[实用新型]半导体工艺设备有效
| 申请号: | 202222251024.7 | 申请日: | 2022-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN218333701U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
| 发明(设计)人: | 甄瑞杰;高爽;王凯 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56;E05D15/06;E05F15/56 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
本申请公开了一种半导体工艺设备,其中,该半导体工艺设备的密封门驱动机构包括:两机构框架,两机构框架相对设置在腔室密封门的宽度方向的两侧;两轨道,两轨道分别连接在两机构框架之间,且两轨道之间在腔室密封门的长度方向间隔预设距离;至少两第一动力机构,用于驱动腔室密封门远离或靠近两轨道运动,一第一动力机构滑动连接在一轨道上,并驱动连接腔室密封门的第一位置,另一第一动力机构滑动连接在另一轨道上,并驱动连接腔室密封门的第二位置;第二动力机构,驱动连接任一第一动力机构,以使得每一第一动力机构均在相应的轨道上自由滑动,来带动腔室密封门沿其宽度方向来回移动。本申请可有效提高腔室密封门的密封性能。
技术领域
本申请属于半导体设备技术领域,尤其涉及一种半导体工艺设备。
背景技术
国内封装领域产业快速发展,产能需求增大对应的设备需求也日益增加,原封装领域主要使用烘箱做热处理装置,近些年IC行业立式热处理炉装备打入封装行业,其优秀的控温能力,密封控氧能力及高产能等优点迅速得到封装厂的青睐。目前,立式热处理炉装备主要包括反应腔室及Loading Area(装载区域)两部分,在工作过程中,需打开LoadingArea的腔室密封门,进行硅片的传取操作,并在相应硅片的传取完成后,重新关上LoadingArea的腔室密封门,以确保Loading Area的密封性。上述腔室密封门的打开及关闭主要通过密封门驱动机构来完成,然而,现有的密封门驱动机构在进行腔室密封门的关闭时,采用一边气缸前后运动另一边固定支架的形式,导致腔室密封门关闭时两边压缩量不一致,进而导致腔室密封性不良,同时,这种驱动方式亦会在腔室密封门关闭时形成斜应力,导致固定支架在腔室密封门的反复开关下造成较大损伤,同样会影响腔室密封性能。
发明内容
本申请实施例提供一种半导体工艺设备,旨在改善现有技术半导体工艺设备的密封门驱动机构对腔室密封门的驱动方式容易影响腔室密封性能的问题。
为此,本申请实施例提供一种半导体工艺设备,所述半导体工艺设备包括装载腔室、密封所述装载腔室一侧开口的腔室密封门以及驱动所述腔室密封门打开或关闭的密封门驱动机构,所述密封门驱动机构包括:
两机构框架,所述两机构框架相对设置在所述腔室密封门的宽度方向的两侧;
两轨道,所述两轨道分别连接在所述两机构框架之间,且所述两轨道之间在所述腔室密封门的长度方向间隔预设距离;
至少两第一动力机构,用于驱动所述腔室密封门远离或靠近所述两轨道运动,一所述第一动力机构滑动连接在一所述轨道上,并驱动连接所述腔室密封门的第一位置,另一所述第一动力机构滑动连接在另一所述轨道上,并驱动连接所述腔室密封门的第二位置;
第二动力机构,驱动连接任一所述第一动力机构,以使得每一所述第一动力机构均在相应的所述轨道上自由滑动,来带动所述腔室密封门沿其宽度方向来回移动。
可选地,在一些实施例中,所述腔室密封门的第一中线沿所述腔室密封门的宽度方向延伸,所述两轨道对称设置在所述第一中线的两侧。
可选地,在一些实施例中,所述密封门驱动机构包括两个所述第一动力机构,所述腔室密封门的第二中线沿所述腔室密封门的长度方向延伸,所述第一位置及所述第二位置均位于所述第二中线上。
可选地,在一些实施例中,所述密封门驱动机构包括两个所述第一动力机构,所述腔室密封门的第二中线沿所述腔室密封门的长度方向延伸,所述第一位置及所述第二位置分别位于所述第二中线的不同侧,且所述第一位置到所述第二中线的垂直距离与所述第二位置到所述第二中线的垂直距离相等。
可选地,在一些实施例中,所述密封门驱动机构包括四个所述第一动力机构,两个所述第一动力机构分别滑动连接在一所述轨道上,并分别驱动连接所述腔室密封门的第一位置和第三位置,另外两个所述第一动力机构分别滑动连接在另一所述轨道上,并分别驱动连接所述腔室密封门的第二位置和第四位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





