[发明专利]一种半导体二极管晶圆自动抛光换片装置

说明书

本发明公开一种半导体二极管晶圆自动抛光换片装置，其包括上下料机械装置、抛光模块和机架，机架设有紧急制动模块，上下料机械装置和抛光模块均安装在机架上，抛光模块包括旋转工作组件和安在旋转工作组件外周侧的抛光装置，旋转工作组件设有与驱动电机连接的旋转工作台，沿着旋转工作台转动方向，抛光装置上设有上料工位、粗抛光工位、化学机械精抛光工位和下料工位，上下料机械装置包括上料模块和下料模块，抛光装置包括粗抛光模块和化学机械精抛光模块。本发明的半导体二极管晶圆自动抛光换片装置，通过旋转工作组件，使粗抛光模块、化学机械精抛光模块在感应检测器的配合下进行工作，提高晶圆的几何尺寸精度，降低了成本，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及技术领域，尤其是指一种半导体二极管晶圆自动抛光换片装置。

背景技术

半导体二极管晶圆抛光是利用化学抛光、机械抛光或化学机械抛光去除晶圆表面的机械损伤层，使得晶圆表面达到预定的镜面参数效果的重要工序。其中，化学抛光是利用化学非选择性腐蚀达到表面抛光的目的，晶圆表面残留的机械损伤层少，但表面状态和几何尺寸的精度较差。机械抛光是靠机械摩擦达到表面抛光目的，易于得到光亮如镜的晶圆表面，晶圆几何尺寸精度较高，但残留的机械损伤层的深度受抛光种类、粒度粗细的影响。化学机械抛光是使晶圆表面与抛光料发生化学反应，生成水溶性化合物，并通过受控的机械摩擦把化学反应物擦去，以达到抛光的目的，实现较高的晶圆表面质量。

现有工艺在进行半导体二极管晶圆抛光过程中，可以通过控制抛光装置的转速来实现预定的抛光效果，但无法明确抛光的尺寸深度，能够达到的加工精度有限加工，且目前无法实现大批量的抛光换片操作，生产效率低下，成本高。

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种半导体二极管晶圆自动抛光换片装置，其解决了现有晶圆抛光精度较低，生产效率低下，成本较高的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：

本发明的一种半导体二极管晶圆自动抛光换片装置，其包括上下料机械装置、抛光模块和机架，所述机架上设有紧急制动模块，所述上下料机械装置和抛光模块均安装在所述机架上，所述抛光模块包括旋转工作组件和安置在旋转工作组件外周侧的抛光装置，所述旋转工作组件上设有与驱动电机连接的旋转工作台，所述旋转工作台上安装有多个载片装置和所述紧急制动模块对应的中空凸块，所述中空凸台分设在所述载片装置两侧，所述抛光装置上设有上料工位、粗抛光工位、化学机械精抛光工位和下料工位，所述上料工位、粗抛光工位、化学机械精抛光工位和下料工位沿着所述旋转工作台的转动方向依次设置，所述上下料机械装置包括上料模块和下料模块，所述上料模块设置在上料工位上，所述下料模块设置在下料工位上，所述抛光装置包括粗抛光模块和化学机械精抛光模块，所述粗抛光模块设置在所述粗抛光工位上，所述化学机械精抛光模块设置在化学机械精抛光工位上。

作为一种优选方案，所述上料模块包括上料机械手，所述上料机械手设有上料取放治具，所述上料工位侧旁设有晶圆出料装置。

作为一种优选方案，所述晶圆出料装置包括晶圆感应器和物料架，所述物料架上开设有多个凹槽。

作为一种优选方案，所述下料模块包括下料机械手，所述下料机械手设有下料取放治具，所述下料工位侧旁设有晶圆储料装置。

作为一种优选方案，所述粗抛光模块包括驱动电机一、粗抛光组件和抛光液输送装置，所述粗抛光组件上设有粗抛光圆头，所述粗抛光圆头与所述驱动电机一连接，所述驱动电机一上设有感应检测器一，所述抛光液输送装置设置在所述驱动电机侧旁。

作为一种优选方案，所述化学机械精抛光模块包括驱动电机二、精抛光组件、剂液输送模块和机座，所述精抛光组件设有精抛光圆头，所述精抛光圆头与所述驱动电机二连接，所述驱动电机二上设有感应检测器二，所述剂液输送模块与感应检测器连接，所述机座上设有废液储存装置和与所述化学机械精抛光工位相对应的吹气装置。