[发明专利]一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构

权利要求书

1.一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构，包括引线框架、金属键合线以及芯片裸片；其特征在于，所述M型磁耦合结构包括第一M型导电结构以及与之电气隔离的第二M型导电结构；所述第一M型导电结构包括第一导体框架、第一芯片裸片、第一金属键合线、第二金属键合线；第一导体框架包括第一导体、第二导体、第三导体、第四导体、第五导体以及第六导体；其中第一导体为第一接地面；第二导体的一端与第一导体相连，第二导体的另一端与第四导体的一端相连形成第一弯折结构；第三导体的一端与第一导体相连，第三导体的另一端与第五导体的一端相连形成第二弯折结构；第四导体的另一端、第五导体的另一端同时与第六导体的一端相连组成第一耦合导体；第一金属键合线连接第六导体的另一端与第一芯片裸片，第二金属键合线连接第一导体与第一芯片裸片；

所述第二M型导电结构和第一M型导电结构呈对称结构；第二M型导电结构包括第二导体框架、第二芯片裸片、第三金属键合线、第四金属键合线；第二导体框架包括第七导体、第八导体、第九导体、第十导体、第十一导体以及第十二导体；其中第七导体为第二接地面；第八导体的一端与第七导体的一端相连，第八导体的另一端与第十导体的一端相连形成第三弯折结构，第九导体的一端与第七导体相连，第九导体的另一端与第十一导体的一端相连形成第四弯折结构；第十导体的另一端、第十一导体的另一端均与第十二导体的一端相连组成第二耦合导体；第三金属键合线连接第十二导体的另一端与第二芯片裸片，第四金属键合线连接第七导体与第二芯片裸片；

第一耦合导体和第二耦合导体相互隔离并平行，第一M型导电结构与第二M型导电结构通过第一耦合导体和第二耦合导体进行磁耦合；第一M型导电结构包含由第一芯片裸片、第一金属键合线、第六导体、第四导体、第二导体、第一导体、第二金属键合线形成的第一导电回路，以及由第一芯片裸片、第一金属键合线、第六导体、第五导体、第三导体、第一导体、第二金属键合线形成的第二导电回路；第二M型导电结构包含由第二芯片裸片、第三金属键合线、第十二导体、第十导体、第八导体、第七导体、第四金属键合线形成的第三导电回路，以及由第二芯片裸片、第三金属键合线、第十二导体、第十一导体、第九导体、第七导体、第四金属键合线形成的第四导电回路；第一导电回路与第二导电回路电流方向相反，产生的磁场方向相反；第三导电回路与第四导电回路电流方向相反，产生的磁场方向相反；实现减弱磁耦合结构的对外辐射，并增强磁耦合结构外部磁场的抗干扰能力。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构，其特征在于，所述第一M型导电结构以第六导体和第一芯片裸片的中线为中心，两侧呈对称结构；第二M型导电结构以第十二导体和第二芯片裸片的中线为中心，两侧呈对称结构；因此形成的第一导电回路与第二导电回路面积相等，第三导电回路与第四导电回路面积相等。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构，其特征在于，所述第六导体的最小宽度为第四导体的宽度，所述第十二导体的最小宽度为第十导体的宽度。

4.根据权利要求1所述的一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构，其特征在于，所述第一弯折结构、第二弯折结构、第三弯折结构以及第四弯折结构是折线形或弧形。