[实用新型]定向气体扩散器及设备有效
| 申请号: | 202223054556.8 | 申请日: | 2022-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN219260185U | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | M·阿多里西奥;D·麦克里姆蒙;V·瓦尔克;D·戴恩;B·斯库勒 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李婷 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 定向 气体 扩散器 设备 | ||
本实用新型涉及一种定向气体扩散器及设备。所述定向气体扩散器,其特征在于所述定向气体扩散器包括:细长壳体,所述壳体包括:入口端;封闭端;长度,其在所述入口端与所述封闭端之间;开口,其在所述壳体的正面上沿着所述长度延伸;及通道,其在所述入口与所述封闭端之间延伸。所述通道是沿着所述长度由以下各项界定:所述开口,其沿着所述正面延伸;细长背面;及细长侧面,其中所述通道具有长度、宽度、深度及沿着所述通道长度的不同横截面面积。
技术领域
本说明涉及气体扩散器装置,具体来说定向气体扩散器装置及其壳体组件,包含所述气体扩散器装置的系统,使用所述气体扩散器装置的方法,及制造气体扩散器装置的方法。
背景技术
各种工业工艺及制造系统涉及将气体分配到用于在制造期间处理、存储、运输或处置一或多个半导体晶片的腔室的封围内部空间中的工艺步骤及设备。实例系统包含用于处理半导体及微电子装置的系统,所述系统供应在清洁、蚀刻或材料沉积步骤(例如,化学气相沉积、原子气相沉积等)的过程中使用的气体。供应到这些系统的气体包含反应性气体、腐蚀性气体,例如溴化氢(HBr)及其它含卤化物的气体,以及惰性气体。
其它系统包含用于容纳、处置、转移或移动多个半导体晶片的设备,实例是被称为晶片转移腔室、晶片载体(“FOUP”)等装置。这些设备零件包含封围内部空间,所述内部空间经调适以在处理晶片时容纳多个半导体晶片。装置的封围空间容纳晶片,且可容纳被抽空(即,在减压下)的气氛或容纳不同于空气的气体,例如惰性气体。
作为一个实例,晶片转移站是含有在使用期间被抽空的封围内部的腔室的装置,同时多个过程中半导体晶片保持在内部处。在打开真空腔室以取出晶片之前,气体可返回到封围内部以使内部压力与外部(环境)压力平衡。气体可为惰性气体,且通常通过被称为扩散器的装置引入到封围内部中。扩散器以稳定且扩散方式将气体引入到转移站的内部中,以避免破坏可存在于内部处的任何污染物颗粒,所述污染物颗粒如果被破坏可沉降在晶片的表面处。
包含经调适以容纳多个半导体晶片的封围空间的另一装置是晶片载体,有时被称为“FOUP”,其可代表“前开式晶片传送盒(Front Opening Unified Pod”或“Front OpeningUniversal Pod”)。FOUP在封围内部处容纳多个半导体晶片,以运输晶片。在使用期间,虽然在腔室内部处容纳晶片,但内部填充有惰性气体气氛,如与空气气氛相对。惰性气体通常通过扩散器添加到封围腔室内部。扩散器将惰性气体作为稳定且扩散流引入到晶片载体的内部中,以避免破坏可存在于内部处的污染物颗粒,所述污染物颗粒如果被破坏可能沉降在晶片的表面处。
实用新型内容
描述用于定向气体扩散器的扩散器壳体,所述扩散器壳体用于将气态原料分配到半导体处置或处理装置的腔室的封围内部中,或其它反应腔室、真空腔室等。还描述扩散器组合件,其包含壳体及扩散器的其它组件(例如扩散膜),制作壳体及扩散器组合件的方法,包含扩散器组合件的处理系统,以及使用壳体及扩散器组合件的方法。
根据实例扩散器壳体,壳体包括细长体,所述细长体包含在一端处的入口,封闭的第二端及沿着入口端与封闭端之间的长度在主体的表面上方延伸的扩散器出口(例如,“开口”)。在壳体的内部处的通道沿着入口端与封闭端之间的长度延伸,并连接到入口及扩散器出口。通道沿着扩散器壳体的长度可具有不同尺寸,以改进通过扩散器出口的流动的均匀性。例如,当在沿着纵向轴的方向上观看时,在沿着长度的不同位置处,通道可具有不同的横截面面积、深度或两者。通道的横截面面积或深度可在靠近于封闭端的位置处减小,以沿着长度改进气体通过扩散器出口的流动的均匀性。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





