[实用新型]一种用于提升硅片少子寿命精度的钝化设备

说明书

本实用新型涉及一种用于提升硅片少子寿命精度的钝化设备，包括加热炉和冷却装置，所述的加热炉包括加热炉本体、内腔石英件和加热炉密封盖，所述的加热炉本体的前端下部安装有加热炉密封盖，所述的加热炉本体的内腔内安装有内腔石英件，所述的加热炉本体的前端两侧设置有与外部氮气气源连通的氮气输入管，所述的氮气输入管从内腔石英件两侧伸入到内腔，所述的内腔石英件的底部内安装有呈叠放的硅片装夹件。本实用新型具有操作简便、成本低、效率高等特点。

技术领域

本实用新型涉及硅片少子寿命检测技术领域，特别是涉及一种用于提升硅片少子寿命精度的钝化设备。

背景技术

随着集成电路的集成度不断增大，对所需的衬底单晶硅片的质量要求也越来越高，人们常用非平衡态少数载流子寿命(少子寿命)来反映晶圆质量的好坏。目前，检测硅片少子寿命的方法主要是微波光电导衰退法(Microwave Photo-Conductance Decay，μ-PCD)。微波光电导衰退法是利用大于硅禁带宽度的脉冲激光对硅片表面进行照射，产生的空穴-电子能够增大其光电导率，随着激光的撤除，光电导率呈指数衰退，利用微波反射强度的变化探测光电导率的变化，从而得出少子的寿命。但是由于硅片表面存在的悬挂键会成为有效的复合中心，导致测得的少子寿命并不是真实的硅片少子寿命。为了消除表面复合的影响，需要对硅片表面进行钝化。常用的表面钝化技术有电荷沉积、化学钝化和热氧化法。对于半导体硅样品，可通过表面长热氧化层、碘酒等钝化方法消除硅片硅表面悬挂键碘液化学钝化水平依赖于操作者的熟练程度、其重复性较差，而现有的热氧化钝化过程操作较为复杂且效率较低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于提升硅片少子寿命精度的钝化设备，具有操作简便、成本低、效率高等特点。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种用在提升硅片少子寿命精度的钝化方法的钝化设备，包括加热炉和冷却装置，所述的加热炉包括加热炉本体、内腔石英件和加热炉密封盖，所述的加热炉本体的前端下部安装有加热炉密封盖，所述的加热炉本体的内腔内安装有内腔石英件，所述的加热炉本体的前端两侧设置有与外部氮气气源连通的氮气输入管，所述的氮气输入管从内腔石英件两侧伸入到内腔，所述的内腔石英件的底部内安装有呈叠放的硅片装夹件，所述的冷却装置包括底座、主管通道和分支通道，所述的底座后侧对称安装有两根竖直支柱，所述的竖直支柱上端之间安装有主管通道，主管通道前侧安装有水平朝前伸出的分支通道，所述的主管通道的内部腔体与分支通道的内腔连通，所述的分支通道的下侧设置有若干输出口。

本技术方案中通过加热炉本体用来方便对硅片进行升温，通过设置内腔石英件，确保内部环境干净，通过设置硅片装夹件，硅片装夹件能够存放硅片，方便硅片运输，通过安装冷却装置的主管通道，方便氮气输入，通过设置分支通道，方便氮气往底座方向引出，实现降温的同时，避免氧化硅片，通过设置氮气输入管，方便氮气输送到加热炉本体的内部。

作为对本技术方案的一种补充，所述的加热炉本体的前侧下部对称安装有两个支架座，所述的支架座上转动安装有支撑轴，所述的支撑轴的伸出端与加热炉密封盖的两侧中部相连。

通过设置支架座，方便支撑轴安装，通过支撑轴来定位加热炉密封盖。

作为对本技术方案的一种补充，所述的加热炉密封盖的后侧边缘通过转轴与加热炉本体对接，加热炉密封盖前侧中部安装有推动把手。

通过设置转轴，方便加热炉密封盖的开启和关闭，通过安装推动把手，方便工人操作。

作为对本技术方案的一种补充，所述的主管通道上安装有两个氮气对接头，所述的氮气对接头通过管道与外部氮气气源连通。

作为对本技术方案的一种补充，所述的硅片装夹件上端面中部设置有安装槽，所述的硅片装夹件的下端面两端安装有支脚。

所述的硅片装夹件的安装槽底面边缘处均匀布置有四个凸点，凸点对硅片进行支撑，避免硅片装夹件与硅片有过多的接触面积。