[实用新型]一种降低翘曲的扇出型板级封装结构和电子设备

说明书

本实用新型公开了一种降低翘曲的扇出型板级封装结构和电子设备，封装结构包括：第一塑封层；芯片，设置于所述第一塑封层内；所述第一塑封层背面设置有若干第一冷却槽体和若干第二冷却槽体，所述第一冷却槽体位于芯片侧面的外侧，所述第二冷却槽体位于芯片背面的下侧。在本实用新型中，第二冷却槽体的产生不仅相当于去除更多第一塑封层的塑封料以降低应力从而减小整体的封装翘曲，并且进一步改善了芯片与第一塑封层之间产生的翘曲、即解决第一注塑层与芯片的热膨胀系数不匹配的问题，最终使得封装产品的翘曲大大降低。

技术领域

本实用新型涉及晶圆制造领域，尤其涉及一种降低翘曲的扇出型板级封装结构和电子设备。

背景技术

从晶圆代工厂、封装厂到IC设计公司和系统厂商，都开始将先进封装作为突破摩尔定律的一个方向。先进封装作为晶圆制造的后道工序，在持续压缩芯片体积、提高加工效率、提高设计效率和减少设计成本方面不断发挥重要作用。相比于传统封装，先进封装具有提升芯片功能密度、缩短互联长度和进行系统重构三大功能。这其中，RDL(Re-distributedlayer，重布线层)技术的运用功不可没。也正是这项技术的兴起，使得封装厂得以在扇出型封装技术上与晶圆厂一较高下。扇出型封装又分为扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevel Packaging；FOWLP)，以及扇出型面板级封装(Fan-OutPanelLevelPackaging；FOPLP)。

其中，FOPLP顾名思义就是把已知合格芯片KGD重排在一个板级大小的载体上进行整体封装后再切割，因为板的尺寸比晶圆大，一次可以封装更多芯片，所以理论上产能和成本都更有优势。但是对应地，由于封装时尺寸过大以及材料间的热膨胀(CTE)的不匹配，在封装工艺中，无法实现内部应力的平衡，最终导致注塑材料冷却过程中产生翘曲。

现有技术(申请号为CN201910446517.6的中国专利)公开了一种降低扇出型封装翘曲的方法，其在注塑材料一侧位置设有应力释放孔或者应力释放槽，实现了改善封装翘曲，减少封装内应力的目的，提高了封装质量与可靠性。但是其仅由于仅在芯片两侧开槽，其仅改善了注塑材料和基板之间的翘曲，而对于塑封材料与芯片之间产生的翘曲问题，改善效果并不明显。

因此，针对上述问题，提供一种降低翘曲的扇出型板级封装结构和电子设备，是本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种降低翘曲的扇出型板级封装结构和电子设备。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

本实用新型的第一方面，提供一种降低翘曲的扇出型板级封装结构，包括：

第一塑封层；

芯片，设置于所述第一塑封层内；

所述第一塑封层背面设置有若干第一冷却槽体和若干第二冷却槽体，所述第一冷却槽体位于芯片侧面的外侧，所述第二冷却槽体位于芯片背面的下侧。

进一步地，所述封装结构还包括：

重布线子结构，位于所述第一塑封层正面和芯片正面的上方，与芯片正面电连接；

所述重布线子结构包括：

第一介质层，设置于第一塑封层和芯片上方，所述第一介质层上设置有通电通孔；

重布线层，设置于第一介质层上方，且通过所述通电通孔与所述芯片正面电连接；

外接焊球，设置于所述重布线层上方，且与所述重布线层连接。

进一步地，所述重布线子结构还包括：

第二介质层，位于所述第一介质层和所述重布线层上方，所述第二介质层上设置有焊球通孔。