[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

一种发光装置包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物，第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物，第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物，以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度在约5μm至约30μm的范围内。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2022年1月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2022-0009235的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本公开整体涉及一种发光装置和一种制造发光装置的方法。

背景技术

发光二极管(LED)芯片具有诸如低功耗、高亮度和长寿命的多种优点，从而广泛用作光源。

近来，用于诸如空气和水液体的杀菌和消毒的紫外线(UV)LED已增加。

另外，汞灯主要用作各种UV应用的光源。最近开发的UV LED具有小体积、重量轻且紧凑，并且具有与汞UV灯相比五倍或更长的寿命。与汞灯相比，UV LED对于发光波长自由设计，产生低热量，并且具有优异的能效。此外，UV LED不产生对人体和环境有害的臭氧，也不需要使用诸如汞的重金属。

UV LED芯片包括形成在pAlGaN上以形成欧姆接触的p-GaN，并且由于p-GaN的带隙特性，UV光的吸收率高。因此，UV LED芯片的光提取效率降低。

另外，由于AlN没有结合到粗糙的蓝宝石层上，因此也可不会形成用于防止蓝宝石层和AlN层之间的全反射的凹凸结构。

发明内容

示例实施例提供了一种光提取效率增大的发光装置及制造发光装置的方法。

示例实施例还提供了一种其上形成有具有非常窄的水平宽度的台式结构的发光装置，并且诸如Al₂O₃或SiO₂的氧化物通过热氧化工艺形成在台式结构的侧表面上。因此，以大于临界角的角发射的光被氧化层反射并且以小于临界角的角被导向。

其他方面将在下面的描述中部分阐述，并且部分将从描述中明显可见，或者可以通过所呈现实施例的实践来学习。

根据示例实施例的一方面，一种发光装置可包括：第一光透射层；第二光透射层，其设置在第一光透射层上；多个台式结构，其设置在第二光透射层上，并且被配置为生成紫外波段中的光；以及钝化图案，其设置在多个台式结构的侧表面上。多个台式结构中的每一个包括：第一外延图案，其包括铝镓氮化物；第二外延图案，其设置在第一外延图案上，并且包括铝镓氮化物；第三外延图案，其设置在第二外延图案上，并且包括铝镓氮化物；以及第四外延图案，其设置在第三外延图案上，并且包括氮化镓。多个台式结构中的每一个的水平宽度可在约5μm至约30μm的范围内。

根据示例实施例的一方面，一种发光装置可包括：包括蓝宝石的第一光透射层；第二光透射层，其包括氮化铝，并且设置在第一光透射层上；第一外延层，其设置在第二光透射层上并且包括在第一方向上彼此分离开的多个第一外延图案；多个第二外延图案，其设置在在第一方向上彼此分离开的多个第一外延图案上，并且包括多量子阱(MQW)结构；多个第三外延图案，其设置在多个第二外延图案上并且在第一方向上彼此分离开；以及多个第四外延图案，其设置在多个第三外延图案上并且在第一方向上彼此分离开。多个第一外延图案中的每一个在第一方向上的宽度可在约5μm至约30μm的范围内。