[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1对晶圆基底进行清洗，圆晶基底包括蓝宝石、N-GaN外延层、发光层和P-GaN外延层；

S2在P-GaN外延层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉P-GaN外延层四周的正性光刻胶；

S3通过干法刻蚀的方法，将暴露出的P-GaN外延层及其下方的发光层和部分N-GaN外延层去除，随后去掉剩余的正性光刻胶，形成N电极导电平台；

S4在步骤S3得到的半成品的上表面进行ITO层的蒸镀与退火；

S5在ITO层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉ITO层四周的正性光刻胶；

S6通过湿法腐蚀的方法，将暴露出的ITO层去除，露出下方的P-GaN外延层，随后去掉剩余的正性光刻胶；

S7在步骤S6得到的半成品的上表面沉积DBR层；

S8在DBR层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉DBR层上位于ITO层中心处以及绕N电极导电平台一圈的正性光刻胶，使去掉正性光刻胶的位置形成回字形；

S9通过干法刻蚀的方法，将暴露出的DBR层去除，形成与ITO层和N-GaN外延层接触的第一通道，随后去掉剩余的正性光刻胶；

S10在步骤S9得到的半成品的上表面涂上负性光刻胶，经曝光、显影去除掉第一通道上的负性光刻胶；

S11在步骤S10得到的半成品的上表面蒸镀PAD层，随后剥离掉负性光刻胶，从而在第一通道上镀上PAD层。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，先后使用丙酮、甲醇和异丙醇溶液对圆晶基底进行清洗，清洗温度为48-52℃，随后进行水洗、氮气烘干。

3.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S2中，正性光刻胶的厚度为2±0.1μm；步骤S5中，正性光刻胶的厚度为2±0.1μm；步骤S8中，正性光刻胶的厚度为7±0.1μm；步骤S10中，负性光刻胶的厚度为4±0.1μm。

4.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，ITO层的厚度为600-1100埃；步骤S11中，PAD层的厚度为2.8±0.1μm。

5.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S3、S6和S9中，去胶方法如下：先经过三次去胶液去胶处理，再经过异丙醇去胶处理，随后进行两次QDR清洗，再经过一次异丙醇去胶，最后进行氮气吹干；去胶液去胶的温度为88-92℃，异丙醇去胶的温度为常温。

6.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S7中，DBR层的沉积方法为：SiO₂与TiO₂交替沉积且先沉积SiO₂，沉积39层，DBR层的厚度为4μm。

7.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

S12在步骤S11得到的半成品的上表面沉积PV层；

S13在PV层上涂上正性光刻胶，经曝光、显影去除掉PV层上对应PAD层位置的至少部分正性光刻胶；

S14通过干法刻蚀的方法，将暴露出的PV层去除，随后去掉剩余的正性光刻胶。

8.如权利要求7所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤S12中，PV层的厚度为1000±100埃；步骤S13中，正性光刻胶的厚度为2±0.1μm。

9.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，制备得到倒装LED芯片后，采用固晶支架对其进行固晶，其中固晶支架包括底座，底座上对应倒装LED芯片的PAD层处设置有凹槽，在凹槽中填入共晶胶或锡膏，再将倒装LED芯片的PAD层倒置在凹槽中，完成倒装LED芯片的固晶。

10.通过如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的倒装LED芯片。