[实用新型]异构封装基板和模组

说明书

本实用新型提供了一种异构封装基板和模组，异构封装基板包括玻璃衬底、异构层、金属柱、背面金属布线层以及同时贯穿玻璃衬底和异构层的收容洞；异构层包括介电材料层和金属线，金属线在介电材料层内形成金属布线和无源器件；金属布线包括N层，N为正整数且满足，N≥2；无源器件为金属线通过集成无源器件工艺制成；背面金属布线层至少部分覆盖收容洞；背面金属布线层设有通过刻蚀工艺制成的多个金属凸块，以用于与收容于收容洞内的外部芯片的管脚实现电连接；背面金属布线层通过金属柱与金属布线连接，无源器件依次通过金属布线和金属柱后与金属凸块电连接。本实用新型的技术方案的整体厚度小，散热效果好且可靠性高。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，尤其涉及一种异构封装基板和模组。

背景技术

目前，移动通信技术的发展，5G时代的到来，以手机为代表的无线终端射频芯片的复杂度和发射功率都大幅增加。

相关技术的应用核心器件的射频模组将芯片、电容、电感、电阻等器件焊接在基板上形成。相关技术的基板一般为有机基基材基板。

然而，相关技术的有机基材基板一般为多层基板。5G射频模组通常6层，基板厚度约250um，散热路径较长的缺点。射频芯片中的射频功率放大器的发射功率越来越大，产生的热量越来越大，而且随着信号的调制方式复杂度的提升，射频功率放大器需要在越来越深的回退区工作，导致射频功率放大器的效率越来越低，进而产生的热量越来越多。综合以上因素，射频功率放大器的散热问题，越来越严峻。射频功率放大器的工作温度的提升，会带来性能的退化，可靠性变差等问题。如何通过基板将射频功率放大器散热问题降低是个需要解决技术问题。另外，射频模组中的芯片厚度一般为150微米～200微米，芯片和基板厚度叠加的厚度一般为700微米，使得射频模组的整体厚度大，不利用于组装和在可穿戴终端，智能手表等使用。

因此，实有必要提供一种基板和模组解决上述问题。

实用新型内容

针对以上现有技术的不足，本实用新型提出一种整体厚度小，散热效果好且可靠性高的异构封装基板和模组。

为了解决上述技术问题，第一方面，本实用新型实施例提供了一种异构封装基板，所述异构封装基板包括玻璃衬底、由所述玻璃衬底的其中一侧延伸的一个异构层、贯穿所述玻璃衬底的金属柱、设置于所述玻璃衬底远离所述异构层一侧的背面金属布线层以及同时贯穿所述玻璃衬底和所述异构层的收容洞；所述异构层包括由所述玻璃衬底延伸的介电材料层和设置于所述介电材料层内的金属线，所述金属线在所述介电材料层内形成金属布线和无源器件；所述金属布线包括N层，N为正整数且满足，N≥2；所述无源器件为所述金属线通过集成无源器件工艺制成；所述背面金属布线层至少部分覆盖所述收容洞；所述背面金属布线层设有通过刻蚀工艺制成的多个金属凸块，用于与收容于所述收容洞内的外部芯片的管脚实现电连接；所述背面金属布线层通过所述金属柱与所述金属布线连接，所述无源器件依次通过所述金属布线和所述金属柱与所述金属凸块电连接。

优选的，所述收容洞包括多个，每个所述收容洞可容纳相应的外部芯片，且所述背面金属布线层中分别覆盖每个所述收容洞的多个所述金属凸块与收容于对应的所述收容洞内的外部芯片的管脚相匹配。

优选的，所述介电材料层包括依次叠设的多个介电层；所述金属布线和所述无源器件在多个所述介电层中形成。

优选的，所述异构层设有所述介电材料层远离所述玻璃衬底的一侧的多个焊盘，用于分别与其他外部芯片的管脚和外部连线焊接；所述焊盘与所述金属布线电连接。

优选的，所述焊盘形成于最远离所述玻璃衬底的一个所述介电层中并外露于所述介电层。

优选的，所述无源器件包括电容、电感以及电阻中的一种或多种。

优选的，所述电容、所述电感以及所述电阻中的至少两种在所述介电材料层内连接形成电路功能模块，所述电路功能模块包括射频滤波器、阻抗匹配电路以及电源去耦电路的一种或多种。