[发明专利]一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法在审
申请号: | 202310082708.5 | 申请日: | 2023-02-08 |
公开(公告)号: | CN116031277A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 王新强;陈兆营;刘放;盛博文;李铎 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化物 全彩 微型 发光二极管 显示 芯片 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示芯片单元包含红光、绿光和蓝光微型发光二极管显示像素,极大地简化三基色微型发光二极管向显示面板的转移工艺,提高了显示面板的成品率;三基色微型发光二极管显示像素集中分布在同一芯片单元上,便于缩小三基色像素之间的间距,增强混光效果;同时单片集成芯片提高了发光区域的面积占比,有利于提高微型发光二极管显示器的分辨率;三基色微型发光二极管由相同材料构成,并在同一衬底上外延制备获得,三基色微型发光二极管独立可控,有利于提高芯片间的发光一致性和显色性能;与现有的发光二极管的芯片工艺流程兼容,易于将本发明直接应用到大规模的工业生产。
技术领域
本发明涉及全彩微型发光二极管显示技术,具体涉及一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。
背景技术
微型发光二极管显示技术具有能耗低、寿命长和显色性好等优点,在大型显示器、消费电子、车载显示器、虚拟现实/增强现实和可穿戴显示等各种尺寸和形状的高清显示领域有着广阔的应用前景,是国际上相关研究机构和企业重点关注的下一代显示技术。如何实现全彩显示是微型发光二极管显示技术面临的挑战之一,这主要是由于现有技术条件下,还很难实现红、绿、蓝三基色微型发光二极管的单片集成。
目前通常使用巨量转移的方法制备将红、绿、蓝三基色微型发光二极管转移到同一块显示面板上,来制备全彩微型发光二极管显示器。面向高清显示应用的微型发光二极管显示技术需要数以百万计的红、绿、蓝三基色微型发光二极管显示芯片来实现,而准确无误地将众多不同材料的芯片集成在一起十分困难,极大地增加了工艺的复杂性和成本、降低了产品的成品率,限制了微型发光二极管显示技术的发展。
氮化物材料体系的发光范围覆盖了整个可见光波段,使用单一的氮化物材料体系就可以实现红、绿、蓝三基色微型发光二极管,氮化物材料是全彩微型发光二极管显示技术的优选材料。使用氮化物材料体系,有望取代现有巨量转移模式制备全彩微型发光二极管显示器的技术路线,以单片集成的方法实现全彩微型发光二极管显示。
发明内容
针对以上现有技术中存在的问题,本发明提出了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。
本发明的一个目的在于提供一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的