[发明专利]封装、叠层封装结构及制造叠层封装结构的方法在审
申请号: | 202310026404.7 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN115799087A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 邱胜焕;陈俊仁;陈承先;刘国洲;张国辉;林忠仪;郑锡圭;赖怡仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/535 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;王琳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种制造封装的方法,其特征在于,包括:
在载板上形成管芯及多个导电结构,其中所述多个导电结构包括多个第一导电结构及多个第二导电结构,其中所述第一导电结构由圆形柱组成且所述多个第二导电结构由椭圆形柱组成,其中所述椭圆形柱中的每一者的横截面平行于所述管芯的表面且具有长轴,所述第二导电结构被设置成以径向方式包围所述管芯,且所述第一导电结构被设置成环绕所述第二导电结构,所述第二导电结构的所述横截面的长轴与从所述管芯的中心沿径向向外朝所述封装的边缘延伸的虚拟线对齐;
使用包封体包封所述管芯及所述多个导电结构;
在所述管芯、所述多个导电结构及所述包封体上形成重布线结构;以及
分离所述载板。
2.根据权利要求1所述的封装,其特征在于,所述椭圆形柱中的每一者具有与所述管芯的所述后表面平行的横截面,且所述横截面的长轴对所述横截面的短轴的比率大于1且小于8。
3.一种制造叠层封装结构的方法,其特征在于,包括:
形成第一封装,包括:
提供载板,其中所述载板上形成有介电层;
在所述介电层上形成管芯及多个导电结构,其中所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面,所述介电层位于所述管芯的所述后表面上,所述多个导电结构环绕所述管芯外围,且所述多个导电结构包括多个第一导电结构及多个第二导电结构,其中所述第一导电结构由圆形柱组成且所述多个第二导电结构由椭圆形柱组成,其中所述椭圆形柱中的每一者的横截面平行于所述管芯的所述后表面且具有长轴,所述第二导电结构被设置成以径向方式包围所述管芯,且所述第一导电结构被设置成环绕所述第二导电结构,所述第二导电结构的所述横截面的长轴与从所述管芯的中心沿径向向外朝所述封装的边缘延伸的虚拟线对齐;
使用包封体包封所述管芯及所述多个导电结构,其中所述介电层位于所述包封体上;
在所述管芯的所述有源表面、所述多个导电结构及所述包封体上形成重布线结构;
将所述载板从所述介电层分离;
在所述介电层中形成多个椭圆形开口以暴露出所述多个导电结构;以及
在所述介电层的所述多个椭圆形开口中形成多个连接端子,其中所述多个连接端子设置在所述多个导电结构上,且所述多个连接端子由椭圆体组成;以及
在所述第一封装上堆叠第二封装,其中所述第二封装通过所述多个连接端子与所述第一封装电连接。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述形成所述第一封装的步骤还包括在所述重布线结构上形成多个导电端子。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,通过激光钻孔工艺形成在所述介电层的所述多个椭圆形开口。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述形成所述多个连接端子的步骤包括:
在所述介电层上提供具有多个椭圆形开孔的模板,其中所述多个椭圆形开孔的形状对应于所述介电层的所述多个椭圆形开口的形状,且所述多个椭圆形开孔小于所述多个椭圆形开口;
将导电膏填充到所述多个椭圆形开孔及所述多个椭圆形开口中;
从所述介电层移除所述模板;以及
将所述导电膏固化以在所述多个椭圆形开口中形成所述多个连接端子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造