[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法、芯片在审
| 申请号： | 202310327900.6 | 申请日： | 2023-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116581165A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘杰 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 林春梅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基 二极管 及其 制备 方法 芯片 | ||
1.一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述碳化硅肖特基二极管包括：
依次层叠设置的N型衬底、N型漂移层、N型沟道层以及N型再生层；其中，所述N型沟道层的掺杂浓度大于所述N型漂移层的掺杂浓度和所述N型再生层的掺杂浓度；
多个P型深区结构，形成于所述N型沟道层内，且所述P型深区结构的两端分别与所述N型漂移层和所述N型再生层接触；
多个P型注入区，多个所述P型注入区形成于所述N型再生层的正面；其中，多个所述P型深区结构与多个所述P型注入区交错设置；
阳极金属层，形成于所述P型注入区和所述N型再生层的正面；其中，所述阳极金属层与所述P型注入区之间形成欧姆接触，所述阳极金属层与所述N型再生层之间形成肖特基接触；
阴极金属层，形成于所述N型衬底的背面，且与所述N型衬底之间形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，相邻的所述P型深区结构之间的距离相等。
3.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，相邻的所述P型注入区之间的距离相等。
4.根据权利要求1所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，多个所述P型深区结构将所述N型沟道层划分为多个N型沟道区；
多个所述P型注入区与多个所述N型沟道区一一对应。
5.根据权利要求4所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，每个所述P型注入区与对应的所述N型沟道区相对设置。
6.根据权利要求5所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，每个所述P型注入区的宽度小于或等于与其对应的所述N型沟道区的宽度。
7.根据权利要求1-6任一项所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述N型再生层的掺杂浓度大于所述N型漂移层的掺杂浓度。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述P型注入区的深度小于所述N型再生层的厚度的二分之一。
9.一种碳化硅肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在N型衬底的正面依次形成N型漂移层、N型沟道层；
在所述N型沟道层内形成多个深入至所述N型漂移层的P型深区结构；
在所述N型沟道层的正面形成N型再生层；其中，所述N型沟道层的掺杂浓度大于所述N型漂移层的掺杂浓度和所述N型再生层的掺杂浓度；
在所述N型再生层的正面形成多个P型注入区；其中，多个所述P型深区结构与多个所述P型注入区交错设置；
在所述P型注入区和所述N型再生层的正面形成阳极金属层；其中，所述阳极金属层与所述P型注入区之间形成欧姆接触，所述阳极金属层与所述N型再生层之间形成肖特基接触；
在所述N型衬底的背面形成阴极金属层；其中，所述阴极金属层与所述N型衬底之间形成欧姆接触。
10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的碳化硅肖特基二极管；或者包括由权利要求9所述的制备方法制备的碳化硅肖特基二极管。
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