[发明专利]耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器有效

申请号：	200410001622.2	申请日：	1999-04-28
公开（公告）号：	CN1529348A	公开（公告）日：	2004-09-15
发明（设计）人：	中川敦;渡边健一	申请（专利权）人：	新日本无线株式会社
主分类号：	H01L21/328	分类号：	H01L21/328;H01L29/861;H01P7/00
代理公司：	上海专利商标事务所	代理人：	张政权
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。
搜索关键词：	耿氏二极管制造方法以及振荡器
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【主权项】：

1.一种耿氏二极管制造方法，包括：在半导体基板之上依次层叠形成作为第1接触层的第1半导体层、活化层及作为第2接触层的第2半导体层的第1工序；在所述第2接触层上形成一定形状的第1和第2电极的第2工序；将所述第1和第2电极作为掩模进行干法刻蚀，来除去所述第2半导体层和活化层的第3工序。

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申请日： 1999-04-28 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号：
摘要：在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器有效

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