[发明专利]一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法在审
| 申请号： | 202310296125.2 | 申请日： | 2023-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN116356280A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 顾书林;段晶晶;滕妍;赵伟康;刘松民;黄颖蒙;杨凯;朱顺明;汤琨;叶建东 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/511 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微波 等离子体 化学 沉积 系统 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
1.一种微波等离子体化学气相沉积系统制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：基于微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统，系统包括微波源、微波传输系统、微波反应系统、真空系统、气体质量流量系统、冷却水系统：
(1)衬底选择及清洗：对衬底使用溶剂、去离子水先后对衬底进行5-15min超声清洗，以去除衬底表面的杂质和有机物；
(2)反应室真空环境准备：将衬底放置于反应室钼托中，置于微波等离子体化学气相沉积系统，抽真空至7.5×10-4Pa以下；
(3)起辉及衬底预处理：对衬底进行升温预热，通入氢气，系统功率为2800-3200w，系统压力为10000-15000Pa，衬底升温至650-750℃；并对衬底进行5-15min的等离子体清洗；
(4)沉积六方氮化硼薄膜：通入硼、氮气体反应源，其中硼元素反应源为被氢气或氩气稀释的乙硼烷(B2H6)，稀释比例为1％，流量为5-15sccm，氮元素反应源为高纯氮气，流量为5-15sccm，调节系统功率为3000-3300w，系统压力为12000-16000Pa，反应温度为750-850℃，沉积时间为30-90min。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，衬底为氧化铝、金刚石或硅片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述的起辉气体为氢气，通入氢气的流量为300-500sccm。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
