[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，属于倒装LED芯片技术领域。其技术方案为：对圆晶基底进行光刻与刻蚀，形成N电极导电平台；ITO层的蒸镀与退火；DBR层的沉积，再通过光刻工艺形成第一通道；PAD层的蒸镀。本发明的倒装LED芯片的制备方法缩短了制程时间，提高芯片产出效率，并节省物料。新的固晶方式提高了固晶成功率及固晶产出，降本提效。

技术领域

本发明涉及倒装LED芯片技术领域，具体涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

目前倒装LED芯片(结构如图1所示)的制备主要采用多层镀膜与开孔结构来进行电流传导以及光的反射，此种结构虽然能较好地进行电流传输，但存在工艺复杂与物料消耗的问题，从而使制备工艺繁琐、制程时间长。此外，在倒装LED芯片的固晶过程中，采用的固晶支架如图2所示，传统的倒装LED芯片结构在使用这种固晶支架进行固晶时，经常发生芯片位移，导致固晶失效。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种倒装LED芯片及其制备方法，工艺简单，制程时间缩短，能够提高产能并减少物料消耗。

本发明的技术方案为：

一方面，本发明提供了一种倒装LED芯片的制备方法，包括以下步骤：

S1对晶圆基底进行清洗，圆晶基底包括蓝宝石、N-GaN外延层、发光层和P-GaN外延层；

S2在P-GaN外延层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉P-GaN外延层四周的正性光刻胶；

S3通过干法刻蚀的方法，将暴露出的P-GaN外延层及其下方的发光层(MQW)和部分N-GaN外延层去除，随后去掉剩余的正性光刻胶，形成N电极导电平台；

S4在步骤S3得到的半成品的上表面进行ITO层的蒸镀与退火；

S5在ITO层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉ITO层四周的正性光刻胶；

S6通过湿法腐蚀的方法，将暴露出的ITO层去除，露出下方的P-GaN外延层，随后去掉剩余的正性光刻胶；

S7在步骤S6得到的半成品的上表面沉积DBR层；

S8在DBR层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉DBR层上位于ITO层中心处以及绕N电极导电平台一圈的正性光刻胶，使去掉正性光刻胶的位置形成回字形；

S9通过干法刻蚀的方法，将暴露出的DBR层去除，形成与ITO层和N-GaN外延层接触的第一通道，随后去掉剩余的正性光刻胶；

S10在步骤S9得到的半成品的上表面涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉第一通道上的负性光刻胶；

S11在步骤S10得到的半成品的上表面蒸镀PAD层，随后剥离掉负性光刻胶，从而在第一通道上镀上PAD层。

优选地，步骤S1中，先后使用丙酮、甲醇和异丙醇溶液对圆晶基底进行清洗，清洗温度为48-52℃，随后进行水洗、氮气烘干。

优选地，步骤S2中，正性光刻胶的厚度为2±0.1μm；步骤S5中，正性光刻胶的厚度为2±0.1μm；步骤S8中，正性光刻胶的厚度为7±0.1μm；步骤S10中，负性光刻胶的厚度为4±0.1μm。

优选地，步骤S4中，ITO层的厚度为600-1100埃；步骤S11中，PAD层的厚度为2.8±0.1μm。

优选地，步骤S3、S6和S9中，去胶方法如下：先经过三次去胶液去胶处理，再经过异丙醇去胶处理，随后进行两次QDR清洗，再经过一次异丙醇去胶，最后进行氮气吹干；去胶液去胶的温度为88-92℃，异丙醇去胶的温度为常温。