[发明专利]端面部测量装置以及端面部测量方法在审
申请号: | 202310020947.8 | 申请日: | 2023-01-06 |
公开(公告)号: | CN116504660A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 大叶茂 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01D21/02;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;敖莲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 端面 测量 装置 以及 测量方法 | ||
提供一种端面部测量装置及端面部测量方法,其不受晶圆的端面部的表面状态影响,能够在短时间内对端面部的整体进行形状测量。该端面部测量装置具备:保持部,其保持晶圆;旋转单元,其使晶圆旋转;以及传感器,其具有:向利用保持部保持的晶圆的端面部投射来自光源的激光的投射部、以及接受该激光在晶圆的端面部反射的扩散反射光的受光检测部,该端面部测量装置一边保持晶圆并使其旋转,一边至少在从保持有晶圆的面的法线方向到保持的面的相反侧的面的法线方向的范围利用传感器投射激光以及接受扩散反射光,能够利用三角测距法测量晶圆的端面部的整个区域的形状。
技术领域
本发明涉及一种测量晶圆的端面部的形状的端面部测量装置及端面部测量方法。
背景技术
在半导体晶圆的加工工艺中,为了防止裂纹、缺口、崩碎而进行晶圆的端面(边缘)部的倒角加工。而且,为了防止产生来自端面部的灰尘、容易检查端面部的伤痕、缺陷、附着物而进行研磨加工。而且,随着半导体器件的微细化,提高端面部形状的精度、降低缺陷的要求正在提高。
例如在专利文献1中记载有一种测量方法,在端面部的形状评价中,配置照射、接受光的单元,并基于反射光进行计算端面部形状的运算。
在专利文献2中记载有一种方法,其通过从以包围端面部的方式配置的LED中依次以不同的角度照射光来检测反射光的亮度峰值从而计算端面部形状。
在专利文献3中记载有一种方法,其通过从端面部的侧面投射光并拍摄投影像(影画)来评价端面部形状。
在专利文献4中记载有一种方法,其对照明光进行聚光而以焦点面横切晶圆端面部的方式进行配置,经由共焦的光学系统检测反射光,并将反射光强度为峰值的位置作为端面部进行检测并评价。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-147288号公报
专利文献2:日本特开2007-256257号公报
专利文献3:日本特开2009-025079号公报
专利文献4:日本特开2020-020717号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
但是,本发明人在进行调查后得知,关于照射光并利用正反射进行评价的专利文献1、专利文献2等的评价方法,如果端面部不实施对光进行正反射程度的蚀刻加工、研磨加工,则不能接受正反射光。
另外,在专利文献3的评价投射了光的投影像的方法中能够测量端面部的形状,但不能完全捕捉微细的附着物、缺口、芯片、条痕等。
而且,在专利文献4的方法中,需要大规模且复杂的光学系统机构和检测机构,而且要全部扫描端面部进行评价,需要大量的时间。
对上述问题进行详细说明。
要检测晶圆端面部的形状、异物的附着以及缺口、芯片、条痕等缺陷,如果不进行镜面化蚀刻或者使用研磨布、浆料进行研磨加工,使晶圆端面部成为对激光进行正反射程度的表面粗糙度,则不能进行测量。因此,在晶圆的制造工序中,不能在晶圆整周区域测量切割工序、倒角工序、使用了碱性水溶液的蚀刻工序中的晶圆的端面部的形状、品质,而限于一部分的剖面形状、区域。因此,在晶圆的端面部存在缺口、芯片、裂缝、条痕等,晶圆由于存在这些而在装置内破损,从而产生装置停止的故障。
另外,即使能够测量,接受激光的正反射用于测量的光学系统复杂,测量装置成为大规模的机构,而且测量范围较窄,要测量晶圆的端面部的整周而需要大量的时间。
本发明鉴于上述问题而完成,其目的在于提供一种端面部测量装置及端面部测量方法,其不受晶圆的端面部的表面状态影响,能够在短时间内对端面部的整体进行形状测量。
(二)技术方案
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造