
所述第一通气孔两端分别与第一中空腔和U型中空卡杆连通,所述第二通气孔两端分别与第二中空腔和U型中空卡杆连通;
进气管,固定连接在所述的第一支撑杆上,且进气管与所述的第一中空腔连通;
排气管,固定连接在所述的第二支撑杆上,且排气管与所述的第二中空腔连通。
为了控制进气管向第一中空腔供气,优选地,所述进气管上连接有控制阀。
为了实现第一通气孔到达预设的压力后开启,更进一步地,所述第一通气孔上设有压力阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造