[发明专利]一种氧化镓耿氏二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310301854.2 | 申请日： | 2023-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN116367705A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李程程;吴畅;郭涛;周瑞;刘捷龙;王凯 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H10N80/10 | 分类号： | H10N80/10;H10N80/00 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 耿氏二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化镓耿氏二极管，其特征在于，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上方的氧化镓缓冲层，位于所述氧化镓缓冲层上方的氧化镓沟道层；所述氧化镓沟道层为凸台结构，所述凸台结构中间平台上方有势垒层，所述凸台结构两侧凸台肩部上方有n+Ga2O3层，所述n+Ga2O3层上方有欧姆电极。
2.根据权利要求1所述的氧化镓耿氏二极管，其特征在于，所述势垒层的材料选自AlN、ScAlN或AlxGa1-xO，x＝0.1～0.5。
3.根据权利要求1所述的氧化镓耿氏二极管，其特征在于，所述n+Ga2O3层掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×1019～1×1021cm-3。
4.根据权利要求1所述的氧化镓耿氏二极管，其特征在于，所述氧化镓缓冲层与所述氧化镓沟道层之间还有背势垒层。
5.根据权利要求4所述的氧化镓耿氏二极管，其特征在于，所述背势垒层的材料选自GaN或AlxGa1-xO，x＝0.1～0.5。
6.根据权利要求1所述的氧化镓耿氏二极管，其特征在于，所述势垒层中有第一δ掺杂层，所述第一δ掺杂层掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×1012～1×1014cm-3。
7.根据权利要求4所述的氧化镓耿氏二极管，其特征在于，所述背势垒层中有第二δ掺杂层，所述第二δ掺杂层掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×1012～1×1014cm-3。
8.权利要求1～7任一项所述的氧化镓耿氏二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在氧化镓衬底上依次外延生长氧化镓缓冲层、氧化镓沟道层、势垒层；
在所述势垒层上制备介质层；
采用干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，刻蚀所述介质层、所述势垒层和所述氧化镓沟道层，使所述氧化镓沟道层形成凸台结构；
在所述凸台结构两侧凸台肩部生长n+Ga2O3层；
在所述n+Ga2O3层上制备欧姆电极。
9.根据权利要求8所述的氧化镓耿氏二极管的制备方法，其特征在于，还包括在所述氧化镓缓冲层与所述氧化镓沟道层之间生长背势垒层。
10.根据权利要求8或9所述的氧化镓耿氏二极管的制备方法，其特征在于，还包括在所述势垒层中和/或所述背势垒层中生长δ掺杂层。
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