[发明专利]端面部测量装置以及端面部测量方法在审
申请号: | 202310020947.8 | 申请日: | 2023-01-06 |
公开(公告)号: | CN116504660A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 大叶茂 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01D21/02;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;敖莲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 端面 测量 装置 以及 测量方法 | ||
1.一种端面部测量装置,其测量晶圆的端面部的形状,其特征在于,
具备:
保持部,其保持所述晶圆;
旋转单元,其通过使该保持部旋转而使所述晶圆旋转;以及
传感器,其具有:向利用所述保持部保持的所述晶圆的端面部投射来自光源的激光的投射部、以及接受从该投射部投射的所述激光在所述晶圆的端面部反射的扩散反射光的受光检测部,
一边利用所述保持部保持作为所述晶圆的切片工序、倒角工序、研磨/磨削工序或蚀刻工序的晶圆并利用所述旋转单元使其旋转,
一边至少在从保持有所述晶圆的面的法线方向到所述保持的面的相反侧的面的法线方向的范围利用所述传感器投射所述激光以及接受所述扩散反射光,
能够利用三角测距法测量所述晶圆的端面部的整个区域的形状。
2.根据权利要求1所述的端面部测量装置,其特征在于,
具备多个所述传感器。
3.根据权利要求1所述的端面部测量装置,其特征在于,
固定配置有所述传感器,或者,
还具备沿着所述晶圆的端面部调整所述传感器的位置及角度的传感器角度调整机构,能够利用该传感器角度调整机构调整所述传感器的位置及角度。
4.根据权利要求2所述的端面部测量装置,其特征在于,
固定配置有所述传感器,或者,
还具备沿着所述晶圆的端面部调整所述传感器的位置及角度的传感器角度调整机构,能够利用该传感器角度调整机构调整所述传感器的位置及角度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的端面部测量装置,其特征在于,
还具备控制部,其根据所述晶圆的端面部的测量形状与根据该测量形状计算的所述晶圆的端面部的理想形状的差分来判定异物的附着物、缺口、芯片、或者条痕。
6.一种端面部测量方法,其测量晶圆的端面部的形状,其特征在于,
使用:
保持部,其保持所述晶圆;
旋转单元,其通过使该保持部旋转而使所述晶圆旋转;以及
传感器,其具有:向利用所述保持部保持的所述晶圆的端面部投射来自光源的激光的投射部、以及接受从该投射部投射的所述激光在所述晶圆的端面部反射的扩散反射光的受光检测部,
一边利用所述保持部保持作为所述晶圆的切片工序、倒角工序、研磨/磨削工序或蚀刻工序的晶圆并利用所述旋转单元使其旋转,
一边至少在从保持有所述晶圆的面的法线方向到所述保持的面的相反侧的面的法线方向的范围利用所述传感器投射所述激光以及接受所述扩散反射光,
能够利用三角测距法测量所述晶圆的端面部的整个区域的形状。
7.根据权利要求6所述的端面部测量方法,其特征在于,
使用多个所述传感器。
8.根据权利要求6所述的端面部测量方法,其特征在于,
作为所述传感器,使用固定配置的传感器,或者,
还使用沿着所述晶圆的端面部调整所述传感器的位置及角度的传感器角度调整机构,使用能够利用该传感器角度调整机构调整所述传感器的位置及角度的传感器,
投射所述激光及接受所述扩散反射光。
9.根据权利要求7所述的端面部测量方法,其特征在于,
作为所述传感器,使用固定配置的传感器,或者,
还使用沿着所述晶圆的端面部调整所述传感器的位置及角度的传感器角度调整机构,使用能够利用该传感器角度调整机构调整所述传感器的位置及角度的传感器,
投射所述激光及接受所述扩散反射光。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的端面部测量方法,其特征在于,
还使用控制部进行判定,所述控制部根据所述晶圆的端面部的测量形状与根据该测量形状计算的所述晶圆的端面部的理想形状的差分来判定异物的附着物、缺口、芯片、或者条痕。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社,未经信越半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310020947.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气味评价装置
- 下一篇:一种仿刺参全基因组30K液相育种芯片及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造