[发明专利]一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法

权利要求书

1.一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，包括：

步骤S1：将硫系前驱体分子A以连续多脉冲注入的方式对衬底进行表面修饰，使所述衬底的表面饱和吸附一层成键的硫系修饰层；

步骤S2：通入载气对表面修饰后的衬底进行吹扫，消除衬底表面未被吸附的多余的硫系前驱体分子A；

步骤S3：采用原子层沉积法在吹扫后的衬底表面交替脉冲注入硫系前驱体分子A和硫系前驱体分子B，生长硫系相变薄膜。

2.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，在步骤S1中，注入300～500个脉冲周期，每个脉冲周期中硫系前驱体分子A的注入时长为300ms～1500ms，每个脉冲周期中的吹扫时长为800ms～1500ms，载气流量为300sccm～650sccm。

3.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，在步骤S1中，选择原子层沉积中氧化性更强的硫系前驱体分子进行衬底表面修饰。

4.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，在步骤S2中，进行吹扫的载气流量为100sccm-650sccm，吹扫时长为2min～15min。

5.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，在步骤S3中，原子层沉积的反应温度为80℃～110℃，注入300～1000个脉冲周期，每个脉冲周期中硫系前驱体分子的注入时长为500ms～1000ms，每个脉冲周期的吹扫时长为4s～6s，载气流量为300sccm-650sccm。

6.如权利要求5所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，步骤S1和步骤S3的反应温度相同。

7.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，在步骤S1之前，还包括：

依次利用丙酮、乙醇和去离子水清洗衬底表面。

8.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，所述载气为氮气。

9.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，所述硫系前驱体分子A和硫系前驱体分子B的组合为以下任一种：

二氯化锗、二乙硅基碲；三氯化锑、二乙硅基碲；四甲氧基锗、二乙硅基碲；四甲氧基锗、二甲硅基碲；三乙氧基锑、二甲硅基碲。

10.如权利要求1所述的原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其特征在于，

所述衬底为硅-二氧化硅基片、石英基片、三氧化二铝基片、二氧化钛基片、钨、氮化钛、钨钛合金中的任一种。